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最新专利技术
  • 近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用
    近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202411460130.3
    本发明公开了一种近全栅控FinFET结构及其制备方法和应用。近全栅控FinFET结构包括：外延结构、欧姆接触层以及源极、漏极和栅极，外延结构包括异质结构和盖帽层，外延结构具有凸起的鳍状部，异质结结构内的载流子沟道位于鳍状部内，盖帽层位于鳍状...
    2026-05-01
  • 一种P型DEMOS器件制备方法及系统
    一种P型DEMOS器件制备方法及系统_粤芯半导体技术股份有限公司_202610082065.8
    本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种P型DEMOS器件制备方法及系统。为了在各个方向上均形成远离局部氧化硅结构边界的离子浓度梯度变化区域边界，完全消除器件在高浓度离子掺杂时形成的耐压薄弱点，本发明以相同入射斜角，不同的器件方向对...
    2026-05-01
  • 一种降低短沟道效应的碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    一种降低短沟道效应的碳化硅MOSFET器件及其制备方法_无锡新洁能股份有限公司_202610033388.8
    本发明涉及一种降低短沟道效应的碳化硅MOSFET器件及其制备方法。本发明包括N型衬底，作为N型漏极；N型外延层，位于N型衬底上表面；电流引导层，位于N型外延层的上表面；P型阱区，间隔设置于电流引导层的上表面；N+源区，位于P型阱区表面中心两...
    2026-05-01
  • 一种负反馈可变电阻器件及负反馈充电电路
    一种负反馈可变电阻器件及负反馈充电电路_上海印芯电子科技有限公司_202512031674.9
    本发明提供一种负反馈可变电阻器件及负反馈充电电路，涉及半导体器件技术领域，包括：MOS结构主体，其栅极呈井字形框架分布，有源区集中形成于井字形框架的中心区域并作为负反馈可变电阻器件的正极；外围掺杂区，分布于井字形框架的空隙区域且环绕正极，外...
    2026-05-01
  • 基于两种硅终端的增强型金刚石场效应管及其制备方法
    基于两种硅终端的增强型金刚石场效应管及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511911011.X
    本发明公开了一种基于两种硅终端的增强型金刚石场效应管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：金刚石衬底；第一硅终端层，位于金刚石衬底的上表面，且包括两部分，分别位于金刚石衬底的上表面的两侧；第二硅终端层，位于金刚石衬底的上表面，且位于第一硅...
    2026-05-01
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411458257.1
    一种半导体元件包括磊晶层、电流扩散层、栅极结构、阱、重掺杂区以及源极电极。磊晶层具有第一导电型。电流扩散层位于磊晶层中且具有第一导电型。栅极结构与阱位于磊晶层中且位于电流扩散层上方。阱接触于栅极结构的侧壁。阱具有不同于第一导电型的第二导电型...
    2026-05-01
  • 一种滑移沟道的场效应晶体管及其制备方法
    一种滑移沟道的场效应晶体管及其制备方法_深圳清华大学研究院_202610140173.6
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种滑移沟道的场效应晶体管及其制备方法，包括自下而上设置的背栅基底层、栅介质层、二维半导体沟道层、源极电极片及漏极电极片；源极电极片与漏极电极片的顶部均包括金属帽层，源极电极片与漏极电极片通过对应的金属...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及电子设备
    一种半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610114029.5
    本公开提供一种半导体器件及电子设备，通过在P‑GaN帽层靠近漏极的一侧设置分段延伸的多个P型延伸部，多个P型延伸部形成梳状结构，可以对栅漏间沟道中的2DEG浓度进行选区调制，优化器件在高压偏置下位于P‑GaN帽层靠近漏极一侧的关态峰值电场分...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及电子设备
    一种半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610114027.6
    本公开提供一种半导体器件及电子设备，由于栅极的界面同时存在肖特基接触和欧姆接触，从而能够结合肖特基接触型P‑GaN栅器件栅漏电低以及欧姆接触型P‑GaN栅器件阈值电压稳定的优势，解决了传统肖特基接触型P‑GaN栅中P‑GaN帽层电位相对浮动...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及电子设备
    一种半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202610113955.0
    本公开提供一种半导体器件及电子设备，栅极的界面不仅存在肖特基接触，还存在欧姆接触，即在栅极形成类JFET等效结构，从而能够结合肖特基接触型P‑GaN栅器件栅漏电低以及欧姆接触型P‑GaN栅器件阈值电压稳定的优势，解决了传统肖特基接触型P‑G...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610093744.5
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层在栅极结构与漏极结构之间形成至少一个电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，并靠近漏极结构及栅极结构的电子调节层与其均为非接触设置，电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子...
    2026-05-01
  • 半导体结构
    半导体结构_世界先进积体电路股份有限公司_202610023192.0
    本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。介电层堆叠设置于栅极电极上。介电层堆叠包...
    2026-05-01
  • 一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法
    一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511980367.9
    本发明公开了一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法；该器件包括：依次层叠的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在势垒层上依次间隔设有源极、p‑GaN栅、p‑GaN纳米柱阵列和漏极；p‑GaN纳米柱阵列包括沿第一方向间...
    2026-05-01
  • 基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法
    基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511967825.5
    本发明公开了一种基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，缓冲层包括依次层叠的第一部分和第二部分，在第二部分、沟道层和势垒层组成的环状叠层结构的中心填充有静电屏蔽层，静电屏蔽...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511465253.0
    本公开提供一种能提高电流密度的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：第一沟道层，具有具备氮极性的第一上表面；铁电性氮化物半导体层，处于所述第一上表面之上，具有具备金属极性的第二上表面；第二沟道层，处于所述第二上表面之上，具有具备金属极...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511465247.5
    本公开提供一种能提高失真特性的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：氮化物半导体层，具有相互重叠的沟道层和阻挡层，并且具有第一方向的第一极化；源电极、漏电极以及栅电极，与所述氮化物半导体层接触；铁电体层，在俯视观察时处于所述栅电极与所...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610105874.6
    本发明提供半导体器件及其制造方法，制造方法包括：在具有有源区和引出区的半导体衬底中形成第一和第二沟槽区，并界定第一和第二台面区域；形成覆盖沟槽内壁及各台面区域的场氧化层并填充第一多晶硅层；形成具有第一开口(露出有源区)和第二开口(露出第二台...
    2026-05-01
  • 以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件
    以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件_浙江摩珂达半导体有限公司_202512011349.6
    本发明公开了一种以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。针对现有垂直JFET因栅极有源区(P⁺区)电阻率高、驱动信号衰减严重而导致开关性能差的问题，本发明提出在栅极有源区表面形成金属欧姆接触...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511987369.0
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：形成底层结构，所述底层结构至少包括基底层和位于所述基底层上方的沟道层，以及位于所述沟道层上表面的势垒层，在所述势垒层的上方形成栅极结构的材料层；在所述栅极结构的材料层预设区域的上表面形成第一...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511985727.4
    本发明提供一种半导体器件的制备方法包括：形成底层结构，形成栅极结构的材料层；形成第一介质层；在所述第一介质层的一侧或两侧形成栅极结构的顶部侧墙；去除所述第一介质层；以所述顶部侧墙为掩膜，刻蚀栅极结构的材料层，以形成栅极结构；形成第一钝化层，...
    2026-05-01
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