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最新专利技术
  • 绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆
    绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511830184.9
    本申请提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆，该绝缘体上硅衬底包括：基底；设置在所述基底上的绝缘层；以及设置在所述绝缘层上的多晶硅叠层，所述多晶硅叠层包含由导电中间层所分隔的多个多晶硅陷阱子层，其中，所述导电中间层被配置成与相...
    2026-05-01
  • 新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管
    新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管_世恩半导体科技(苏州)有限公司_202310402003.7
    本发明提供一种新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管，包括：从左往右依次设置的源区、沟道区和漏区，沟道区的左侧为薄端，右侧为厚端，源区埋置在沟道区的薄端，源区右侧与沟道区之间有一层低k绝缘体层，沟道区的厚端与厚度相等的漏区连接；沟道区上...
    2026-05-01
  • 一种L形源区结构的SiC MOSFET
    一种L形源区结构的SiC MOSFET_北京航空航天大学_202511972505.9
    本申请提供一种L形源区结构的SiC MOSFET，包括：衬底和设置在衬底正面上的漂移区，在漂移区两侧的限定区域内分别设置第一体区和第二体区；在第一体区上方设置第一基区、两个第一源区和第二源区；两个第一源区分别设置于第一基区上方和第一体区的两...
    2026-05-01
  • 超结半导体功率器件及其制造方法
    超结半导体功率器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610110537.6
    本发明提供一种超结半导体功率器件，包括重掺杂的第一导电类型衬底，在重掺杂的第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有沟槽；在沟槽中填充有第二导电类型掺杂单晶硅，形成第二导电类型柱状外延；从而在第一导电类型外延层中形...
    2026-05-01
  • 复合型终端结构及制备方法
    复合型终端结构及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610027047.X
    本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种复合型终端结构及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种复合型终端结构，所述终端结构包括呈第一导电类型的半导体基板以及设置于所述半导体基板终端区内的JTE横向终端扩展结构，其中，所述JTE横向终端...
    2026-05-01
  • 一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法_广东电网有限责任公司广州供电局_202511964708.3
    本发明公开了一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明通过构建自下而上层叠设置的基底、缓冲层、二维导电屏蔽层、介电间隔层、二维半导体沟道、顶栅介质层、顶栅金属层和封帽层，以及在二维半导体沟道的两端，分别设置有漏极...
    2026-05-01
  • 碳化硅功率器件及其制造方法
    碳化硅功率器件及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202411475695.9
    本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，在碳化硅衬底中形成终端结构，所述终端结构围绕所述阱区，所述终端结构包括m个间隔的环形注入区以及n个间隔的注入补偿区，m、n为正整数并且m≥n，并且，自所述阱区起n个所述注入补偿区和n个所述环形注入...
    2026-05-01
  • 一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法
    一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511911006.9
    本发明公开了一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法，涉及碳化硅功率器件技术领域，该器件包括：衬底、漂移区、P+埋层、沟道层、第一P+栅区、第二P+栅区、N+源区、源极、栅极和漏极，其中，第一P+栅区在垂直方向上延伸并与P+埋层...
    2026-05-01
  • 一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法
    一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法_山东石油化工学院_202610109126.5
    本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种ITO接触IGZO的的薄膜晶体管结构及其制备方法。通过在第一层绝缘层后制备第二层金属层，然后使用第一层电极层保护有源层与第二层金属层的接触区域，本发明能够有效避免传统薄膜晶体管结构中第二层金属层对有...
    2026-05-01
  • 一种TFT器件及其制备方法
    一种TFT器件及其制备方法_电子科技大学_202610102724.X
    本发明公开了一种TFT器件及其制备方法，涉及电子器件技术领域，提高器件开关比。通过纳米压印技术在介质层表面直接形成波纹图案，再沉积异质结沟道层，利用波纹界面的电荷调控效应提升器件性能；该方法避免了传统光刻工艺的复杂性，实现了低成本、大面积制...
    2026-05-01
  • 晶体管以及包括晶体管的显示装置
    晶体管以及包括晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511225502.9
    公开一种晶体管以及包括晶体管的显示装置。所述晶体管包括：氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在第一方向上具有第一源极‑漏极区、沟道和第二源极‑漏极区；上栅极，设置在所述氧化物半导体层的上方并且被配置为与所述沟道交叠，并且栅极绝缘膜插置在所述上...
    2026-05-01
  • 薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和显示装置
    薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和显示装置_乐金显示有限公司_202511197920.1
    本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和显示装置。本发明的另一实施例寻求提供一种薄膜晶体管，其包括：彼此间隔开的源极导电层和漏极导电层；设置于源极导电层与漏极导电层之间的有源层；以及与有源层重叠的栅电极，其...
    2026-05-01
  • 一种复合介质埋层MOS结构及其制备方法
    一种复合介质埋层MOS结构及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610371354.X
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种复合介质埋层MOS结构，从下向上依次包括有漏极、外延层、栅极和复合介质，所述外延层的内部包括位于下方的N衬底层和位于上方的N扩散层，所述N扩散层的内部左右两侧通过离子注入形成有N阱层、P阱层以及P...
    2026-05-01
  • 一种集成异质结的超结沟槽型4H-SiC MOSFET
    一种集成异质结的超结沟槽型4H-SiC MOSFET_吉林大学_202610108869.0
    一种集成异质结的超结沟槽型4H‑SiC MOSFET，属于半导体功率芯片技术领域。该器件由漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、P‑超结区、P+多晶硅栅、N‑多晶硅区、N‑body区、N+多晶硅源区、N+body源区、源极金属、源极沟槽、栅极沟...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其制备方法、集成电路
    一种半导体器件及其制备方法、集成电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610320000.2
    本说明书实施例提供的半导体器件中具有贯穿体区和漂移区的第一沟槽，第一沟槽中填充有覆盖第一沟槽侧壁的隔离层以及填充于剩余第一沟槽的栅极结构；基于上述结构，在半导体器件的工作过程中，可以将电子在器件中的流向从横向变为纵向，在漂移区提供的耗尽层不...
    2026-05-01
  • 一种低导通电阻LDMOS结构及其制备方法
    一种低导通电阻LDMOS结构及其制备方法_东南大学_202610095661.X
    一种低导通电阻LDMOS结构及其制备方法。其结构是在N型漂移区上设有复合结构，复合结构包括厚氧化层，在厚氧化层上表面设浮空场板，厚氧化层下表面设有N型重掺杂掺杂区且N型重掺杂掺杂区与浮空场板错位排列，在N型重掺杂掺杂区的下方设有分段P型顶层...
    2026-05-01
  • 一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法
    一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610082071.3
    本发明涉及半导体器件设计制造技术领域，特别是涉及一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法。通过将漏电极集成于漂移区的沟槽之内，形成了具备沟槽几何特征的沟槽漏电极结构，利用其沟槽结构和内衬氧化层，将器件耐压时的高电场区域引导至沟槽侧壁...
    2026-05-01
  • LDMOS晶体管架构
    LDMOS晶体管架构_半导体元件工业有限责任公司_202510345615.6
    本公开涉及LDMOS晶体管架构。公开了一种晶体管。该晶体管包括具有第一导电类型的源极区和漏极区。该晶体管还包括位于该源极区附近并且具有第二导电类型的沟道区。该晶体管还包括位于该漏极区与该沟道区之间的漂移区，该漂移区具有比该漏极区的漏极区宽度...
    2026-05-01
  • 近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用
    近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202411460130.3
    本发明公开了一种近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用。近全栅控FinFET结构包括：外延结构、欧姆接触层以及源极、漏极和栅极，外延结构包括异质结构和盖帽层，外延结构具有凸起的鳍状部，异质结结构内的载流子沟道位于鳍状部内，盖帽层位于鳍状...
    2026-05-01
  • 一种P型DEMOS器件制备方法及系统
    一种P型DEMOS器件制备方法及系统_粤芯半导体技术股份有限公司_202610082065.8
    本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种P型DEMOS器件制备方法及系统。为了在各个方向上均形成远离局部氧化硅结构边界的离子浓度梯度变化区域边界，完全消除器件在高浓度离子掺杂时形成的耐压薄弱点，本发明以相同入射斜角，不同的器件方向对...
    2026-05-01
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