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最新专利技术
  • 续流器件和功率半导体器件
    续流器件和功率半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411782156.X
    本公开涉及一种续流器件和功率半导体器件，续流器件，包括有效区和位于有效区外围的终端区，续流器件包括：阳极，位于有效区，阳极包括多个第一P+型掺杂结构，沿与有效区表面平行并且远离有效区中心的方向上，多个第一P+型掺杂结构的宽度呈递减趋势。
    2026-04-23
  • 一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法
    一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511967817.0
    本发明公开了一种碳化硅二极管结构、芯片结构及其制备方法。二极管结构和芯片结构均包括阴极金属及阴极金属上方的N+型碳化硅衬底，在N+型碳化硅衬底上方依次为第一N‑型碳化硅外延层、第二N‑型碳化硅外延层、P+型屏蔽区；在第二N‑型碳化硅外延层远...
    2026-04-23
  • 高耐压氧化镓异质结二极管
    高耐压氧化镓异质结二极管_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202512048173.1
    本发明涉及一种高耐压氧化镓异质结二极管。其包括有源区，包括至少一个JBS单元，其中，所述JBS单元包括制备于所述N型氧化镓漂移层内的元胞沟槽以及位于元胞沟槽内并与源区氧化镓异质结电连接的阳极金属；所述源区氧化镓异质结包括至少分布于元胞沟槽槽...
    2026-04-23
  • 一种特殊结构复合钝化TSS二极管及其制备方法
    一种特殊结构复合钝化TSS二极管及其制备方法_山东芯诺电子科技股份有限公司_202610267108.X
    本发明公开了一种特殊结构复合钝化TSS二极管及其制备方法，属于半导体电子元器件技术领域，包括N型衬底，所述N型衬底的两侧对称设置有N+重掺杂区和P+重掺杂区，所述P+重掺杂区与N型衬底之间设置有P‑轻掺杂区；所述二极管表面开设有沟槽结构，所...
    2026-04-23
  • 一种雪崩晶体管及其多芯片串联集成封装结构和工作方法
    一种雪崩晶体管及其多芯片串联集成封装结构和工作方法_武汉脉冲芯电子科技有限公司_202512042237.7
    本申请属于功率半导体器件封装技术领域，具体公开了一种雪崩晶体管及其多芯片串联集成封装结构和工作方法；集成封装结构包括由n个堆叠的雪崩晶体管构成的芯片模块，单个雪崩晶体管的衬底上方设置外延层，外延层上方设置有基极和发射极；集电极位于衬底的下方...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202511994607.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：在基底层上依次形成初始基区层和初始发射极结构；初始发射极结构包括位于中间位置的本体部和侧部的边缘部；本体部凸起于边缘部；本体部凸出于边缘部的侧部覆盖有第一保护层；去...
    2026-04-23
  • 半导体器件
    半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411839799.3
    本发明公开一种半导体器件。半导体器件包括：相互连接的绝缘栅双极晶体管和快恢复二极管，绝缘栅双极晶体管包括：第一元胞结构和第二元胞结构；与第一元胞结构的栅极连接的第一栅极传输线，与第二元胞结构的栅极连接的第二栅极传输线；与第一元胞结构的结构电...
    2026-04-23
  • 逆导IGBT器件及其制备方法
    逆导IGBT器件及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510233381.6
    本申请提供一种逆导IGBT器件及其制备方法，逆导IGBT器件包括：漂移层；第一电极层；二极管阴极区，位于部分漂移层和第一电极层之间；第一掺杂区，位于部分漂移层和第一电极层之间，第一掺杂区和第一电极层的界面形成肖特基接触，二极管阴极区和第一电...
    2026-04-23
  • 优化关断损耗与关断过电压折衷关系的IGBT元胞结构
    优化关断损耗与关断过电压折衷关系的IGBT元胞结构_上海华虹挚芯电子科技有限公司_202511992153.3
    本发明提供了一种优化关断损耗与关断过电压折衷关系的IGBT元胞结构，衬底或外延中其剖面自下而上依次包括集电极、集电区、场阻止层、漂移区、高掺杂的载流子存储层以及基区层；在所述的衬底或外延的上表面为IGBT元胞的发射极；在衬底或外延中有多个平...
    2026-04-23
  • 一种具备集电极耗尽效应的RC-IGBT器件
    一种具备集电极耗尽效应的RC-IGBT器件_重庆邮电大学_202610013676.7
    本发明涉及一种具备集电极耗尽效应的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。为降低传统RC‑LIGBT器件的关断损耗及消除正向导通时的负阻效应，本器件在阳极N+侧引入P多晶硅作为平面栅极、阳极N+区下方引入P‑Buried区、平面栅极和P‑B...
    2026-04-23
  • 一种多沟道SOI LIGBT器件
    一种多沟道SOI LIGBT器件_无锡中微爱芯电子有限公司_202610269382.0
    本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种多沟道SOI LIGBT器件。包括第一导电类型外延层和处于外侧的隔离槽；第一导电类型外延层上设有发射极第二导电类型阱区一、发射极第二导电类型阱区二和集电极第一导电类型缓冲层；其中发射极第二导电类型阱...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511665207.5
    一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成间隔设置的第一凸起结构和第二凸起结构；形成层间介质层，以覆盖第一凸起结构和第二凸起结构，其中，第一凸起结构和第二凸起结构之间的间隔处的层间介质层具有向衬底表面侧的凹陷；在层间介质层上形...
    2026-04-23
  • 基于外延表面的平面型SiC MOS栅控晶闸管器件及制造方法
    基于外延表面的平面型SiC MOS栅控晶闸管器件及制造方法_西安电子科技大学_202511722046.9
    本发明公开了一种基于外延表面的平面型SiC MOS栅控晶闸管器件及制造方法，通过巧妙的引入n型外延层，有效避免了传统使用三重离子注入工艺的问题，利用外延生长技术具有的生长速度快，材料缺陷低，工艺稳定性好等优点，能获得表面缺陷密度更低的半导体...
    2026-04-23
  • 一种转折电压自保护晶闸管及制造方法
    一种转折电压自保护晶闸管及制造方法_湖北台基半导体股份有限公司_202511504629.4
    本发明为一种转折电压自保护晶闸管及制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要解决的技术问题是即确保IGBT或IGCT集电极电压达到预定值时可自保护安全导通，还能实现释放过程电压产生的能量保护器件不致损坏。它的主要特征是：所述半导体芯片的中...
    2026-04-23
  • 具有混合沟道的半导体装置
    具有混合沟道的半导体装置_安华高科技股份有限公司_202511369086.X
    一种具有混合沟道的半导体装置，其适合于在高操作电压(例如，2.5伏特到3.3伏特)下的可操作性。所述半导体装置包含：漏极；源极；沟道，其包括第一纳米片及第二纳米片；牺牲层，其安置在所述第一纳米片与所述第二纳米片之间；以及栅极，其环绕所述沟道...
    2026-04-23
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511721933.4
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过在层间介质层中形成形状为长条连续型，交替排布且横向宽度不同的第一接触孔和第二接触孔，其中，第二接触孔的横向宽度大于第一接触孔，第二接触孔所在元胞的沟道区域离子浓度较高，因而阈值电压较...
    2026-04-23
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511721934.9
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过在元胞区的层间介质层中制作形状不同的第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的形状为长条连续型，导致其所在元胞的沟道区域离子浓度较高，因而阈值电压较高；第二接触孔的形状的具有第一间隔距离的...
    2026-04-23
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511721938.7
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过在元胞区的层间介质层中制作密度不同的第一接触孔和第二接触孔，其中，第一接触孔的分布密度低，导致其所在元胞的沟道区域离子浓度较低，因而阈值电压也较低；第二接触孔的分布密度高，其所在元胞...
    2026-04-23
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_上海功成半导体科技有限公司_202511721942.3
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过于相邻沟槽之间的层间介质层中形成长条连续型的非对称接触孔，其中，接触孔与第一沟槽的第一距离小于接触孔与第二沟槽的第二距离，使得距离第一沟槽近的接触孔的一侧的离子浓度较高，因而阈值电压...
    2026-04-23
  • 金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管
    金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886049.6
    本申请提供了一种金刚石场效应晶体管制备方法和金刚石场效应晶体管，属于半导体技术领域，在金刚石衬底顶面沉淀牺牲层，并图形化牺牲层；在金刚石衬底顶面沉积金刚石外延层；使金刚石外延层完全覆盖牺牲层，使牺牲层的两端对应暴露至金刚石外延层的第一端面和...
    2026-04-23
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