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最新专利技术
  • 一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用
    一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用_福州大学_202610086734.9
    本发明提供一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。本发明提出CdS/Sb2S3薄膜的退火方法，为双面退火方法，一面在预加热至350‑400℃的第一平台上退火10‑20min，另一面继续在预加热至150‑180℃的...
    2026-05-01
  • 太阳能电池封装方法
    太阳能电池封装方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202610089365.9
    本发明提供一种太阳能电池封装方法，涉及太阳能电池生产工艺的技术领域，包括：将基板玻璃和层压玻璃初步封装，并在边缘处预留间隙；在基板玻璃和层压玻璃的间隙内设置填充物，以形成玻璃结构；将玻璃结构置于真空容器中，并对真空容器抽真空处理；通过激光器...
    2026-05-01
  • 一种三结柔性太阳电池
    一种三结柔性太阳电池_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202610321087.5
    本发明公开一种三结柔性太阳电池，包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层，所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池；然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜，在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层...
    2026-05-01
  • 一种TBC电池的制备方法及TBC电池
    一种TBC电池的制备方法及TBC电池_一道新能源科技股份有限公司_202610352669.X
    本发明公开了一种TBC电池的制备方法及TBC电池，该制备方法首先提供N型硅基底；其中，N型硅基底的第一表面包括呈叉指状交替排列的第一区域和第二区域，然后在第一区域与第二区域对应的第一表面上依次制备中间间隔层、第一隧穿氧化层和硼扩散掺杂层，并...
    2026-05-01
  • 一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法
    一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法_鑫琪(苏州)新能源科技有限公司_202610360948.0
    本发明公开了一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法，涉及光伏太阳能板加工技术领域，包括设置于机箱上的承载台和设置于承载台上方的隔离罩，机箱内设置有第一驱动机构，并用于驱动隔离罩升降；机箱内设置有第二驱动机构，并用于驱动承载台平移；隔离罩内设...
    2026-05-01
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610361405.0
    本申请公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏领域。本申请方法包括：获取半导体衬底；使用电极浆料在半导体衬底表面制备电极；电极浆料包括导电金属颗粒60%~80%，有机载体15~30%，添加剂5~10%；导电金属颗粒包括银粉...
    2026-05-01
  • 一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池
    一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202610368418.0
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池，包括S1082、采用激光诱导晶化工艺，对第二半导体开口区内的至少部分第二掺杂非晶硅层进行激光刻画，使得激光刻画区域的对应部分第二掺杂非晶硅层晶化形成第...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610155560.7
    本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以优化载流子的传输路径，实现载流子的有效收集。背接触电池包括半导体基底、以及设置于半导体基底的背面上的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层和半导体基底的掺杂类型相同，第一半导体层包括...
    2026-05-01
  • 一种异质结、制备方法及其应用
    一种异质结、制备方法及其应用_福州大学_202610086836.0
    本发明提供一种异质结、制备方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。本发明的异质结为ZnO纳米阵列/Sb2S3异质结，能够很好地解决Sb2S3薄膜载流子输运能力不足的问题，从而提高Sb2S3薄膜的电导率并增强器件整体的载流子输运性能，能大幅提高S...
    2026-05-01
  • 栅线及其制备方法、光伏电池
    栅线及其制备方法、光伏电池_深圳艾普阳激光科技有限公司_202512048875.X
    本申请公开了一种栅线及其制备方法、光伏电池，涉及光伏电池技术领域，其中，栅线的制备方法，包括：在栅线待制件上根据预设图形印刷第一浆料以形成第一栅线；根据预设图形，在第一栅线上印刷第二浆料以形成第二栅线。本申请提供的栅线制备方法，通过在第一栅...
    2026-05-01
  • 键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法
    键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法_西安电子科技大学_202610072884.4
    本发明属于半导体技术领域，公开了键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法，能同时兼顾金刚石核探测器的低阻抗欧姆接触与高键合拉力，其包括：金刚石；位于金刚石表面第一电极区域(氮终端金刚石表面)的键合拉力增强欧姆接触电极；位于金刚石表面...
    2026-05-01
  • 复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件
    复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610090225.3
    本发明提供了一种复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域。所述复合金属电极，包括银种子层、复合界面层、铜主电极层和金属保护层；其中，所述复合界面层为铜银冶金互锁层。本发明采用薄银种子层与电镀厚铜层三维互锁的复...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法
    一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610148496.X
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件以及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括基底，基底具有电极面，电极面上形成有掺杂区，掺杂区内层置有掺杂半导体层、表面钝化层和金属电极；金属电极至少部分贯穿表面钝化层并与掺杂半导体层接...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610187280.4
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中，第一子区设置有第一掺杂叠层，...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610187541.2
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中，第一子区设置有第一掺杂叠层，...
    2026-05-01
  • 光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备
    光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备_比亚迪股份有限公司_202511934926.2
    本申请实施例提供一种光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备，光伏电池包括：衬底；至少一个钝化减反层，钝化减反层设于衬底厚度方向的至少一侧，钝化减反层包括至少一个介电层和至少一个固氢层，介电层和固氢层层叠设置，固氢层的晶格间隙小于等于0.07...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610178912.0
    本发明公开一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以使集电电极通过第一开口与位于边缘区域的掺杂半导体层之间具有足够的接触面积，降低接触电阻。太阳能电池包括半导体基底、掺杂半导体层、钝化层和多个集电电极。多个集电电极沿第一方向...
    2026-05-01
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610194939.9
    本发明涉及太阳电池领域，公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件，该钝化接触结构包括介质层；掺杂有N型导电元素的掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层设于介质层上，掺杂多晶硅层包括N型导电元素的氧化物，从掺杂多晶硅层背离介质层的一面至掺杂多...
    2026-05-01
  • 一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用
    一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用_福建省金石能源股份有限公司_202610368507.5
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，还包括在硅片正面依次设置的第一隧穿氧化层、复合非晶硅层，形成正面复合钝化层；其中，复合非晶硅...
    2026-05-01
  • 一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法和应用
    一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法和应用_南京尚珀尔能源科技有限公司_202411419097.X
    一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法，薄膜从下到上，依次由高分子聚合物A薄膜、金属氧化物B薄膜、金属C薄膜、金属氧化物B薄膜构成。制备步骤包括：a)采用旋涂法将A溶液涂敷在平面纳钙玻璃衬底或有微结构的纳钙玻璃衬底上，分别得到平面p‑A...
    2026-05-01
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