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最新专利技术
  • 一种电池串串连方法
    一种电池串串连方法_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202511799395.0
    本发明公开了一种电池串串连方法，涉及电池串生产技术领域，包括：电池组预制工序和应用电池组叠设为电池串的叠串工序，预制工序中将电池片和若干间隔排布焊带使用第一胶膜固定连接为电池组，焊带中的第一连段被第一胶膜覆盖固连在电池片第一表面，焊带中的第...
    2026-05-01
  • 电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统
    电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202411434236.6
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统，该电极制备设备包括：电池片；信息收集装置，所述信息收集装置与所述电池片之间有相对运动；和电极制备装置，被配置为在所述电池片上进行电极的制备，本申请通过信息收...
    2026-05-01
  • 光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法
    光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202410101737.6
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法、N‑TOPCON电池片的制备方法，属于光伏组件技术领域，在N型硅片背面依次沉积氧化硅隧穿层、第一掺杂磷的N+POLY硅层、第二氧化硅层和第二掺杂磷的N+POLY硅层；对背表面进行无氧高温晶化，得到叠层N...
    2026-05-01
  • 一种太阳能无机储能材料及其制备方法
    一种太阳能无机储能材料及其制备方法_梁展慧_202311219400.7
    本发明涉及储能材料，更具体的说是一种太阳能无机储能材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：将安装框装夹在多个装夹板之间；步骤二：驱动切割刀具转动，切割刀具对安装框的侧边进行切割形成安装槽；步骤三：安装框转动，切割刀具对安装框的四周进行...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池片及其制造方法
    一种太阳能电池片及其制造方法_梁海霞_202311219233.6
    本发明涉及太阳能电池片制造领域，特别是一种太阳能电池片及其制造方法；包括以下步骤：在太阳能电池片的下端安装矩形定位板；将装有矩形定位板的太阳能电池片放置在制造装置中，通过制造装置对太阳能电池片进行运输；利用太阳能电池片下端的定位板使其卡入制...
    2026-05-01
  • 用于成像装置的对数响应像素
    用于成像装置的对数响应像素_意法半导体国际公司_202511526821.3
    本公开涉及用于成像装置的对数响应像素。更具体而言，涉及一种对数响应像素，包括感光电路元件以及至少一个二极管连接的双极结型晶体管。该至少一个二极管连接的双极结型晶体管具有耦合到至少一个二极管连接的双极结型晶体管的第一导电节点的基极。至少一个二...
    2026-05-01
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511000581.3
    公开了一种图像感测装置。在实施方式中，图像感测装置包括：基板，该基板包括像素区域和位于像素区域外部的外围区域，外围区域包括焊盘区和位于像素区域和焊盘区之间并包括多个突起和多个凹部的第一粘附增强结构；多个第一基板隔离结构，多个第一基板隔离结构...
    2026-05-01
  • 图像传感器及图像传感器的制造方法
    图像传感器及图像传感器的制造方法_豪威科技股份有限公司_202510623943.8
    本发明提供一种图像传感器及图像传感器的制造方法，所述图像传感器包括半导体衬底、光电转换区、半导体突出部分、浮动扩散区和转移栅极。光电转换区形成在半导体衬底中，光电转换区根据入射光而产生电荷。半导体突出部分从半导体衬底突出并向上延伸到光电转换...
    2026-05-01
  • 图像传感器和包括图像传感器的电子装置
    图像传感器和包括图像传感器的电子装置_三星电子株式会社_202511493115.3
    提供了图像传感器和包括图像传感器的电子装置。该图像传感器包括传感器基板和纳米光学透镜阵列，传感器基板包括包含多个连续布置的第一像素的第一像素组、包含多个连续布置的第二像素的第二像素组、包含多个连续布置的第三像素的第三像素组、以及包含多个连续...
    2026-05-01
  • 一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法
    一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法_格科半导体(上海)有限公司_202411489623.X
    本发明公开了一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法，包含：步骤1，提供一晶圆，所述晶圆包含金属互连层；步骤2，在所述晶圆表面沉积一介质层，所述介质层至少包含Si元素、N元素，所述介质层能与含O活性粒子反应形成SiOxNy；步骤3，通入含...
    2026-05-01
  • 一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法
    一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法_格科半导体(上海)有限公司_202610070374.3
    一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法，在晶圆的正面制备图像传感器以形成器件晶圆，提供载体晶圆准备与器件晶圆键合，在器件晶圆的顶面生长第一介质层，沉积第一介质层时提供的射频功率大于1300W，在第一介质层的顶面上生长第二介质层，将第...
    2026-05-01
  • 硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法
    硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610056728.9
    本发明公开了一种硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法：1)制备光子引擎，集成光/电集成电路并通过铜针垂直互连，光输入端设透镜耦合器；2)将CIS芯片通过微凸块倒装于第一RDL层，感光区镂空，采用TIV技术形成内嵌第一铜柱的垂直互连通道，...
    2026-05-01
  • 一种探测器及其制备方法
    一种探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511891890.4
    本发明属于半导体探测器技术领域，具体涉及一种探测器及其制备方法。解决了现有探测器集成结构晶圆面积利用率低、电路与探测器之间串扰噪声高，以及热阻高、需开发传感器和读出电路的异质集成工艺等问题。一种探测器，包括：衬底；读出电路层：设置于所述衬底...
    2026-05-01
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511519428.1
    一种图像传感器包括：衬底，其包括像素阵列区以及设置在像素阵列区的一侧的光学黑区，并具有彼此相对的第一表面和第二表面，第二表面为光入射表面；设置在衬底的第二表面上并与光学黑区重叠的阻挡图案；设置在阻挡图案上的滤光图案；以及覆盖阻挡图案和滤光图...
    2026-05-01
  • 一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用_深圳大学_202610088682.9
    本发明属于光电探测技术领域，公开了一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器包括：衬底、栅极介质层、双极性WSe2层、漏极、NbS3层和源极；栅极介质层覆盖在衬底的上表面；双极性WSe2层覆盖在栅极介质层的...
    2026-05-01
  • 一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法
    一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法_香港理工大学深圳研究院_202411490193.3
    本发明属于光电探测器领域，公开一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器自下而上依次包括衬底，六方氮化硼层，底层二维半导体，顶层二维半导体以及覆盖在底层二维半导体和顶层二维半导体不重叠两端的源极和漏极；底层二维半导体位于六方...
    2026-05-01
  • 一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511828404.4
    本发明属于光电子器件技术领域，公开了一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用，所述双向偏振敏感光电探测器是在SiO2/Si衬底上堆叠ReSe2纳米片/石墨烯/WSe2纳米片的范德瓦尔斯三明治异质结，在上述异质...
    2026-05-01
  • 一种可见-红外图像融合的探测器结构及其制备方法
    一种可见-红外图像融合的探测器结构及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202610121774.2
    本发明公开了一种可见‑红外图像融合的探测器结构及其制备方法，其中探测器结构自下而上为衬底、可见光吸收层、红外光吸收层、金属电极层以及保护层。该结构单片集成了可见光探测器和红外探测器。利用二维半导体原子层层数的自掺杂效应，通过调控原子层层数(...
    2026-05-01
  • 具有STI结构的单光子雪崩二极管
    具有STI结构的单光子雪崩二极管_新加坡商格罗方德半导体私人有限公司_202511362289.6
    本发明涉及具有STI结构的单光子雪崩二极管，一种单光子雪崩二极管(SPAD)装置包括半导体衬底、中心源极/漏极、外源极/漏极，以及位于该衬底的入射表面的该中心源极/漏极与该外源极/漏极间的浅沟槽隔离(STI)结构，其中，该STI结构的宽度是...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其形成方法、光电探测器
    一种半导体器件及其形成方法、光电探测器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411496834.6
    本申请提供了一种半导体器件及其形成方法、光电探测器，包括衬底、雪崩倍增层、光吸收层、第一电极和第二电极。所述雪崩倍增层位于所述衬底的表面，所述雪崩倍增层位于所述光吸收层和所述衬底之间。所述光吸收层内掺杂有第一型掺杂剂，所述第一型掺杂剂的浓度...
    2026-05-01
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