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最新专利技术
  • 一种高频硅电容器及其制造方法
    一种高频硅电容器及其制造方法_无锡缶英微电子科技有限公司_202511808642.9
    本发明公开了一种高频硅电容器及其制造方法，其包括硅衬底，其正面设置有第一焊盘凸台、第二焊盘凸台和位于第一焊盘凸台、第二焊盘凸台之间的多个硅槽；深槽电容结构，其包括填充于硅槽内并覆盖于硅衬底正面的层叠电容单元，其中所述层叠电容单元至少包括第一...
    2026-05-01
  • 电容器结构及其制造方法
    电容器结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510959345.8
    本公开涉及电容器结构及其制造方法。一种方法包括：形成第一电极，包括沉积第一层导电材料并在第一层导电材料上沉积第二层导电材料；在第二层导电材料上形成第一绝缘层；以及形成第二电极，包括在第一绝缘层上沉积第三层导电材料并在第三层导电材料上沉积第四...
    2026-05-01
  • 一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法
    一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法_扬州国宇电子有限公司_202610074310.0
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法，其中二极管的N型外延层上设置有主结、沟槽和多个环区，主结设置于N型外延层上，且位于N型外延层的中心；主结从下至上依次形成有轻掺杂N‑区、掺杂P区和第一重掺杂P+区；...
    2026-05-01
  • 包括共享逻辑裸片的多个单元裸片的半导体装置
    包括共享逻辑裸片的多个单元裸片的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202511496204.3
    一种半导体装置包括封装基板、逻辑裸片以及多个单元裸片。逻辑裸片和多个单元裸片被设置在封装基板上。逻辑裸片通过封装基板的信号传输线耦接到封装基板的焊盘。多个单元裸片通过接合线耦接到封装基板的焊盘，从而耦接到逻辑裸片。
    2026-05-01
  • 一种计算内存硬件系统及其制备方法
    一种计算内存硬件系统及其制备方法_苏州市华芯云睿微电子科技有限公司_202610100866.2
    本发明公开了一种计算内存硬件系统及其制备方法，包括封装于同一硅衬底上且互连的阵列单元和外围电路；所述阵列单元包括硅基选择器阵列及设置于所述硅基选择器阵列上的忆阻层；所述忆阻层包括依次设置于所述硅基选择器阵列表面的下电极、二维原子晶体薄膜和上...
    2026-05-01
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202411482518.3
    一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括若干有源区；在各所述有源区上形成若干二极管单元；采用自对准硅化工艺在所述有源区表面形成字线层，所述二极管单元位于所述字线层表面。首先，所述字线层的阻值较小，电子流通速度快，选通...
    2026-05-01
  • 铁电随机存取存储器及其制造方法
    铁电随机存取存储器及其制造方法_苏州实验室_202610385905.8
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种铁电随机存取存储器及其制造方法。该存储器包括：衬底和多个存储单元；衬底具有第一端面；多个存储单元在第一端面上呈阵列排布；每个存储单元包含一个晶体管和一个电容器；晶体管包括第一源漏区、第二源漏区、沟道区、...
    2026-05-01
  • 铁电存储器装置
    铁电存储器装置_三星电子株式会社_202511103548.3
    提供一种铁电存储器装置。所述铁电存储器装置包括：基底；以及多个电容器，堆叠在基底上。所述多个电容器中的每个包括：第一电极；铁电层，在第一电极上；以及第二电极，在铁电层上，并且第一电极包括平坦部分和平坦部分上的上突起。平坦部分在与基底的上表面...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411490305.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、支撑结构和栅线隔离结构。支撑结构沿第一方向贯穿堆叠结构。栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构且沿第二方向延伸。栅线隔离结构与支撑结构接触。第一方向与第二方向相交。
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411479762.4
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向在堆叠结构中延伸。电容介质层环绕第一电极层。堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的介质层和第二电极层。多个第二电极层相连接。多...
    2026-05-01
  • 一种非挥发性存储器及其制备方法
    一种非挥发性存储器及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610086594.5
    本发明的技术方案提供了一种非挥发性存储器及其制备方法，包括衬底、浮动栅结构、分离栅结构、源区以及漏区。通过设计所述源区和所述浮动栅结构的底面存在交叉区域，因此作用于源区的高压会对浮动栅极产生耦合效应，提高浮动栅结构的电势，以形成从浮动栅结构...
    2026-05-01
  • 制造半导体存储器装置的方法
    制造半导体存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510687722.7
    一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：形成穿过具有交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构的至少一部分的孔；沿着孔依次形成阻挡绝缘层、电荷捕获层和隧道绝缘层；沿着隧道绝缘层形成初步沟道层；通过将初步沟道层的暴露内壁氧化来形成牺牲层...
    2026-05-01
  • 存储器及存储器的制备方法
    存储器及存储器的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610377306.1
    本公开提供了一种存储器及存储器的制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器包括：衬底；存储阵列，包括位于衬底第一中心区的第一存储阵列和位于衬底第二中心区的第二存储阵列；选择器，包括位于衬底边缘区的第一选择晶体管和第二选择晶体管，第一选择晶体管的...
    2026-05-01
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202511509030.X
    公开了半导体器件和数据存储系统。根据本公开的示例实施方式的一种半导体器件包括：栅电极，在第一方向上彼此间隔开并堆叠；沟道结构，延伸穿过栅电极并在第一方向上延伸；以及接触插塞，在第一方向上延伸并分别电连接到栅电极，接触插塞中的至少部分接触插塞...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411488301.3
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件的制备方法包括：形成第一初始堆叠结构和第二初始堆叠结构，其中，所述第一初始堆叠结构和所述第二初始堆叠结构均包括叠设的半导体薄膜以及键合薄膜；将一个所述第一初始堆叠结构和一个所述第二初始堆叠结构...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411474379.X
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。半导体器件包括：形成有外围电路的第一半导体结构，第一半导体结构包括：衬底、第一电介质堆叠层、第二电介质堆叠层及导电柱；其中，衬底具有相对设置的第一面和第二面，第一面处形成有第一器件结构；第...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411472526.X
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括基底以及多个存储单元，所述存储单元包括至少一个晶体管和至少一个电容器，沿垂直于基底方向，电容器位于晶体管与基底之间；电容器包括第一极板、第二极板以及位于第一极板与第二极板之间的电介质层；第...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_兆易创新科技集团股份有限公司_202411497406.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，该半导体器件包括衬底、第一器件结构和第一屏蔽结构。第一器件结构设置在所述衬底上，所述第一器件结构包括锁存结构，所述第一器件结构在所述衬底上具有第一正投影。所述第一屏蔽结构的至少一部分设置在所...
    2026-05-01
  • 一种针对小尺寸产品排序的加工工艺
    一种针对小尺寸产品排序的加工工艺_深圳市中软信达电子有限公司_202610380154.0
    本发明公开了一种针对小尺寸产品排序的加工工艺，包括采用排版软件进行产品阵列排版设计，依据产品外形和装配方向生成排版板布局，并标注定位基准点；基于排版板布局排布产品于母板件上，并贴覆定制粘性的承载膜，进行膜预处理和视觉校准，形成带承载膜的中间...
    2026-05-01
  • 电磁防护组件及终端设备
    电磁防护组件及终端设备_北京小米移动软件有限公司_202411490380.1
    本申请提供了一种电磁防护组件及终端设备，属于电子技术领域领域。电磁防护组件包括：受扰体、屏蔽结构和干扰源；受扰体和屏蔽结构分别位于干扰源沿第一方向的同一侧；屏蔽结构包括屏蔽部分和引流部分；引流部分和屏蔽部分并列布置，引流部分用于将干扰源产生...
    2026-05-01
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