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最新专利技术
  • 一种板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法
    一种板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法_深圳中科四合科技有限公司_202610015465.7
    本发明公开了一种用于垂直结构芯片和倒装芯片板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法，先根据设计要求参数制作底层互联线路层、底层焊盘和屏蔽罩结构的隔断围坝底端外接地点，再制作隔断围坝和实现垂直互联的铜柱，固定贴装塑封芯片后，再逐层增层依次制作垂直互...
    2026-04-18
  • 一种化合物半导体封装方法及结构
    一种化合物半导体封装方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511991576.3
    本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种化合物半导体封装方法及结构。包括：首先将芯片背面共晶金属块备用，然后在临时载板上生长高铜柱，并将贴有金属块的芯片正装在玻璃载板上并进行塑封；接下来通过研磨露出芯片正面pad和铜柱并进行再布线制作，...
    2026-04-18
  • 一种集成电路封装方法
    一种集成电路封装方法_浙江国芯半导体科技有限公司_202511947811.7
    本申请公开一种集成电路封装方法，包括步骤1、构建热膨胀渐变缓冲层，在芯片与再布线层之间设置热膨胀系数逐级变化的缓冲过渡层，使不同材料之间的热形变实现平滑过渡，从而降低因热膨胀不匹配导致的界面应力集中；步骤2、引入柔性应力吸收层，在芯片与再布...
    2026-04-18
  • 射频键合接地垫片及其制备方法
    射频键合接地垫片及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512028945.5
    本发明提供一种射频键合接地垫片及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。该射频键合接地垫片，接地垫片包括衬底、第一种子层、第二种子层和焊盘层；第一种子层和第二种子层分别布设在衬底的上下表面；焊盘层布设在第一种子层的表面；焊盘层用于与待封装的芯片管...
    2026-04-18
  • 一种基岛结构及QFN多芯合封芯片
    一种基岛结构及QFN多芯合封芯片_南京矽邦半导体有限公司_202610039744.7
    本申请涉及一种基岛结构，属于芯片制造技术领域，其包括基层，基层上设置有若干芯片安装层，若干芯片安装层之间留有预设间距，预设间距能够降低相邻芯片安装层之间的电磁耦合；芯片安装安装层包括芯片安装部和引线连接部，芯片安装部与引线连接部连接；预设间...
    2026-04-18
  • 高频芯片异构集成电路及其制备方法
    高频芯片异构集成电路及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512030937.4
    本发明提供一种高频芯片异构集成电路及其制备方法，涉及半导体技术领域。该高频芯片异构集成电路包括：多个芯片、多孔导体和基板；多个芯片的类型至少为两种；多个芯片采用平面化互联形式，通过多孔导体连接到基板的焊盘上。本发明对各个芯片采用平面化互联形...
    2026-04-18
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_硅谷数模(上海)半导体有限公司_202511757278.8
    本发明提供了一种芯片封装结构，包括多个芯片，多个芯片中的至少部分层叠设置在基板上，各个芯片的至少部分设置有多个芯片连接凸块，相邻的两个芯片之间通过多个芯片连接凸块互联，相对靠近基板的芯片通过基板连接凸块与基板互联；其中，芯片封装结构还包括塑...
    2026-04-18
  • 一种微波多芯片共晶限位装置及微波多芯片共晶方法
    一种微波多芯片共晶限位装置及微波多芯片共晶方法_成都九洲迪飞科技有限责任公司_202610015835.7
    本发明涉及多芯片共晶的领域，公开了一种微波多芯片共晶限位装置及方法，包括底板、至少一个压块和至少一个配重块，所述底板上设置有至少一个用于容置对应的定位载板的定位区域；所述压块上设置有定位部，所述定位部与所述底板定位配合，所述压块底部设置有施...
    2026-04-18
  • 一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置
    一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置_中国机械总院集团郑州机械研究所有限公司_202511946784.1
    本发明涉及电子封装用材料技术领域，具体而言，涉及一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置。制备方法包括以下步骤：S1. 取铜线坯，匀速从含有纳米银粉的银浆中穿过，然后进行烧结固化和拉拔定径，得到表面镀覆有银层的第一铜线；S2. 使第一铜线匀...
    2026-04-18
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910063.5
    本发明提供封装结构及其制造方法。封装结构包括衬底、中介结构、第一半导体结构和第二半导体结构。衬底包括封装基板单元和覆盖封装基板单元侧壁的绝缘材料。中介结构设置在衬底上。中介结构包括导电柱和侧向包覆导电柱的包封材料。第一半导体结构设置在衬底上...
    2026-04-18
  • 一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法
    一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511990748.5
    本发明公开了一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法，属于电子器件转接板制作领域。基板包括微晶玻璃板基材和垂直贯穿其上下平面的通孔，通孔中形成金属化导电结构。制备方法包括：采用CO2脉冲激光对微晶玻璃薄板选定区域进行辐照改性致使薄板中微...
    2026-04-18
  • 用于射频设备的层压基板
    用于射频设备的层压基板_意法半导体国际公司_202511434516.1
    本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频应用的层压基板，包括：其中形成有第一槽的第一金属层，以及传输线，传输线穿透到第一槽中；第二金属层，包括第二槽；第三金属层，包括第三槽；第四金属层，包括第四槽；介质层，被布置在每个金属层之间；第二...
    2026-04-18
  • 基于一体化绝缘金属基板的功率模块低感均热布局方法
    基于一体化绝缘金属基板的功率模块低感均热布局方法_河北工业大学_202610029402.7
    本发明涉及半导体封装以及功率模块技术领域，具体公开了一种基于一体化绝缘金属基板的功率模块低感均热布局方法。该方法通过融合单元式交错布局与负互感耦合机制，在绝缘金属基板上配置多个隔离的上铜层，将IGBT芯片和二极管芯片以交错方式布置，并通过键...
    2026-04-18
  • 悬挂式多芯片硅桥直连结构与制备方法
    悬挂式多芯片硅桥直连结构与制备方法_清华大学_202511754773.3
    本发明提供了一种悬挂式多芯片硅桥直连结构与制备方法，结构包括：一个有机基板，其正面设置有植球开窗和凸点开窗；至少一个硅桥芯片，其背面通过微凸台加焊锡帽结构与所述有机基板的凸点开窗相连接，其正面设置有用于连接功能芯片的微凸台；至少一个功能芯片...
    2026-04-18
  • 半桥单元、相模块、功率模块、双电控模块及交通设备
    半桥单元、相模块、功率模块、双电控模块及交通设备_比亚迪股份有限公司_202511067905.5
    本申请提供一种半桥单元、相模块、功率模块、双电控模块及交通设备。半桥单元，包括：底层基板与上层基板；其中，所述上层基板叠层设置在所述底层基板的上表面；所述底层基板的上表面设置有多个导电区域，所述多个导电区域位于所述上层基板在所述底层基板的投...
    2026-04-18
  • 一种单面卷对卷超小开窗FCOB封装载板生产工艺控制系统
    一种单面卷对卷超小开窗FCOB封装载板生产工艺控制系统_江西省鑫聚能科技有限公司_202411334390.6
    本发明公开了一种单面卷对卷超小开窗FCOB封装载板，其中单面卷对卷超小开窗FCOB封装载板包括：白油层，铜层，粘接胶层，纳米复合材料层，其中白油层将原料中的有机溶剂替换成深共晶溶剂，并使用聚酰亚胺和碳化硅的纳米复合材料代替原来的P I层，不...
    2026-04-18
  • 封装结构、电子设备、以及封装方法
    封装结构、电子设备、以及封装方法_长电科技管理有限公司_202610007347.1
    一种封装结构、电子设备、以及封装方法，封装结构包括：绝缘基板，绝缘基板包括绝缘层，以及位于绝缘层上图形化的第一金属层；芯片，键合于部分的第一金属层上，芯片包括相背设置的芯片正面和芯片背面，芯片正面朝向第一金属层一侧；多个引脚，其中一个引脚的...
    2026-04-18
  • 一种减少在温度和功率循环考核中封装塑封料隐裂的框架
    一种减少在温度和功率循环考核中封装塑封料隐裂的框架_龙腾半导体股份有限公司_202512010746.1
    本发明公开了一种减少在温度和功率循环考核中封装塑封料隐裂的框架，属于半导体器件封装技术领域，包括：框架；框架的至少一个侧面设置有弯曲结构；弯曲结构从框架的顶部延伸至底部，用于增加框架与塑封料之间的咬合面积，以分散温度循环或功率循环中产生的机...
    2026-04-18
  • 一种用于W波段空气腔封装结构
    一种用于W波段空气腔封装结构_东南大学_202511975394.7
    本发明公开了一种用于W波段空气腔封装结构，该封装结构包括：芯片、封装基板以及塑封壳体。封装基板包括用于传输信号的4层金属层、用作参考地的4层金属层以及基板介质层。在所述的用于传输信号的基板位置下方将基板的金属地挖空，加大基板顶层传输结构与正...
    2026-04-18
  • 功率半导体器件封装结构及其制备方法
    功率半导体器件封装结构及其制备方法_上海林众电子科技有限公司_202610283233.X
    本发明提供一种功率半导体器件封装结构及其制备方法，通过塑封层包裹芯片，金属片连接芯片正面电极，并通过金属层及金属板实现多芯片并联，达到了增大埋嵌工艺中压合、镭射钻孔的工艺窗口范围、降低不良率、减少芯片压裂风险的效果，并且通过将单芯片小面积的...
    2026-04-18
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