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  • 本发明涉及一种透明显示屏,其包括:透明基板,该透明基板限定了显示平面以及垂直于显示平面的显示方向;保持在透明基板上的像素层,所述像素层具有多个不透明发光二极管,所述多个不透明发光二极管在限定的显示平面中彼此间隔开布置;以及本发明还涉及一种显...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括基板、封装结构与多个发光单元,多个发光单元设置于基板沿厚度方向的一侧,发光单元具有背离基板的出光面;封装结构设置于发光单元背离基板的一侧,封装结构包括封装层与多个封装单元,多个封装单元与多个发...
  • 本申请提供了一种显示面板及显示装置,显示面板包括阵列基板、发光元件以及遮光层,发光元件位于阵列基板一侧且电连接于阵列基板。遮光层位于阵列基板的一侧,遮光层包括设置于相邻发光元件之间的第一遮光部,第一遮光部包括主体部以及边缘部,边缘部位于主体...
  • 本发明提供了一种发光二极管器件及背光模组,在发光二极管器件中,设置有多个引线框架,第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架、第五引线框架、第六引线框架通过绝缘部相隔绝,第一芯片、第二芯片、第三芯片设置在第五引线框架上,第一芯片...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种LED封装结构及发光装置。该LED封装结构包括基板、LED芯粒、LED控制器、绝缘层、线路层;LED芯粒具有芯粒电极;LED控制器具有相对的第一表面、第二表面以及位于第一表面和第二表面之间的侧面;L...
  • 本发明涉及显示芯片技术领域,公开了一种MicroLED结构及显示面板,包括:发光台面、二向色光学层和量子点色转化层;所述发光台面用于产生第一颜色光,所述二向色光学层位于发光台面上方并被配置为透射第一颜色光且反射第二颜色光,所述量子点色转化层...
  • 本发明涉及微纳制造技术领域,具体公开了一种基于明胶水凝胶印章的微器件转印方法及其应用,该方法先制备明胶水溶液,其液态成型后冷却为室温固态印章,且具备适宜粘附性;通过对印章表面物理塑形或利用其自身柔韧性,可主动适应凹面或被动贴合凸面。后续在室...
  • 本申请公开了一种暂态基板、芯片转移方法以及显示面板,所述暂态基板包括衬底基板和加热结构层,所述加热结构层铺设在所述衬底基板上,所述加热结构层与外部电源连接,所述外部电源用于对所述加热结构层提供电信号,以使所述加热结构层发热;所述加热结构层上...
  • 本发明涉及一种Mini/MicroLED激光巨量转移方法、装置及存储介质,所述Mini/MicroLED激光巨量转移方法包括获取携带板上LED的位置信息、波长亮度信息及优劣状态;根据LED的实际偏移量及承接板排列周期公倍数,筛选出有效的LE...
  • 本申请涉及一种显示面板的制备方法和显示设备,包括提供初始基板;于初始基板外周的至少一侧设置第一嫁接结构以形成嫁接基板;将嫁接基板夹持于固晶治具,并于初始基板的表面固定发光芯片;嫁接基板的尺寸与固晶治具的预设夹持尺寸相适配;分别于基板设有发光...
  • 本公开提供了一种改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层,所述第二半导体层的表面具有出光槽,所述出光槽的深度小于或者等于所述第二半导体层的厚度,所述...
  • 本发明公开了一种基于2835支架的倒装芯片LED封装结构,包括支架本体和LED倒装芯片,支架本体的内部设有腔体,腔体的底部连接有居中设置的金属电极,LED倒装芯片设于腔体内,且LED倒装芯片与金属电极连接,LED倒装芯片与腔体之间填充有白胶...
  • 本发明公开了一种发光器件及发光器件的制作方法,所述发光器件包括基板、发光芯片、荧光片和封装层,所述发光芯片设置在所述基板的上表面;所述荧光片为掺杂有荧光粉的透光片,所述荧光片粘接在所述发光芯片的上表面;所述封装层设置在所述基板的上表面,所述...
  • 本发明公开了一种高散热铝铜复合COB封装载板叠构及工艺制作方法,涉及一种高散热铝铜复合COB封装载板叠构及工艺制作方法,主要应用于半导体封装。包括高导铜基材,所述高导铜基材包括铜层和粘接层,通过在载板顶部覆盖一层铝,减少了芯片之间的热量堆积...
  • 本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括:半导体叠层,自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层;透明导电层,形成于第二半导体层之上;保护层,形成于透明导电层之上;第二电极,形成于保护层上,包括焊盘部和扩展部;保护层...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括衬底和半导体叠层,半导体叠层具有分别露出第一半导体层的若干个第一台面以及露出第二半导体层的第二台面,其中第一台面的水平投影呈相互隔离的岛状分布于半导体叠层的水平投影范围内;第一反射层设置...
  • 本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此,μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
  • 本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此,μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
  • 本发明公开了一种LED外延片结构及其制备方法,涉及半导体光电器件技术领域。LED外延片结构包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层、P型窗口层和P型接触层;所述有源层包括周期性交替层叠的G...
  • 本发明公开了一种晶圆重构方法和重构晶圆。该晶圆重构方法包括:在待重构晶圆的一侧设置刻蚀阻挡层,待重构晶圆包括第一衬底和设置于第一衬底上的发光功能层,刻蚀阻挡层设置于发光功能层远离第一衬底的一侧;对待重构晶圆进行刻蚀形成凹槽,凹槽的深度延伸至...
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