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最新专利技术
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511000581.3
    公开了一种图像感测装置。在实施方式中，图像感测装置包括：基板，该基板包括像素区域和位于像素区域外部的外围区域，外围区域包括焊盘区和位于像素区域和焊盘区之间并包括多个突起和多个凹部的第一粘附增强结构；多个第一基板隔离结构，多个第一基板隔离结构...
    2026-05-01
  • 用于成像装置的对数响应像素
    用于成像装置的对数响应像素_意法半导体国际公司_202511526821.3
    本公开涉及用于成像装置的对数响应像素。更具体而言，涉及一种对数响应像素，包括感光电路元件以及至少一个二极管连接的双极结型晶体管。该至少一个二极管连接的双极结型晶体管具有耦合到至少一个二极管连接的双极结型晶体管的第一导电节点的基极。至少一个二...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池片及其制造方法
    一种太阳能电池片及其制造方法_梁海霞_202311219233.6
    本发明涉及太阳能电池片制造领域，特别是一种太阳能电池片及其制造方法；包括以下步骤：在太阳能电池片的下端安装矩形定位板；将装有矩形定位板的太阳能电池片放置在制造装置中，通过制造装置对太阳能电池片进行运输；利用太阳能电池片下端的定位板使其卡入制...
    2026-05-01
  • 一种太阳能无机储能材料及其制备方法
    一种太阳能无机储能材料及其制备方法_梁展慧_202311219400.7
    本发明涉及储能材料，更具体的说是一种太阳能无机储能材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：将安装框装夹在多个装夹板之间；步骤二：驱动切割刀具转动，切割刀具对安装框的侧边进行切割形成安装槽；步骤三：安装框转动，切割刀具对安装框的四周进行...
    2026-05-01
  • 光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法
    光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202410101737.6
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法、N‑TOPCON电池片的制备方法，属于光伏组件技术领域，在N型硅片背面依次沉积氧化硅隧穿层、第一掺杂磷的N+POLY硅层、第二氧化硅层和第二掺杂磷的N+POLY硅层；对背表面进行无氧高温晶化，得到叠层N...
    2026-05-01
  • 电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统
    电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202411434236.6
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统，该电极制备设备包括：电池片；信息收集装置，所述信息收集装置与所述电池片之间有相对运动；和电极制备装置，被配置为在所述电池片上进行电极的制备，本申请通过信息收...
    2026-05-01
  • 一种电池串串连方法
    一种电池串串连方法_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202511799395.0
    本发明公开了一种电池串串连方法，涉及电池串生产技术领域，包括：电池组预制工序和应用电池组叠设为电池串的叠串工序，预制工序中将电池片和若干间隔排布焊带使用第一胶膜固定连接为电池组，焊带中的第一连段被第一胶膜覆盖固连在电池片第一表面，焊带中的第...
    2026-05-01
  • 一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备
    一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备_苏州晶拓半导体科技有限公司_202511812367.8
    本发明提出一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备，包括控制柜，其内设置有臭氧发生器，其输入端通过第一管道通入氧气，输出端通过第二管道与钝化槽连接，第二管道与第三管道相通；在第二管道上，钝化槽之前设置有臭氧浓度检测仪；第二管道与钝化槽内的环形匀流管...
    2026-05-01
  • 一种热压制备方法、导电背板及光伏组件
    一种热压制备方法、导电背板及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511821347.7
    本申请公开了一种热压制备方法、导电背板及光伏组件，热压制备方法包括：提供层叠件；通过加热装置对所述层叠件进行非接触式加热，所述加热装置与所述层叠件之间间隔设置；通过压合装置对所述层叠件进行压合。本申请中在加热过程中使加热装置与层叠件之间存有...
    2026-05-01
  • 一种半片式硅片插片装置及工艺
    一种半片式硅片插片装置及工艺_无锡江松科技股份有限公司_202511919304.2
    本发明提供了一种半片式硅片插片装置及工艺，包括装插线，还包括装插线上的双设备架，双设备架内设置有浸洗装置和硅片供料机构，双设备架内还设置有取片机构、插片执行机构和洗吸一体机构，本发明通过洗吸一体机构将硅片的冲洗和吸片结构结合，通过冲洗硅片所...
    2026-05-01
  • 碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备
    碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备_成都中建材光电材料有限公司_202511933278.9
    本发明公开了碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备，退火方法包括：采用整形为矩形光斑或线状光斑的激光束对碲化镉薄膜表面进行辐照，所述辐照路径覆盖所述碲化镉薄膜待退火区域。本申请中采用线形光斑或均匀化矩形光斑进行退火，具有如下优势，激光能量仅作...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池装配设备及装配方法
    一种太阳能电池装配设备及装配方法_新余学院_202610027821.7
    本发明公开一种太阳能电池装配设备及装配方法，涉及太阳能电池组装技术领域；包括底座，底座的侧面顶端设置有夹持机构和吸附机构，夹持机构用于夹持框架，吸附机构用于吸附转移电池片；在底座的底部两端分别预备堆叠有框架和电池片，底座上还设置有作业台；底...
    2026-05-01
  • 硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法
    硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法_天合光能股份有限公司_202610048096.1
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法，旨在解决现有技术中一次沉积形成的硼掺杂p+发射极无法兼顾表面复合速率和接触性能的问题。为此目的，本发明通过在硅衬底的正面至少沉积两层硼硅玻璃层，并在相邻...
    2026-05-01
  • 一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法
    一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法_昆明物理研究所_202610067678.4
    本发明公开了一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法，通过对热处理系统进行模拟测温及温场修正，控制薄膜放置区域内的温差，保证热处理过程薄膜面内的高温场均匀性，抑制由于热处理过程温场不均匀导致的额外应力引入。本发明通过台阶升温和台阶降温过程的设计...
    2026-05-01
  • 用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统
    用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统_扬州大学_202610074286.0
    本发明涉及高效晶硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统，方法包括提供晶硅硅片；在背面制备钝化接触前驱结构；采用复合传输系统，利用静电吸附固定硅片于高温传输工位，非高温工位则采用微点...
    2026-05-01
  • 布串方法及布串设备
    布串方法及布串设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610087996.7
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种布串方法及布串设备，该布串方法包括以下步骤，采用两个上料机构分别供应电池片；采用两个划片机构分别对电池片进行划片处理以形成A类电池片和B类电池片；第一拾取件拾取A类电池片和B类电池片，并放置于一个第一...
    2026-05-01
  • 布串方法及布串设备
    布串方法及布串设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610088606.8
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种布串方法及布串设备，该布串方法包括以下步骤：通过上料机构供应电池片；通过定位机构对电池片进行X方向的定位；通过校准机械手拾取定位机构上的电池片并转移至划片机构，其中，在转移过程中，校准机械手对电池片进...
    2026-05-01
  • 一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法
    一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法_安徽晶芯科技有限公司_202610109889.X
    本发明公开了一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法，涉及芯片制造技术领域，本发明包括以下步骤，提供表面具有硫化锌层和碲镉汞层的芯片，并形成图形化的光刻胶掩膜，暴露待腐蚀区域；将氢溴酸与溴混合后，充分搅拌并静置10~20分钟，得到腐蚀液；将处理...
    2026-05-01
  • 基于硫-硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池
    基于硫-硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池_合肥工业大学_202610116365.3
    本发明公开了一种基于硫‑硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池。本发明创新性地提出了顺序硫‑硒浓度梯度互补技术，通过优先引入硫元素并采用硒离子溶液对水热制备的Sb2(S, Se)3薄膜进行处理，从而精准调控Sb2(S...
    2026-05-01
  • 一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池
    一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池_合肥工业大学_202610116507.6
    本发明公开了一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池。本发明通过采用硒离子溶液对旋涂制备的CuInS2薄膜进行处理，从而精准调控旋涂制备的CuInS2薄膜中硒离子的扩散和分布并抑制载流子复合，进而获得能带结构更优、缺陷态...
    2026-05-01
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