Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于大功率器件的双面散热器
    用于大功率器件的双面散热器_苏州毫厘电子技术股份有限公司_202610019804.9
    本发明提供一种用于大功率器件的双面散热器，双面散热器包括：进液孔和出液孔；上部通道，上部通道的进液端连通进液孔；下部通道，下部通道位于上部通道的下方，且其出液端连通出液孔，上部通道和下部通道均能够对大功率器件进行散热；转接通道，转接通道包括...
    2026-04-30
  • 一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法
    一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610009285.8
    本发明公开了一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法，属于半导体封装技术领域，该方法先采用CoWoS‑TIV制程制备含高深宽比微通道结构及第一键合件的芯片封装结构，再制备含歧管结构及第二键合件的芯片封装盖板结构，二者键合形成含微流道系统的密封...
    2026-04-30
  • 一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件
    一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件_许继电气股份有限公司_202512012239.1
    本发明提供了一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件，属于半导体器件散热技术领域。复合式散热器包括基板，基板内部设有冷却液流道，基板表层设有相变工质流道；相变工质的沸点大于功率半导体器件稳态工况下基板表层的温度，且小于功率半导体...
    2026-04-30
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_上海艾为微电子技术有限公司_202610116165.8
    本申请公开一种芯片封装结构和电子设备；芯片封装结构包括：芯片、引线框架、第一导热引线和封装层；芯片与引线框架电连接；芯片的至少部分表面被封装层包覆；第一导热引线的至少部分位于封装层内，且第一导热引线的第一端与引线框架连接，第一导热引线的第二...
    2026-04-30
  • 一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺
    一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺_江苏荧磁半导体有限公司_202610096344.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种集成电路芯片封装结构，包括基座与环氧树脂，基座上方设有芯片，芯片两侧设有多组用于为芯片提供工作电压的引脚，基座与引脚之间设有用于固定芯片的粘接层，芯片上方设有多组用于散热的翅片，翅片下方设有用于传导热...
    2026-04-30
  • 一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法
    一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法_武汉理工大学_202610004766.X
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于硅基碳化硅中介层的CoWoS封装结构及其制备方法，硅基碳化硅中介层包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底双面经抛光处理且其中一面外延生长有3C‑SiC散热层，在单晶硅衬底上布满硅通孔。本发明的CoWoS...
    2026-04-30
  • 一种高效散热的HPD功率模块
    一种高效散热的HPD功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511929210.3
    本发明涉及功率模块技术领域，特别涉及一种高效散热的HPD功率模块。所述高效散热的HPD功率模块包括散热组件，模块组件，以及外壳。所述散热组件包括第一底板，第二底板，第三底板，散热基板，以及散热翅片。所述第二底板设置有进液流道和出液流道，所述...
    2026-04-30
  • 一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构
    一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构_北京卫星制造厂有限公司_202511849549.2
    本发明公开一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构，GaN器件通过焊点与陶瓷基板电气互连，GaN器件与陶瓷基板间的电气互连采用纳米金属材料烧结工艺；GaN器件底部电极之间烧结柔性绝缘覆铜板，柔性绝缘覆铜板位于GaN器件和陶瓷基板之间；...
    2026-04-30
  • 半导体封装
    半导体封装_联发科技股份有限公司_202511488243.9
    本发明公开一种半导体封装，包括：基板；晶粒，安装于该基板上；以及模塑化合物，设置于该基板上并围绕该晶粒，其中该模塑化合物包括顶表面及低于该顶表面的第一上表面，其中该晶粒从该模塑化合物中暴露，且该模塑化合物的该第一上表面与该晶粒的顶表面齐平。...
    2026-04-30
  • 一种半导体器件及半导体器件制备方法
    一种半导体器件及半导体器件制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202610076426.8
    本申请提供了一种半导体器件及半导体器件制备方法，该半导体器件通过设置第一表面区域与漏极靠向导电层的第一接触面连接，且覆盖全部第一接触面，设置第二表面区域与漏极焊盘靠向导电层的第二接触面连接，且覆盖全部第二接触面，能够最大限度提高漏极与漏极焊...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202610030607.7
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：封装组件，具有相对的第一表面和第二表面，封装组件包括位于第一表面的第一引脚和第二引脚；半导体开关元件，埋设于封装组件内，半导体开关元件具有朝向第一表面的第三表面，以及朝向第...
    2026-04-30
  • 一种复合衬底多芯片的液冷散热系统
    一种复合衬底多芯片的液冷散热系统_曙光数据基础设施创新技术(北京)股份有限公司_202512043718.X
    本申请涉及一种复合衬底多芯片的液冷散热系统，所述系统包括复合衬底的多芯片散热封装装置、第一供回液模块、回液支路、换热模块、驱动模块、供液支路以及第二供回液模块依此连通所形成的冷却循环回路；其中，所述复合衬底的多芯片散热封装装置，包括有复合衬...
    2026-04-30
  • 一种异质芯片封装方法和结构
    一种异质芯片封装方法和结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511790941.4
    本发明涉及异质芯片封装方法和结构技术领域，具体为一种异质芯片封装方法和结构，包括：基板，基板的顶部开设有两组焊接槽，焊接槽中分别焊接有第一芯片与第二芯片，第一芯片与第二芯片的顶部的两侧分别焊接有第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片；有益效...
    2026-04-30
  • 一种铜互连结构及其制造方法
    一种铜互连结构及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202411443881.4
    本申请提供了一种易于与大尺寸金属丝形成良好电连接性能焊点的用于集成电路芯片中的铜互连结构。该铜互连结构包括铜表面，金属阻挡层和可焊接金属层。所述铜互连结构包括在所述金属阻挡层上形成的厚度范围在0.03微米至0.05微米之间的可焊接金属层。
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511504449.6
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板、在基板上的半导体芯片、以及在基板和半导体芯片之间的接合层，其中接合层包括过渡金属、具有比过渡金属的熔点低的熔点的低熔点金属、贵金属以及其合金，在第一方向上，接合层中的贵金属的百分比在接合层的中心部...
    2026-04-30
  • 金属互连层及其制备方法
    金属互连层及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610371023.6
    本申请涉及一种金属互连层及其制备方法，包括：提供一衬底；于衬底上沿平行于第一表面的第一方向交替排布的介质叠层及初始金属导线；初始金属导线的侧壁上包括凸出部，凸出部沿第一方向嵌入介质叠层内；刻蚀介质叠层，于相邻初始金属导线之间形成凹槽后，形成...
    2026-04-30
  • 一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法
    一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610013172.5
    本发明提供一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法，执行以下步骤：S1.提供一SOI衬底，SOI衬底包括底硅层、埋氧层及顶硅层，顶硅层的厚度小于150μm；S2.利用刻蚀工艺，在顶硅层中形成贯穿的硅通孔；S3.在顶硅层表面及硅通孔的侧...
    2026-04-30
  • SOI衬底结构及其制备方法
    SOI衬底结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610159676.8
    本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法, 该结构包括从下至上堆叠的底硅层、埋氧层和顶硅层, 且在距离底硅层上表面的第一深度处形成氮离子的第一浓度峰值区, 以在底硅层内形成第一O‑N‑O电子束缚结构; 和/或在距离埋氧层下表面的第二深度处...
    2026-04-30
  • 一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法
    一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202610023766.4
    本发明提供一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法，包括第一衬底，第一埋氧层设置在所述第一衬底上，氮化硅中间层设置在所述第一埋氧层上，第二埋氧层设置在所述氮化硅中间层上，第二衬底设置在所述第二埋氧层上。本发明的有益效果是通过在第一埋氧层与第二埋氧层之...
    2026-04-30
  • 一种可调节的硅片粗糙度的制备方法
    一种可调节的硅片粗糙度的制备方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020706.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种可调节的硅片粗糙度的制备方法，包括：对于低haze需求的硅片，在≤750℃的惰性气氛下退火，保持硅片表面光滑；对于高haze需求的硅片：在1000–1300℃温度和氢气气氛下热处理，通过调节温度、氢气...
    2026-04-30
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证