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最新专利技术
  • 一种低寄生电容触发电压和维持电压可调型的双向SCR结构
    一种低寄生电容触发电压和维持电压可调型的双向SCR结构_电子科技大学_202511974221.3
    本发明为集成电路(Integrated Circuits，简称IC)的静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护器件设计领域，针对低压触发可控硅整流器(Low Voltage Triggered Silico...
    2026-05-01
  • 基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法
    基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法_上海晶岳电子有限公司_202610081449.8
    本发明公开了基于LDPMOS、Trench NMOS工艺的TVS器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，该方案通过改进并融合LDPMOS与Trench NMOS工艺，在同一芯片上同步集成LDPMOS、Trench NMOS和TVS，并利用...
    2026-05-01
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610080972.9
    本申请涉及一种背接触电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触电池包括基底、第一掺杂层、第二掺杂层和导电层。基底包括背光面，背光面包括第一区域和第二区域，第二区域邻近第一区域的边部设有交叠区；第一掺杂层设置于第一区域及交叠区，第一掺杂层与基底...
    2026-05-01
  • 背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610113686.8
    本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。所述硅基底的背面设置有第一电极区和第二电极区，且所述第一电极区和第二电极区呈叉指状交错设置；其中，所述第一电极区包括第一选择性发射极区和第一非选择性发射极区；其...
    2026-05-01
  • 背接触电池、叠层电池及光伏组件
    背接触电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610115702.7
    本公开涉及光伏领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，至少可以改善热斑效应，并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面，第一面包括沿第一方向交替分布...
    2026-05-01
  • 一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法
    一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511962340.7
    本发明提供一种基于锗衬底的三结砷化镓太阳电池及制备方法，沿太阳电池的厚度方向依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、多个周期结构晶格渐变缓冲层、周期结构过冲层、Ga1‑hInhAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)...
    2026-05-01
  • 一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法
    一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511962344.5
    本发明提供一种锗基四结量子阱太阳电池及制备方法，沿太阳电池的厚度方向依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、晶格渐变缓冲层、过冲层、Ga1‑cIncAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑gIngAs子电池、第三...
    2026-05-01
  • 一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法
    一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法_扬州大学_202610085474.3
    本发明公开了一种抗辐照的超薄p型晶硅电池及其制备方法，属于光伏器件制造技术领域。该电池包括厚度为60~80 μm的镓掺杂p型硅衬底，以及依次设于其正反面的功能层与电极。电池背面设有由超薄隧穿氧化层、载流子选择性传输层以及宽带隙介质光散射层构...
    2026-05-01
  • 背接触电池及其制作方法、光伏组件
    背接触电池及其制作方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610343271.X
    本申请涉及一种背接触电池及其制作方法、光伏组件。背接触电池包括：基底，基底包括相对设置的第一面和第二面，以及连接第一面和第二面的侧表面；第一面设有交替设置的第一区和第二区，第一区与第二区的导电类型不同；第一区包括远离基底依次设置的隧穿层、第...
    2026-05-01
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610369642.1
    本申请涉及背接触电池技术领域，特别是涉及背接触电池及光伏组件。在本申请实施例中，通过调整第一钝化接触层沿第一区和第二区的排布方向的尺寸、位于第二区上的第二钝化接触层沿第一区和第二区的排布方向的尺寸，以及利用第一钝化接触层沿第一区和第二区的排...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件
    一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件_昆山协鑫光电材料有限公司_202610369536.3
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件，太阳能电池包括：基板；以及电池层，电池层位于基板的一侧；电池层包括：多个线槽组，多个线槽组将电池层划分为多个串联的子电池，多个线槽组中的线槽沿第一方向延伸，沿第二方向间隔设置；第一方向与...
    2026-05-01
  • 一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法
    一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512029940.4
    本发明提供一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法，用于太阳电池技术领域；该组件包括柔性基膜、多个串联的太阳电池片和固定条；多个太阳电池片沿第一方向设置于柔性基膜上；太阳电池片的上方设有固定条，固定条沿垂直于第一方向的两端粘接于柔性基膜。本发明降...
    2026-05-01
  • 一种双面光伏组件及其制备方法
    一种双面光伏组件及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202610035799.0
    本发明涉及光伏领域，具体而言，涉及一种双面光伏组件及其制备方法。所述的双面光伏组件，包括自上而下依次层叠设置的前板玻璃、封装层、太阳能电池片、封装层和玻璃背板；所述玻璃背板在380~1100nm波长范围内的平均透光率不低于90%；所述封装层...
    2026-05-01
  • 一种太阳能光伏组件边框及其制备方法
    一种太阳能光伏组件边框及其制备方法_滁州瑞达新能源材料有限公司_202610076057.2
    本发明公开了一种太阳能光伏组件边框及其制备方法，属于光伏框架技术领域。本发明边框外侧为单层玻璃纤维毡，内里为纤维束，所述玻璃纤维束的轴向与边框的长度方向一致；通过将纤维毡包裹的纤维束和树脂混合后成型固化获得，边框密度为2.0‑4.5g/cm...
    2026-05-01
  • 太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法
    太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法_合肥协鑫集成新能源科技有限公司_202411498656.0
    本公开涉及一种太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法，太阳能电池串包括布线构件和至少两个背接触太阳能电池，布线构件将背接触电池串联，布线构件包括导电内芯和覆在导电内芯外表面的电绝缘的有机可焊性保护层；其中，背接触太阳能电池的背...
    2026-05-01
  • 一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件
    一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件_同享(苏州)电子材料科技股份有限公司_202610092752.8
    本发明涉及新型导体材料技术领域，具体涉及一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件。该焊带包括由内至外设置的铝芯、铜层、银包铜涂层及锡基合金层。其制备方法包括提供铜包铝基材、涂覆银包铜涂层、热浸镀锡基合金等步骤。光伏组件则采用上述焊带，并...
    2026-05-01
  • 一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法
    一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法_宁波大学_202511845910.4
    本发明公开了一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法，该垂直型光电探测器包括从上到下层叠的顶电极、HZO薄膜层、底电极、绝缘层和衬底，绝缘层材料为二氧化硅，顶电极材料为ITO，底电极包括上下层叠的Pt金属层和Ti金属层；优点是能够保证底电...
    2026-05-01
  • 紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法
    紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法_国科大杭州高等研究院_202610377327.3
    本发明涉及光电子器件技术领域，公开了一种紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法，该紫磷体光伏效应光电探测器包括：衬底、紫磷活性层和两个电极，紫磷活性层设于衬底的顶面，两个电极分别与紫磷活性层欧姆接触，紫磷活性层吸收入射光，并通过体光伏效应产生...
    2026-05-01
  • 一种光电探测器及其制备方法与应用
    一种光电探测器及其制备方法与应用_深圳大学_202610022540.2
    本发明涉及光电材料技术领域，公开一种光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括依次层叠设置的基底、第一电极层、光电转换层、CdS缓冲层、ITO窗口层及第二电极层；其中，所述CdS缓冲层与ITO窗口层之间设有本征氧化锌(i‑ZnO)层。...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其形成方法、光电探测器
    一种半导体器件及其形成方法、光电探测器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411496834.6
    本申请提供了一种半导体器件及其形成方法、光电探测器，包括衬底、雪崩倍增层、光吸收层、第一电极和第二电极。所述雪崩倍增层位于所述衬底的表面，所述雪崩倍增层位于所述光吸收层和所述衬底之间。所述光吸收层内掺杂有第一型掺杂剂，所述第一型掺杂剂的浓度...
    2026-05-01
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