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基板处理系统、接口装置以及基板处理方法
本发明涉及基板处理系统、接口装置以及基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有:批量处理部,其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次;单片处理部,其逐片处理批次的基板;...
混合液控制装置、方法和清洗设备
本申请涉及一种混合液控制装置、方法和清洗设备。混合液控制装置包括第一供液模组、第二供液模组和控制模组,控制模组与第一供液模组和第二供液模组连接,第一供液模组和第二供液模组与多个溶液源连接;控制模组用于根据目标参数控制第一供液模组和第二供液模...
一种用于晶圆烘烤的双温度检测及加热控制方法及系统
本发明公开一种用于晶圆烘烤单元的双温度检测及加热控制方法及系统,通过传感器、加热器、控制支路以及远程上位机相互配合,通过人机界面采集用户输入的算法参数和工作指令;解析工作指令为温度传感器采集指令发送给加热盘和加热盘盖上各温度传感器进行数据采...
解锁机构、开盒装置、传输装置、半导体设备及控制方法
本申请提供了解锁机构、开盒装置、传输装置、半导体设备及控制方法,涉及半导体领域,解锁机构包括承载座、驱动组件和顶推组件,承载座用于承载掩膜盒,掩膜盒包括盒体和盒盖,盒体和盒盖通过锁扣与锁舌扣合;驱动组件安装于承载座;顶推组件与驱动组件驱动连...
传送装置、传送方法及作业设备
本发明有关一种传送装置、传送方法及作业设备。该作业设备在作业装置的一侧设有该传送装置。该传送装置设有机台,及设于机台的置放单元与传送单元。该置放单元可供料盒置放。该传送单元的传送座可被驱动而相对机台在第一状态与第二状态之间旋转。当该传送座位...
一种插片式花篮上料系统
本申请涉及硅片流转的技术领域,尤其是涉及一种插片式花篮上料系统,包括转运机构,转运机构包括基座,基座上设有相互平行的传输带和转移带,基座上活动连接有位于传输带上方的吸片机构,传输带的端部设有下料带,吸片机构滑动连接于转移带和下料带之间,传输...
一种无蜡垫工艺的自动压合装置
本申请提供一种无蜡垫工艺的自动压合装置,涉及半导体晶圆加工技术领域,包括旋转平台、光电传感器、压片组件和控制器。旋转平台用于承载并驱动装设有待贴晶圆的无蜡垫陶瓷盘旋转;光电传感器被配置为:基于无蜡垫陶瓷盘的定位标输出定位检测信号;压片组件包...
升降和旋转组件及其制造方法
一种升降和旋转组件包括轴托架、陶瓷轴、分段套筒和凸缘套筒。轴托架限定穿过其中的孔,陶瓷轴接收在轴托架的孔内,分段套筒安置在轴托架中并且围绕陶瓷轴延伸,并且凸缘套筒限定旋转轴线并且将轴托架螺纹地接收在其中。分段套筒围绕轴托架的孔内的陶瓷轴被压...
对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法
涉及一种对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法。提供一种抑制所配置的设备的占用面积的增大并且利用磁悬浮对基板进行输送的技术。对基板进行处理的装置使用基板输送模块,该基板输送模块包括:载物台,其载置所述基板;行进板;以及第2磁体,其在与第...
对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法
涉及一种对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法。提供一种抑制所配置的设备的占用面积的增大并且利用磁悬浮对基板进行输送的技术。对基板进行处理的装置使用基板输送模块,该基板输送模块包括:载物台,其载置所述基板;行进板;以及第2磁体,其在与第...
基于康达效应的镂空半圆环晶圆承载件及均匀加热方法
本发明涉及晶圆承载技术领域,公开了一种基于康达效应的镂空半圆环晶圆承载件及均匀加热方法,包括支架,所述支架的侧面固定连接有晶圆手臂,所述晶圆手臂的顶部固定连接有支撑凸点,所述晶圆手臂和支撑凸点用于对晶圆进行承载,所述晶圆手臂和支撑凸点的材质...
一种石英工装及其应用、半导体零部件的加工方法
本申请提供了一种石英工装及其应用、半导体零部件的加工方法。所述石英工装包括工装本体和可拆卸安装于工装本体底部的吸附底板;工装本体和吸附底板的材质均为石英;工装本体上表面设有工件放置槽,工件放置槽内开设有第一排气孔,工装本体中部开设有第二排气...
使用灰阶测量和X射线表征的材料表征
公开了一种用于使用高采样率扫描电子显微镜(SEM)和低采样EDX来表征样品的非破坏性且局部化的方法,所述方法是通过构建相关曲线图来进行的,由此允许对典型地要求EDX分析的特征的迅速表征。
FC-BGA基板涨缩的闭环智能补偿方法与系统
本发明公开了一种FC‑BGA基板涨缩的闭环智能补偿方法,包括:对FC‑BGA基板完整制程中的关键测量站点建立样本数据库,存储各关键测量站点的涨缩数据及产品加工信息,筛选关键影响因子并构建多元线性回归预测模型;将新生产订单的加工信息输入多元线...
纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备
本说明书涉及纳米压印技术领域,提供了一种纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备,该方法包括:获取半导体结构的相邻两个纳米柱阵列层的谐振参数;以所述谐振参数为输入,根据偏移距离与谐振参数的关系曲线确定所述相邻两个纳米柱阵列层的加工...
一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置
一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置,涉及半导体测试设备技术领域。本发明主要用于半导体设备加工过程中测量晶圆表面温度场的分布,包括晶圆外壳、温度测量电路和电子器件绝热部分;所述温度测量电路功能包括:温度测量数据采集、数据存储以及数据发...
基片处理装置和基片处理方法
本发明提供基片处理装置和基片处理方法,能够高精度地获取被处理体的状态。基片处理装置包括:处理容器,其能够对被处理体一边加热一边供给处理气体来进行处理;载置台,其设置于处理容器内,在上表面具有载置上述被处理体的多个凹部;孔部,其形成于载置台,...
一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法
本发明涉及半导体硅片制造技术领域,尤其是一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法,包括:S1、粘接设备自动测量并记录Notch标志相对于设定基准线的偏转角φ;将该偏转角φ及其对应的晶锭批次标识一同上传至MES系统数据库;S2、测试机台...
一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法
本发明涉及硅片制造技术领域,尤其是一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法,包括在硅片notch部位进行倒模,倒模完毕后剥离硅片,将notch对应的倒模部位割开,对割开处进行拍照后利用软件对图像进行分析得出结果,或者放置于显微镜下进...
一种晶圆的检测方法、系统及介质
本公开提供了一种晶圆的检测方法、系统及介质;该检测方法包括:将单张待测晶圆划分出至少两个区域;在至少两个区域中的第一区域执行第一检测流程,以获取第一区域的第一检测数据;在至少两个区域中的第二区域执行第二检测流程,以获取第二区域的第二检测数据...
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