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最新专利技术
  • 一种阵列探测器芯片及光引擎和光引擎耦合方法
    一种阵列探测器芯片及光引擎和光引擎耦合方法_武汉钧恒科技有限公司_202511818925.1
    本发明涉及一种阵列探测器芯片，探测器芯片的上表面上具有多个光敏面，探测器芯片的上表面上在每个光敏面处具有焊盘，探测器芯片的上表面上设有两个辅助光敏面，探测器芯片的上表面上在每个辅助光敏面处具有辅助焊盘。光引擎耦合方法，让阵列探测器芯片上的焊...
    2026-05-01
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_株式会社钟化_202511471522.4
    本发明的太阳能电池模块具备：表面保护材料；第一太阳能电池子模块；第二太阳能电池子模块；背面保护材料，具有贯通孔；一对第一引出线，贯通贯通孔；一对第二引出线，以在排列方向上夹入第一引出线的方式贯通贯通孔；一对第一绝缘带，以被夹入在第一引出线与...
    2026-05-01
  • 太阳能电池及其制备工艺、叠层电池、光伏组件
    太阳能电池及其制备工艺、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610352202.5
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及太阳能电池及其制备工艺、叠层电池、光伏组件。本申请的太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：提供预备电池片；在预备电池片上印刷导电材料；将导电材料烧结固化，形成电极；对电极进行激光处理；其中，导电材料包括金属...
    2026-05-01
  • 一种光伏电池片制造过程参数自适应调控系统及方法
    一种光伏电池片制造过程参数自适应调控系统及方法_湖南大学_202610319729.8
    本发明涉及光伏电池片制造技术领域，尤其涉及一种光伏电池片制造过程参数自适应调控系统及方法，包括：用以对绒面硅片进行扩散处理，得到扩散片的扩散模块；用以对刻蚀后硅片以预设射频功率和预设工艺腔体压力进行镀膜处理，得到镀膜硅片的镀膜模块；数据采集...
    2026-05-01
  • 一种基于连续生产的太阳能电池片导电结构的制备装置及方法
    一种基于连续生产的太阳能电池片导电结构的制备装置及方法_无锡嘉瑞光伏有限公司_202610088380.1
    本发明公开了一种基于连续生产的太阳能电池片导电结构的制备装置及方法，制备装置包括焊接平台、设置于焊接平台上的传输履带、导电丝固定装置、加热装置、激光分段装置和若干导电丝，导电丝固定装置用于将导电丝拉伸固定和定位在焊接平台上，且导电丝的位置与...
    2026-05-01
  • BC类光伏组件用电池串的成串方法及设备
    BC类光伏组件用电池串的成串方法及设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610083070.0
    本发明提供一种BC类光伏组件用电池串的成串方法及设备，其中成串方法，包括如下步骤：采用第一电池片排布机构将多个A类电池片与B类电池片预排布形成第一预排电池排，采用第二电池片排布机构将多个A类电池片与B类电池片预排布形成第二预排电池排；将第一...
    2026-05-01
  • 一种用于多分片组件的高效裁切铺设机及裁切铺设方法
    一种用于多分片组件的高效裁切铺设机及裁切铺设方法_无锡市精电技术有限公司_202610075095.6
    本发明公开了一种用于多分片组件的高效裁切铺设机及裁切铺设方法，应用在裁切铺设机技术领域，其技术方案要点是：包括放卷组件以及裁切铺设组件；所述裁切铺设组件包括机架，所述机架上分别固定连接有用于实现玻璃上下料的玻璃输送线、用于实现玻璃归正定位的...
    2026-05-01
  • 一种基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法
    一种基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202610061932.X
    本发明公开了一种基于臭氧的硅片慢提拉清洗方法，涉及硅片生产技术领域，包括：通过机械臂提花篮并将装有硅片的花篮放入慢提拉槽中；向慢提拉槽底部通入臭氧气体进行鼓泡操作，预设鼓泡时间后停止通入臭氧气体，结束鼓泡；以预设速度缓慢匀速提起花篮，完全提...
    2026-05-01
  • 一种基于湿制程废酸的清洗返工片的方法
    一种基于湿制程废酸的清洗返工片的方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202610061931.5
    本发明公开了一种基于湿制程废酸的清洗返工片的方法，涉及晶硅电池生产技术领域，包括：使用NaOH、H2O2去除有机物残留，NaOH采用湿制程工艺中抛光、制绒工艺段的预清洗碱洗槽中的废液；水洗；使用混酸体系浸泡返工片，所述混酸体系以湿制程工艺中...
    2026-05-01
  • 一种MSM结构的GaN紫外光电探测器及其制备方法
    一种MSM结构的GaN紫外光电探测器及其制备方法_北京工业大学_202610047932.4
    本发明公开了一种MSM结构的GaN紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体技术领域；本GaN垂直结构探测器的制备方法包括：提供一外延衬底，包括支撑衬底、SiO₂牺牲层、模版层、超薄AlN成核层、GaN层，在Ga面制备肖特基接触电极和支撑层，通...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池组件的制备方法
    一种背接触电池组件的制备方法_陕西众森电能科技有限公司_202610044529.6
    一种背接触电池组件的制备方法，属于太阳电池制备领域，其特征在于：在汇流条与焊带连通部分通过设置特征结构构成第一焊接区；汇流条包括接入接线盒的接入侧汇流条；接入侧汇流条与接线盒进行连接处设置第二焊接区；层压后将接线盒与第二焊接区进行焊接制得背...
    2026-05-01
  • 一种单波精准掺杂的N型BC电池的制备方法
    一种单波精准掺杂的N型BC电池的制备方法_青海高景太阳能科技有限公司_202610029098.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种单波精准掺杂的N型BC电池的制备方法。本发明的一种单波精准掺杂的N型BC电池的制备方法，包括以下步骤：S1、将N型硅片进行预处理；S2、采用红外单波长激光在硅片正面进行硼掺杂，形成P+浅结；采用紫...
    2026-05-01
  • 电池发射极的制备方法以及设备
    电池发射极的制备方法以及设备_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202512060813.0
    本申请提供了一种电池发射极的制备方法以及设备，涉及半导体或光伏材料加工领域，解决了传统的硼推结工序中由于硅片边缘和中心温度不均会导致电池效率较低的技术问题。该电池发射极的制备方法包括：在加热条件下，在N型硅片在第一方向上的一侧沉积硼硅玻璃层...
    2026-05-01
  • 叠放输送设备
    叠放输送设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202512034328.6
    本发明公开了叠放输送设备，包括依次设置的焊带裁切装置、导向装置、夹持装置和输送装置；焊带裁切装置用于裁切焊带；输送装置用于承载叠放的电池片和焊带并输送；导向装置设置在焊带裁切装置和夹持装置之间，包括导向主体及驱动所述导向主体移动的移动机构；...
    2026-05-01
  • 一种电池片与焊带一体化加工设备
    一种电池片与焊带一体化加工设备_苏州宏瑞达新能源装备有限公司_202512018386.X
    本发明提供了一种电池片与焊带一体化加工设备，其包括：机台，机台上设有牵引轨道；电池片加工机构，其包括传输线体、调向组件、移料组件以及间距粗调组件，调向组件包括上料线体以及可在上料线体上方移动的调向吸盘；移料组件将调向后的电池片由上料线体移动...
    2026-05-01
  • 一种光电芯片高密度封装结构及其制备方法
    一种光电芯片高密度封装结构及其制备方法_上海芯源创新中心_202511945308.8
    本发明的一种光电芯片高密度封装结构及其制备方法，通过将光子芯片、光学通孔以及第二光波导层设置在封装结构的边缘，构建出由上方光子芯片经光学通孔到底部基板的光信号传输通道，有效降低光学传输损耗，且光子芯片远离堆叠封装电学芯片的区域，有效提升了芯...
    2026-05-01
  • 一种激光冲击形成弹性应变增强二维材料电学性能的方法
    一种激光冲击形成弹性应变增强二维材料电学性能的方法_武汉大学_202511933065.6
    本发明提供了一种激光冲击形成弹性应变增强二维材料电学性能的方法，属于激光纳米尺度加工半导体晶体管技术领域。本发明先将预先制备的金属纳米颗粒转移至含二维材料的衬底上，进而在其上制备聚合物薄膜层；然后将所得样品从衬底上剥离、翻转，并转移至目标衬...
    2026-05-01
  • 硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件
    硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件_上海申矽凌微电子科技股份有限公司_202511920501.6
    本发明提供了一种硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件，采用FZ单晶作为衬底，采用离子注入加退火方式形成掺杂区，可以有效控制结深和浓度。采用Taiko背面减薄工艺将硅片减薄。光敏区采用浅结和深结结合结构，浅结可以增加蓝光吸收率，深结形成欧...
    2026-05-01
  • 暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器
    暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511901927.7
    本申请提供一种暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器，涉及半导体材料与器件技术领域；该方法包括：对超晶格材料片，利用PECVD在其上生长二氧化硅硬掩膜层；在所述二氧化硅硬掩膜层上形成光刻胶掩膜图案，所述图案包括...
    2026-05-01
  • 硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法
    硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511867754.1
    本发明提供了一种硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法，包括采用锑作为掺杂剂，相对于掺杂砷和磷，杂质能带更浅，探测波段进一步向长波拓展，可完全覆盖甚长波红外波段。采用高纯硅衬底并通过离子注入在高纯硅衬底上形成公共负电极接触层的制备方法。采用高纯...
    2026-05-01
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