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最新专利技术
  • 背接触电池及其制作方法、光伏组件
    背接触电池及其制作方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610343271.X
    本申请涉及一种背接触电池及其制作方法、光伏组件。背接触电池包括：基底，基底包括相对设置的第一面和第二面，以及连接第一面和第二面的侧表面；第一面设有交替设置的第一区和第二区，第一区与第二区的导电类型不同；第一区包括远离基底依次设置的隧穿层、第...
    2026-05-01
  • 一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法
    一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法_扬州大学_202610085474.3
    本发明公开了一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法，属于光伏器件制造技术领域。该电池包括厚度为60~80 μm的镓掺杂p型硅衬底，以及依次设于其正反面的功能层与电极。电池背面设有由超薄隧穿氧化层、载流子选择性传输层以及宽带隙介质光散射层构...
    2026-05-01
  • 一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法
    一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511962344.5
    本发明提供一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法，沿太阳电池的厚度方向依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、晶格渐变缓冲层、过冲层、Ga1‑cIncAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑gIngAs子电池、第三...
    2026-05-01
  • 一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法
    一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511962340.7
    本发明提供一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法，沿太阳电池的厚度方向依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、多个周期结构晶格渐变缓冲层、周期结构过冲层、Ga1‑hInhAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)...
    2026-05-01
  • 背接触电池、叠层电池及光伏组件
    背接触电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610115702.7
    本公开涉及光伏领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，至少可以改善热斑效应，并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面，第一面包括沿第一方向交替分布...
    2026-05-01
  • 背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610113686.8
    本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。所述硅基底的背面设置有第一电极区和第二电极区，且所述第一电极区和第二电极区呈叉指状交错设置；其中，所述第一电极区包括第一选择性发射极区和第一非选择性发射极区；其...
    2026-05-01
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610080972.9
    本申请涉及一种背接触电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触电池包括基底、第一掺杂层、第二掺杂层和导电层。基底包括背光面，背光面包括第一区域和第二区域，第二区域邻近第一区域的边部设有交叠区；第一掺杂层设置于第一区域及交叠区，第一掺杂层与基底...
    2026-05-01
  • 基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法
    基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法_上海晶岳电子有限公司_202610081449.8
    本发明公开了基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，该方案通过改进并融合LDPMOS与Trench NMOS工艺，在同一芯片上同步集成LDPMOS、Trench NMOS和TVS，并利用...
    2026-05-01
  • 一种低寄生电容触发电压和维持电压可调型的双向SCR结构
    一种低寄生电容触发电压和维持电压可调型的双向SCR结构_电子科技大学_202511974221.3
    本发明为集成电路(Integrated Circuits，简称IC)的静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护器件设计领域，针对低压触发可控硅整流器(Low Voltage Triggered Silico...
    2026-05-01
  • 包括电应力保护电路的半导体器件
    包括电应力保护电路的半导体器件_三星电子株式会社_202511514459.8
    半导体器件，包括：第一导电类型的半导体基板；电连接到输入焊盘的第一电极；第二导电类型的第一掺杂区域，通过第一接触插塞电连接到第一电极，并且在与半导体基板的平面水平的第一方向上彼此间隔开；第二导电类型的第二掺杂区域，第二掺杂区域在垂直于第一方...
    2026-05-01
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202610113145.5
    本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。显示面板包括：第一金属层包括第一晶体管的栅极，第一晶体管的栅极部分复用为第一电容的第一极板；第二金属层包括第一电极部，第一电极部包括第一电容的第二极板；第三金属层包括时钟信号线，时钟信...
    2026-05-01
  • 阵列基板及显示装置
    阵列基板及显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202411459917.8
    本发明实施例提供的阵列基板及显示装置，包括：衬底基板以及位于衬底基板上的栅极驱动电路和信号走线区；栅极驱动电路包括：输入晶体管，输入晶体管的一侧为信号走线区；输入晶体管的栅极与输入信号端电连接，输入晶体管的第一极与输入信号端电连接，输入晶体...
    2026-05-01
  • 显示设备和包括该显示设备的电子设备
    显示设备和包括该显示设备的电子设备_三星显示有限公司_202511476884.2
    本申请涉及显示设备和包括该显示设备的电子设备。显示设备，包括：第一‑第一栅极线，包括第一‑第一‑第一栅极线、第一‑第一‑第二栅极线以及将第一‑第一‑第一栅极线和第一‑第一‑第二栅极线彼此连接的第一桥接线，并且在第一方向上延伸；以及第一‑第二...
    2026-05-01
  • 一种显示模组及其制备方法
    一种显示模组及其制备方法_中微半导体设备(广州)有限公司_202411480640.7
    本发明公开了一种显示模组及其制备方法，该显示模组的制备方法包含：在基板的第二面制备电子诱导层；在所述基板的第一面制备显示像素开关电路层；在所述基板的第一面及其竖立面制备导电层，使得所述导电层包覆所述显示像素开关电路层并与所述电子诱导层连接；...
    2026-05-01
  • 电路器件及其形成方法
    电路器件及其形成方法_三星电子株式会社_202511512044.7
    本公开涉及电路器件及其形成方法。该电路器件包括：衬底，具有有源区和与有源区的外围相邻的无源区；下部沟道结构，在有源区中和在无源区中包括堆叠在衬底上的一个或更多个下部沟道图案；隔离图案，在下部沟道结构上并与衬底相反；以及上部沟道结构，包括堆叠...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510901850.7
    一种半导体器件，包括：在衬底上沿第一水平方向延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在第二水平方向上间隔开；场绝缘层，在衬底上并围绕第一有源图案和第二有源图案的侧壁；第一栅电极和第二栅电极，分别在第一有源图案和第二有源图...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510975597.X
    本公开涉及一种半导体器件，并且根据实施例的半导体器件包括：包括具有第一导电类型的第一阱区和具有第二导电类型的第二阱区的衬底、位于第一阱区中的第一下图案、位于第二阱区中的第二下图案、位于第一下图案上的第一沟道图案、位于第二下图案上的第二沟道图...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510704772.1
    半导体装置可以包括下布线图案、下绝缘层、沟道图案、栅电极、第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案，第一源极/漏极图案包括第一下部区域和第一中间区域。第二源极/漏极图案包括第二下部区域和第二中间区域。半导体装置进一步包括连接下布线图案和第一源...
    2026-05-01
  • 一种电场调控型GaN增强器件及其制备方法
    一种电场调控型GaN增强器件及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610372286.9
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种电场调控型GaN增强器件，包括衬底层、位于衬底层上方的MOS元胞和氮化镓结构以及介质层，所述MOS元胞从下向上分别有扩散层、阱区、源区以及MOS栅极，其中MOS栅极的两侧分别包括有MOS漏极和MO...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202610101334.0
    具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧...
    2026-05-01
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