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最新专利技术
  • 非对称SOT磁性存储单元及其制备方法
    非对称SOT磁性存储单元及其制备方法_中电海康集团有限公司_202610054120.2
    本发明提供一种非对称SOT磁性存储单元，包括：依次设置的第一电极、磁性隧道结叠层、非磁金属层以及高电阻层；第二电极，所述第二电极与所述高电阻层的第一端电连接；第三电极，所述第三电极与所述高电阻层的第二端电连接，所述第三电极与非磁金属层对应于...
    2026-04-30
  • 非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用
    非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用_安徽大学_202610132867.5
    本发明公开了一种非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用，属于磁存储技术领域。本发明提供的一种非均匀电流分布的自旋霍尔器件，包括自下到上依次叠层布置的衬底、种子层、重金属层和铁磁层；其中，所述铁磁层和重金属层构成垂直堆叠的异质结；所述...
    2026-04-30
  • 非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法
    非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法_同济大学_202510970753.3
    本发明提出了一种非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法，该非共线反铁磁材料包括由下到上依次设置的衬底、非共线反铁磁层和覆盖层；所述非共线反铁磁层为Mn3Pt膜，覆盖层为SiO2膜，该材料利用自身成分梯度打破了体系的空间反演对称性；该响...
    2026-04-30
  • 一种激光退火方法及其应用和相关装置
    一种激光退火方法及其应用和相关装置_本源天工(郑州)量子科技有限公司_202411485642.5
    本申请公开了一种激光退火方法及其应用和相关装置，属于量子计算机制造领域。该激光退火方法包括：仿真约瑟夫森结被第一激光所加热，以获得激光功率与约瑟夫森结温度的第一对应关系；合约瑟夫森结的由第二激光实施激光退火的试验结果、和被第二激光加热的仿真...
    2026-04-30
  • 一种超导微米线电流密度的调控方法
    一种超导微米线电流密度的调控方法_南京工业职业技术大学_202511861448.7
    本发明提供了一种超导微米线电流密度的调控方法，通过在蜿蜒超导微米线的直线区域设计具有一定尺寸的孔洞形状，使超导微米线的电流密度重新分布，降低蜿蜒超导微米线拐角处的电流密度，有效缓解超导微米线的电流拥挤效应。这种电流密度调控方法允许超导微米线...
    2026-04-30
  • 一种超导量子芯片制备方法及量子芯片
    一种超导量子芯片制备方法及量子芯片_量子科技长三角产业创新中心_202610048860.5
    本公开提供一种超导量子芯片制备方法及量子芯片，包括提供一衬底；在衬底上原位生长超导结构层，其中超导结构层具有第一超导层、绝缘层以及第二超导层；对超导结构层进行多次光刻及刻蚀，以在衬底上形成约瑟夫森结，其中约瑟夫森结的面积小于超导结构层的面积...
    2026-04-30
  • 一种微流道及金属填充模板
    一种微流道及金属填充模板_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511796700.0
    本发明提供一种微流道及金属填充模板，所述微流道包括：导流槽和液金池，其中：所述导流槽与所述液金池相连通；所述液金池与转接板上用于填充金属的多个容纳结构对应；所述导流槽将所述液金池与外部相连通。所述配合转接板包括微流道和基片，所述基片上设置介...
    2026-04-30
  • 通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法
    通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法_绍芯实验室_202511863092.0
    本申请涉及一种通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法，该方法利用幅值为铁电薄膜矫顽电压1～1.5倍、脉宽为0.1 ms～10 ms 的脉冲激励作用于具有条纹畴结构的铁电薄膜，使薄膜内部的氧空位等带电缺陷向人工诱导的畴壁区域迁移，经多次脉冲循...
    2026-04-30
  • 铁电忆阻器及其制备方法
    铁电忆阻器及其制备方法_苏州实验室_202610385909.6
    本申请涉及半导体材料与器件技术领域，公开了一种铁电忆阻器及其制备方法。本申请的铁电忆阻器，包括：自上而下依次设置的第一电极层、第一AlScN铁电层、第二AlScN铁电层以及第二电极层；其中，第一AlScN铁电层至少部分覆盖第一电极层，第二A...
    2026-04-30
  • 电阻式存储器结构及其制作方法
    电阻式存储器结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411628208.8
    本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含：基底；存储器堆叠结构，设置于该基底上，其中，该存储器堆叠结构包含底电极层、设置于该底电极层上的切换层、设置于该切换层上的顶电极层，以及设置于该存储器堆叠结构侧壁上的氧化...
    2026-04-30
  • 低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺
    低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺_西安电子科技大学杭州研究院_202610373973.2
    本发明公开了一种低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺，属于集成电路存储技术领域。该器件自下而上包括高功函数底电极、TiON或TiO2界面层、反铁电ZrO2层及低功函数顶电极。本发明利用电极功函数差与界面偶极子协同产生的内建电...
    2026-04-30
  • 一种晶圆键合装置及控制方法
    一种晶圆键合装置及控制方法_达波科技(上海)有限公司_202610344263.7
    本申请公开了一种晶圆键合装置及控制方法，晶圆键合装置包括承载台、转动设置于承载台的第一转动部及第二转动部；第一转动部包括晶圆固定件，第二转动部包括晶圆吸附件；晶圆固定件用于承托键合后的两个晶圆；晶圆吸附件能够驱动两个对接后的晶圆完成键合，晶...
    2026-04-30
  • 一种氧化锡薄膜的制备方法
    一种氧化锡薄膜的制备方法_山东能源集团有限公司_202511945863.0
    本发明涉及一种氧化锡薄膜的制备方法，涉及半导体材料技术领域，其中，所述制备方法包括在基底表面先进行四(二甲基氨基)锡脉冲，然后氮气第一次吹扫，随后用H2O2溶液进行脉冲，然后氮气第二次吹扫，再进行混合气脉冲，然后用氮气第三次吹扫，重复循环上...
    2026-04-30
  • 一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法
    一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法_上海申和投资有限公司_202512002538.7
    本发明提供了一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法。将Bi、Sb、Te元素的熔炼合金熔体通过喷射方式注入高速旋转的冷却介质铜辊中快速凝固，并在惰性氛围下进行退火处理优化相结构。通过结合快速凝固与短时热处理，避免了高温长时过程导致的相分...
    2026-04-30
  • 半导体终端结构、制备方法及半导体器件
    半导体终端结构、制备方法及半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202610107195.2
    本申请提供了一种半导体终端结构、制备方法及半导体器件，所述制备方法包括：提供第一导电类型的衬底；对所述衬底进行第一次离子注入，形成第二导电类型的第一掺杂结区，所述第一掺杂结区为VLD区；对所述衬底进行第二次离子注入，形成第二导电类型的第二掺...
    2026-04-30
  • 一种半导体结构、形成方法及相关器件
    一种半导体结构、形成方法及相关器件_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411482274.9
    本公开实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一硬掩膜层；刻蚀去除第一硬掩膜层的部分区域直至暴露衬底，形成多个相互间隔的第一掩膜结构，其中，所述第一硬掩膜层在刻蚀后存在刻蚀残留，以相邻第一掩膜...
    2026-04-30
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511841965.8
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。解决现有含金属硬掩膜工艺中晶圆膜层金属沾污含量高，以及现有金属沾污去除方法效率低、均匀性差、难以与现有半导体制造流程高效集成等问题。一种半导体结构，所述半导体结构经由含金属硬...
    2026-04-30
  • 一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法
    一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202610380213.4
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法, 包括：将晶圆背面朝下固定；在浸泡槽中注入药液并控制药液温度至设定值；控制晶圆与药液液面相对运动，以使药液浸没晶圆背面设定深度；持续监测晶圆背面腐蚀深度并判断腐蚀速率，...
    2026-04-30
  • 一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件
    一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件_慕德微纳(杭州)科技有限公司_202610386171.5
    本发明涉及一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件，方法，包括以下步骤，准备受体衬底和供体衬底，所述供体衬底具有相对的第一表面和第二表面；将所述受体衬底的待结合面与所述第二表面进行键合；自所述第一表面将激光聚焦于所述供体衬底内部...
    2026-04-30
  • 保护带剥离设备
    保护带剥离设备_三星电子株式会社_202511490990.6
    一种保护带剥离设备可以包括：支撑台，其被配置为支撑与相应保护带附接的晶片；辊保持器，其具有上夹送辊和下夹送辊，用于将从晶片剥离的保护带在上夹送辊与下夹送辊之间移动；附接部，其用于将位于上夹送辊与下夹送辊之间的保护带的一个端部附接到与支撑台上...
    2026-04-30
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