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最新专利技术
  • 准二维钙钛矿薄膜的激光冲击退火制备方法、薄膜及太阳能电池
    准二维钙钛矿薄膜的激光冲击退火制备方法、薄膜及太阳能电池_西北工业大学_202610201363.4
    本发明公开了一种准二维钙钛矿薄膜的激光冲击退火制备方法、薄膜及其太阳能电池，属于光电器件制造领域。所述方法在环境条件下，将脉5冲激光作用于覆盖有透明限制层的钙钛矿前驱体湿膜，利用激光诱导的瞬态热与冲击波压力协同作用诱导结晶。该方法通过形成稳...
    2026-04-30
  • 用于制造显示装置的设备和制造显示装置的方法
    用于制造显示装置的设备和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202511227193.9
    本公开涉及用于制造显示装置的设备和制造显示装置的方法。所述设备包括：载物台；第一膜处理部件，第一膜处理部件在一个方向上传送位于载物台上方的第一膜；第二膜处理部件，第二膜处理部件在一个方向上传送位于第一膜上方的第二膜；头部，位于第二膜上方，其...
    2026-04-30
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202511235676.3
    公开了一种显示装置，其包括：基板，基板具有显示区域和非显示区域，并且包括第一柔性基板、中间层和第二柔性基板；晶体管和发光器件，晶体管和发光器件位于显示区域；以及驱动芯片，驱动芯片位于非显示区域，其中，中间层设置在第一柔性基板和第二柔性基板之...
    2026-04-30
  • 一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用
    一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202511943087.0
    本发明属于太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿薄膜材料及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明采用钙钛矿前驱体和掺杂剂作为钙钛矿薄膜材料的主要原料组分，所提供的钙钛矿薄膜材料能够进一步用于制备钙钛矿太阳能电池，三氟甲硫基苯类化合物掺...
    2026-04-30
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法与光电器件
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法与光电器件_正泰新能科技股份有限公司_202411470621.6
    本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法与光电器件，所述钙钛矿太阳能电池的空穴传输层材料包括含芘有机分子。含芘有机分子具有芘的共轭核，在界面处表现出优异的电子性质，且含芘有机分子含有的多环芳烃结构具有化学惰性和构象刚性，能够在界面处进行...
    2026-04-30
  • 一种提升钙钛矿薄膜稳定性的功能层及其制备方法与用途
    一种提升钙钛矿薄膜稳定性的功能层及其制备方法与用途_正泰新能科技股份有限公司_202411470622.0
    本发明属于钙钛矿技术领域。本发明提供了一种提升钙钛矿薄膜稳定性的功能层及其制备方法与用途，所述功能层包括一种新型共价有机框架材料(COFs材料)。这些COFs材料的结构可形成精细的微/纳米级孔径，不仅具有高表面积且还具有稳定的非极性乙烯基键...
    2026-04-30
  • 一种共吸附空穴传输层材料及钙钛矿太阳能电池
    一种共吸附空穴传输层材料及钙钛矿太阳能电池_电子科技大学_202610298675.1
    本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体提供一种共吸附空穴传输层材料及钙钛矿太阳能电池，用以解决现有反式宽带隙钙钛矿太阳能电池中埋底界面存在的能级失配、缺陷态密度高、非辐射复合损失严重等问题，进而克服器件开路电压衰减、填充因子降低、性能与稳...
    2026-04-30
  • 一种用于柔性热电元件的封装方法及封装结构
    一种用于柔性热电元件的封装方法及封装结构_河北大学_202610369488.8
    本发明公开了一种用于柔性热电元件的封装方法及封装结构，涉及半导体器件制备技术领域，封装方法包括：制备热电串联结构，热电串联结构包括电极层、P型热电臂和N型热电臂；电极层由若干金属电极组成；在电极层外表面涂覆布料胶；将第一封装层贴附于热电串联...
    2026-04-30
  • 一种半导体制冷器的低成本稳定干刻方法及干刻系统
    一种半导体制冷器的低成本稳定干刻方法及干刻系统_四川科尔威光电科技有限公司_202610383681.7
    本发明公开了一种半导体制冷器的低成本稳定干刻方法及干刻系统，属于集成电路制造领域，包括以下步骤：S1，取已完成金属图形化并已去胶的晶圆；S2，将已完成金属图形化并已去胶的晶圆安装在晶圆承载台，并将晶圆承载台置于干刻的工作腔内；S3，等离子粒...
    2026-04-30
  • 压电陶瓷致动器及其制备方法
    压电陶瓷致动器及其制备方法_上海隐冠半导体技术股份有限公司_202610363128.7
    本发明提供了一种压电陶瓷致动器及其制备方法。压电陶瓷致动器包括：叠堆本体，包括多个沿着上下方向叠置的叠堆组件，每个叠堆组件包括一个裂隙层、多个陶瓷介质层以及多个内电极金属层，裂隙层包括两个沿着叠堆本体相对两侧位置布置的裂隙区域；外电极件，包...
    2026-04-30
  • 绝缘体上压电衬底及其制备方法
    绝缘体上压电衬底及其制备方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202610373328.0
    本发明提供了一种绝缘体上压电衬底及其制备方法，绝缘体上压电衬底由自底向上的层级顺序包括依次叠设的支撑层、多晶硅层、温度补偿层、隔离层和压电材料层，其中：所述支撑层作为所述绝缘体上压电衬底的基底，用于为上层结构提供支撑；所述多晶硅层用于提高键...
    2026-04-30
  • 一种互补型自旋阀器件及自旋逻辑电路
    一种互补型自旋阀器件及自旋逻辑电路_中国科学院化学研究所_202411456583.9
    本发明公开了一种互补型自旋阀器件及自旋逻辑电路。所述互补型自旋阀器件包括正自旋阀和负自旋阀；正自旋阀的结构自上至下依次包括：顶电极、半导体层、界面层、底电极；负自旋阀的结构自上至下依次包括顶电极、氧化层、半导体层、界面层、底电极，正自旋阀和...
    2026-04-30
  • 一种自旋-轨道扭矩磁性存储单元及其制备方法
    一种自旋-轨道扭矩磁性存储单元及其制备方法_中国科学院物理研究所_202411466523.5
    本发明提供了一种自旋‑轨道扭矩磁性存储单元及其制备方法。该制备方法包括：在基片上制备具有至少一个电极的底电极；将磁性范德华材料转移到底电极上，以形成覆盖底电极的至少一个电极中每个电极的至少一部分并与其直接接触的磁性层；将范德华自旋流材料转移...
    2026-04-30
  • 一种磁子器件、集成磁子器件及其使用方法
    一种磁子器件、集成磁子器件及其使用方法_华中科技大学_202512048212.8
    本发明属于基于磁子学的信息处理技术领域，涉及一种磁子器件、集成磁子器件及其使用方法。该器件包括多分支连接波导、输入模块和输出模块；多分支连接波导一端为共用波导，另一端为分支波导；分支波导为沿一支点向外辐射布置2个支路或3个支路的波导，且每个...
    2026-04-30
  • 一种有机-无机层状磁电复合材料及其制备方法
    一种有机-无机层状磁电复合材料及其制备方法_武汉理工大学_202610058596.3
    本发明涉及磁电材料制备的技术领域，提出了一种有机‑无机层状磁电复合材料及其制备方法，复合材料的制备方法包括以下步骤：S1，将二甲基甲酰胺、钛酸钡和P(VDF‑HFP)混合均匀，得到混合浆料；S2，采用流延法，在磨砂板表面流延混合浆料，烘干得...
    2026-04-30
  • 一种高温超导量子电压芯片的制备方法及量子电压芯片
    一种高温超导量子电压芯片的制备方法及量子电压芯片_北京无线电计量测试研究所_202511971385.0
    本发明涉及超导电子学器件技术领域，提出了一种高温超导量子电压芯片的制备方法及量子电压芯片，制备方法包括：提供单晶衬底，并在单晶衬底表面刻蚀台阶结构，得到带有台阶结构的单晶衬底；在带有台阶结构的单晶衬底表面外延生长钇钡铜氧薄膜，钇钡铜氧薄膜在...
    2026-04-30
  • 一种高温超导二极管器件结构的制备工艺
    一种高温超导二极管器件结构的制备工艺_安徽师范大学_202610090064.8
    本发明公开了一种高温超导二极管器件结构的制备工艺，具体涉及超导电子器件与微纳加工技术领域，包括：在衬底上制备片上磁场发生单元，并在其上方形成绝缘隔离层；将高温超导材料薄片转移并固定于绝缘隔离层表面，在薄片表面形成金属电极层并构建微桥非对称结...
    2026-04-30
  • 基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法
    基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法_南京大学_202610357253.7
    本发明公开一种基于单层氮化铌纳米环的超导二极管器件及其控制方法，属于超导电子学技术领域，超导二极管器件包括绝缘衬底和氮化铌层，氮化铌层包括第一工作线、第二工作线以及中间环，第一工作线包括第一线段、第二线段以及第一中间部，第二工作线包括第三线...
    2026-04-30
  • 基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用
    基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用_深圳大学_202610355230.2
    本发明公开了一种基于二维共价有机框架的可重构忆阻器及其制备方法与应用，忆阻器包括顺次层叠设置的底电极、共价有机框架基活性膜层、顶电极，其中，共价有机框架基活性膜层由1, 3, 5‑三(4‑氨基苯基)苯与[1, 1' : 4', 1''‑三联...
    2026-04-30
  • 基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用
    基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用_凯里学院_202511941738.2
    本发明涉及钙钛矿薄膜技术领域，且公开了基于无铅双钙钛矿的低电压高稳定性忆阻器及其神经形态计算应用，包括依次堆叠的顶电极、薄膜和底电极，将粉末溶解于DMSO中，形成0.4M的前驱体溶液通过两步旋涂法沉积于FTO玻璃衬底上，并在设定温度下退火2...
    2026-04-30
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