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最新专利技术
  • 一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面
    一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面_南京信息工程大学_202610378197.5
    本发明公开一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面，所述中红外探测阵面构建于柔性绝缘基底上，包括若干呈周期性阵列排布的像素单元，像素单元自下而上依次包括：栅极、绝缘层、源极、有源层、漏极；有源层包括依次覆盖于源极上的硒化铅薄膜、二维二硫化钼层...
    2026-05-01
  • 单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达
    单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202511983338.8
    本申请属于光器件技术领域，提供了一种单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达，至少两个SPAD单元呈阵列设置，微透镜将入射光汇聚至对应的SPAD单元上，背面金属网格连接SPAD单元与对应的外部电极，第一介质层设置于微透镜与SPAD单元之间...
    2026-05-01
  • 一种片上集成单次自相关仪及其测量方法
    一种片上集成单次自相关仪及其测量方法_西北工业大学_202610022347.9
    本发明属于脉冲特性测量技术领域，涉及一种片上集成单次自相关仪及其测量方法。该自相关仪包括SOI基底，在SOI基底上刻蚀形成光子晶体波导，在光子晶体波导上依次设置绝缘层、硒化铟层及铬金电极阵列；光子晶体波导由中间区域的直波导区域和两侧的光子晶...
    2026-05-01
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511434165.4
    提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素区域，包括基底中的第一光电转换区域(PD)；第二像素区域，包括基底中的第二光电转换区域(PD)；PD分离图案，在第一PD与第二PD之间；传输栅极...
    2026-05-01
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511883056.0
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，所述平板探测器包括闪烁体层、微囊体层和图像传感器层，所述闪烁体层用于将X射线转化为可见光；所述微囊体层设置在闪烁体层下，用于吸收部分可见光；所述图像传感器层设置在所述微囊体层下，用于接收通过所述微...
    2026-05-01
  • 可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法
    可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法_上海叠铖光电科技有限公司_202411465624.0
    本发明公开了可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法，包括可见光晶圆和红外晶圆，以及可见光晶圆和红外晶圆之间的深腔框架晶圆；可见光晶圆包含若干可透过红外光谱的可见光芯片；深腔框架晶圆包含若干深腔框架芯片；每一深腔框架芯片均为中空围...
    2026-05-01
  • 一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法
    一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法_丁水德_202310474785.5
    本发明涉及太阳能光伏板检测技术领域，且公开了一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法。本发明包括箱体，输送机构和上料机构，箱体包括运输仓和上料仓，运输仓上方设置有探灯和显示器，运输仓内设置有内齿导轨，运输仓设置在底板上方，上料仓设置在底板...
    2026-05-01
  • 一种改善TOPCon电池Poly硅绕镀的背面抛光方法
    一种改善TOPCon电池Poly硅绕镀的背面抛光方法_赛勒斯新能源科技(苏州)有限公司_202310536595.1
    本发明公开了一种改善TOPCon电池Poly硅绕镀的背面抛光方法，包括如下步骤：去除扩散后硅片背面和侧边的硼硅玻璃；水洗；风刀吹干；装入碱抛专用花篮，进入碱抛机台内预处理；水洗；碱抛；水洗；碱洗；水洗；酸洗；水洗；使用慢提的方式对硅片进行预...
    2026-05-01
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202510013343.X
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中，光电二极管的制造方法包含以下步骤：提供晶圆，所述晶圆具有多个光电二极管结构；在晶圆上贴附保护膜；切割保护膜和晶圆，使保护膜和晶圆上形成多个切割道以分离多个光电二极管结构中的每个；在保护膜上涂布遮光...
    2026-05-01
  • 一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法
    一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法_绍芯实验室_202511851748.7
    本申请涉及一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法，主要步骤包括：调配高粘度刻蚀液、对薄膜进行溶剂预润湿、进行扩散限制刻蚀、以及使用低表面张力溶剂终止反应并清洗薄膜，通过调配高粘度刻蚀液，采用乙二醇或丙二醇作为基础溶剂，并将氢溴酸(HBr)和双...
    2026-05-01
  • 镀膜扩散制备方法以及管式设备
    镀膜扩散制备方法以及管式设备_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511902117.3
    本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别涉及镀膜扩散制备方法以及管式设备，镀膜扩散制备方法中使用第一管结构对装载于载片舟的电池片进行沉积膜层；第一输送装置将第一管结构内的装载电池片的载片舟移送至第二管结构内；使用第二管结构对电池片进行扩散掺杂。由...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池的串联方法
    一种背接触电池的串联方法_江苏海博瑞光伏科技有限公司_202511938046.2
    本发明提供了一种背接触电池的串联方法，涉及电池技术领域，包括以下步骤：S1：电池片焊盘锡膏印刷；S2：锡膏回流焊接；S3：电池片切片；S4：透明互联条牵引；S5：透明互联条激光剥线；S6：剥线处喷涂助焊剂；S7：透明互联条裁切；S8：透明互...
    2026-05-01
  • 一种硅微条探测器的封装工装及方法
    一种硅微条探测器的封装工装及方法_中国科学院紫金山天文台_202511951223.0
    本发明公开了一种硅微条探测器的封装工装及方法，属于高能物理硅微条探测器技术领域，包括模块粘贴工装和探测器压合工装；所述模块粘贴工装包括粘贴吸附底座、定位条、若干硅片定位销、PCB板定位结构和配重压块；所述粘贴吸附底座分为若干吸附区；所述定位...
    2026-05-01
  • 一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机
    一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机_松下新能源(苏州)有限公司_202511954214.7
    本申请涉及太阳能光伏电池制造领域，尤其涉及一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机。该设备通过集成化的多工位结构设计，实现从电池片精切、折叠、烫边、喷码、点胶、热冷压到检测分拣等多道工序的自动化连续处理，从而实现TOPCon电池片的...
    2026-05-01
  • 一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法
    一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法_泰州中来光电科技有限公司_202511966506.2
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法。该方法包括：采用轻掺杂工艺对晶硅硅片表面进行扩散掺杂，以在硅片上依次形成轻掺杂结构及掺杂硅玻璃；去除掺杂硅玻璃以裸露轻掺杂结构；采用波长小于或等于355nm、...
    2026-05-01
  • 一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池
    一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池_尚义县荣登新能源有限公司_202512010158.8
    本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池。本发明提供的硅片的双面制绒方法，包括如下步骤：将N型单晶硅片依次进行清洗、抛光处理、表面氧化层去除和双面高温吸杂处理，得到干净的N型单晶硅片；将所述干净的N型...
    2026-05-01
  • 一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法
    一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法_上海空间电源研究所_202512013296.1
    本发明公开了一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构的制备方法，包括：在n‑InP衬底上依次外延生长n‑InP缓冲层、m层n‑InAsxPy缓冲层、组分过冲层和晶格硬化层；m层n‑InAsxPy缓冲层中，m=4~8，x=0.1~0.6，y=0.4~...
    2026-05-01
  • 一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法
    一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202610000747.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法，制备方法包括以下步骤：1)制备硅基InP薄膜；2)在硅基InP薄膜上通过MOCVD外延生长正向两结太阳能电池；3)在GaAs衬底上通过MOCVD外延生...
    2026-05-01
  • 基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法
    基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法_上海隆宇芯航能源科技有限公司_202610009744.2
    本发明涉及半导体光电器件制造技术领域，公开了一种基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法。该方法核心在于：采用沿[111]晶向10‑15°大角度斜切的Ge(001)衬底作为模板，直接化学气相沉积生长单...
    2026-05-01
  • 一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法
    一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法_西安科技大学_202610014348.9
    本发明公开了一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法。本发明先制备ZnO种子层，再通过水热法制备ZnO纳米线阵列；然后利用溶胶‑凝胶法结合退火处理在ZnO纳米线表面修饰In2O3纳米颗粒和致密包覆的CuO纳米颗粒，制...
    2026-05-01
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