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  • 本发明提供了基于STIW分布的鲁棒卡尔曼滤波方法,涉及状态估计与滤波技术领域。该方法包括以下步骤:步骤S1、构建状态空间模型,初始化参数;步骤S2、基于初始化的参数,将过程噪声建模为高斯‑逆Wishart分布;步骤S3、基于初始化的参数将测...
  • 本发明公开了一种基于硅基CMOS工艺的高功率射频环形器,该环形器包括由回转器和集总参数LC元件构成的传输网络;所述回转器包括第一开关对、第二开关对以及连接在其之间的λ/4传输线。第一开关对连接在发射端与λ/4传输线之间,第二开关对连接在λ/...
  • 一种PIN二极管电调衰减电路,包括射频主链路和直流偏置电路,其中,PIN二极管D1正极通过微带电路1连接PIN二极管D2负极,PIN二极管D1负极连接电容C1一端;PIN二极管D4正极通过微带电路4连接PIN二极管D3负极,PIN二极管D4...
  • 本发明提供一种双芯对称型可控移相器的参数设计方法及装置,涉及电力电网技术领域。本发明首先基于系统设计需求和约束条件,确定可控移相器的移相角、额定容量、额定电压、额定电流和短路阻抗范围等关键性能指标,之后,根据关键性能指标,进行精确计算,确定...
  • 本申请公开了一种声表面波滤波器及电子设备,属于滤波器技术领域。声表面波滤波器包括:谐振器结构具有沿第一方向延伸的第一指条;电容结构与谐振器结构并联,电容结构包括相对设置的两个汇流条,两个汇流条之间具有与其中一个汇流条连接且与另一个汇流条间隔...
  • 本申请涉及半导体技术领域,提供一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器。制备方法包括:形成衬底,包括:获取第一厚度值;基于第一厚度值,形成压电层;其中,获取第一厚度值包括:基于谐振器性能指标,获取包括满足谐振器性能指标的多个压电层厚度...
  • 本申请提供一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器,涉及半导体技术领域,制备方法包括形成衬底,包括形成压电层;形成叉指电极,位于压电层上;形成温度补偿层,位于压电层上,覆盖叉指电极,其中,形成温度补偿层采用沉积工艺,其中,形成温度补偿...
  • 本发明公开了一种抑制寄生模式的表面声波谐振器,包括:输入电极和输出电极;个拆分式谐振器,,各个拆分式谐振器并联于所述输入电极和所述输出电极之间,且各个拆分式谐振器的波长不相等;各拆分式谐振器的平均波长与单谐振器的波长相等,各拆分式谐振器的总...
  • 本发明公开了一种双频恒温晶振及其制作方法,涉及晶体振荡器技术领域,其包括陶瓷基座与陶瓷底板,二者采用LTCC工艺一体成型;高频石英晶体与低频石英晶体分别置于独立密闭腔体内,通过高导热金刚石铜衬底、金属化导热孔及分区温度感知芯片实现统一加热与...
  • 本申请提供了一种全通移相器。移相器包括:第一全通移相单元和第二全通移相单元,第一全通移相单元和第二全通移相单元的频点不同;第一全通移相单元和第二全通移相单元均包括多个串联的电感;电感包括周向方向绕制的导线;第一全通移相单元的一个电感与第二全...
  • 本案关于一种EMI滤波器,包含电路板、共模电感、第一X电容以及第二X电容,共模电感设置于电路板上,第一X电容设置于电路板上,且位于共模电感的轴向的第一侧,第二X电容设置于电路板上,且位于共模电感的轴向的第二侧,第二侧与第一侧相对设置,第一X...
  • 本发明公开了滤波器领域内的一种高集成小型滤波器,包括壳体、正极铜排、负极铜排、滤波组件、PCB板和绝缘支架;滤波组件包括磁芯L1、贴片电容Cx1‑2、贴片电容Cy1‑4、瓷片电容Cx3和电阻Rx1;壳体内设用以集成磁芯L1的容纳腔,上侧设置...
  • 本发明公开了一种P波段大功率滤波限幅组件,属于微波技术领域,包括滤波器、限幅器、极化器、耦合器和金属腔体。所述限幅器安装在金属腔体的底层,滤波器与极化器安装在金属腔体的顶层,耦合器安装在金属腔体的侧壁,滤波器、低通滤波器与极化器之间的互连采...
  • 本发明提供一种射频放大器的增益控制方法及增益可控的射频放大器,涉及无线通信技术领域,射频放大器包括集成在单一芯片上的射频放大器核心电路和增益控制网络,方法包括:接收数字增益控制信号;根据所述数字增益控制信号,控制所述增益控制网络内至少一个受...
  • 应用于矢量网络分析仪的信号处理电路及矢量网络分析仪。本申请提供一种信号处理电路及矢量网络分析仪,信号处理电路包括射频合成电路、第一自动增益控制电路、第二自动增益控制电路、射频开关、功分器、第一微波射频前端模块和第二微波射频前端模块;射频合成...
  • 本发明涉及电路器件技术领域,具体提供了一种基于双LDO的放大器及其控制方法,包括:两个LDO,两个OPA;LDO1输入端与VDD相连,调节端与OPA1输出端相连,输出端与输出端Vout相连,输出正向电流;LDO2输入端与输出端相连,调节端与...
  • 本发明公开了一种基于三耦合变压的差分导数结构电路及放大器,涉及放大电路设计技术领域。本发明的差分导数结构电路包括:三耦合电感网络、N个输出部。本发明通过三耦合变压的方式,将由MOS管并联组成的差分导数结构中主放大管、辅助放大管的供电融入到电...
  • 本发明公开了一种片上紧凑型双核双路径品质因数增强型源极退化全差分低噪声放大器,包括四个MOS管、栅源电容、隔直电容、偏置电阻及电感,四个源极半圈电感构成第一变压器,两个栅端电感耦合构成第二变压器,且第二变压器嵌套于第一变压器内部,第一、第二...
  • 本发明提供的一种低带宽跨阻放大器与二进制采样的光接收器,包括:光电探测器;跨阻放大器,用于将所述光电探测器输出的电流信号转换为差分电压信号;可变增益放大器,用于对所述差分电压信号进行不同程度的放大,并完成直流补偿,得到输出信号;双采样阵列,...
  • 本发明公开一种用于脉冲驱动式量子电压系统的信号调理器及电路,包括包括信号隔离单元、信号调理单元和供电单元;所述信号隔离单元接收端连接第一信号源,输出端连接所述信号调理单元的第一接收端;所述信号调理单元的第二接收端连接第二信号源,输出端输出调...
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