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  • 本发明公开一种散热装置,包括承载件、第一导热件和第二导热件;承载件设相连的第一、第二液体流道,及分别与两流道相通的进液口、出液口,第一导热件设于两流道内,第二导热件连接于第一导热件远离第一液体流道的一侧。第一液体流道近进液口端设第一扩口斜面...
  • 本发明属于换热器技术领域,尤其是涉及基于微通道换热结构的水冷风冷双冷换热器及方法,包括冷媒组件、水冷组件、风冷组件和PLC控制器,所述水冷组件固定在冷媒组件的前侧,所述风冷组件接触在冷媒组件的后侧,所述冷媒组件的后侧固定有多个与风冷组件对应...
  • 本申请实施例提供一种均温板及电子设备,涉及均温板技术领域。该均温板包括壳体、第一导热箔和工质流体。壳体上具有蒸发区和冷凝区,壳体具有容纳腔,容纳腔的内壁设置有多个毛细槽道。第一导热箔上间隔设置有多个第一微孔,第一导热箔设置于容纳腔内。第一导...
  • 本发明公开了一种散热模组及控制器,散热模组用于对电子器件进行散热,散热模组包括散热件、叶轮组件与挂载结构。散热件包括基片以及连接于基片一侧的多个翅片,基片适于热传导连接电子器件,相邻两翅片间隔以限定出风道,至少部分翅片与基片共同限定出连通风...
  • 本发明属于风扇转速调节技术领域,具体涉及一种散热风扇转速调节电路及其控制方法,旨在解决现有方案供电独立、参数单一、调节不准及保护不足的问题。该方法复用风扇与LED串联灯珠供电回路,通过负温度系数热敏电阻和湿度传感器采集双参数,经湿度补偿计算...
  • 本发明公开了一种基于规范设计的水声信号处理机一体化散热系统,属于水声信号处理机散热技术领域,包括:多个AFT散热通道,均设于水声信号处理机内;其中,每个AFT散热通道经过一个水声信号处理机的功能区;数据获取模块,用于获取多个AFT散热通道的...
  • 本发明公开了基于IT负载动态变化的数据中心冷却控制方法及系统。所述方法包括:获取IT负载数据、环境温度数据以及设备状态数据,以得到初始数据;对初始数据进行预处理、数据治理以及特征工程,以得到负载梯度特征;根据负载梯度特征以及预设的工作模态确...
  • 本发明提供了一种医用电磁屏蔽复合材料及其制备方法,属于功能复合材料技术领域,所述电磁屏蔽复合材料包括MXene/木棉浆粕混合层;MXene/木棉浆粕混合层的一侧表面涂覆有氧化石墨烯涂层,另一侧表面设置有PAN纳米纤维膜;MXene/木棉浆粕...
  • 本发明提供了一种基于增材制造的光纤陀螺磁屏蔽结构,由外至内依次包括外层屏蔽层、第一绝缘层、中间过渡层、第二绝缘层、内层高磁导率层、电路板支撑结构;所述外层屏蔽层、所述第一绝缘层、所述中间过渡层、所述第二绝缘层、所述内层高磁导率层均分为上下两...
  • 本申请涉及防护装置领域,尤其是涉及一种电磁脉冲防护装置及电子设备。电磁脉冲防护装置包括导电壳、内导体和短路组件;所述导电壳设置有输入接口和输出接口,所述输入接口与所述内导体的一侧端面连接,所述输出接口与所述内导体的另一侧端面连接;所述短路组...
  • 本申请涉及一种新能源汽车电机控制器结构,其包括:第一壳体,其内部通过多个隔离件分隔为若干相互独立的屏蔽腔体,屏蔽腔体至少包括滤波器腔、中间器件腔以及三相铜排腔;直流铜排,与第一壳体一体成型,直流铜排的一端伸入滤波器腔,其另一端伸入中间器件腔...
  • 本申请公开了一种集成电路板加工用SMT贴片自动贴片装置,属于集成电路板加工领域,包括底座,所述底座的顶端通过定位滑杆固定有顶板,所述顶板的下方通过定位滑杆滑动装配有贴片压板,所述顶板的顶端装配有与贴片压板连接的液压推杆,所述底座的上表面滑动...
  • 本发明涉及芯片贴装技术领域,尤其涉及一种旋转直驱式吸咀快换装置,包括转盘、吸咀组件、施力杆、旋转驱动机构及升降驱动机构,转盘包括下盘体、上环体及连接壁,三者围合形成有凹陷区,旋转驱动机构部分伸入所述凹陷区;本发明将旋转驱动机构部分伸入转盘的...
  • 一种半导体器件包括:设置在衬底上的有源图案;设置在有源图案上的源极/漏极图案;设置在有源图案上并且连接到源极/漏极图案的沟道图案;设置在沟道图案上的栅电极;设置在源极/漏极图案上的有源接触;设置在栅电极上的层间绝缘层;设置在层间绝缘层上并且...
  • 提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:衬底;有源区,有源区设置于衬底中,呈阵列排布;隔离层,隔离层设置于有源区之间;字线结构,字线结构穿过有源区并将有源区分成节点区和位线区;扩展槽,扩展槽部分设置于节点区中,部分设置于隔离层中;扩...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体柱和栅极结构,半导体柱沿第一方向延伸,栅极结构位于半导体柱沿第一方向延伸的侧壁,栅极结构包括栅极层和阻挡层,阻挡层位于栅极层背离半导体柱的一侧。
  • 本公开实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括:半导体主体、栅极结构和介质填充部。半导体主体沿第一方向延伸,栅极结构位于半导体主体沿第一方向延伸的侧壁,介质填充部至少位于栅极结构背离半导体主体的一侧,其中栅极结构包...
  • 本公开实施例涉及一种半导体结构,包括:基底,基底包括有源区和外围区;位线结构,位于有源区且平行于基底表面层叠设置,位线结构的至少一端具有台阶结构;垂直字线与位线结构电连接;第一导通结构位于外围区,第一导通结构的一端与基底连接,第一导通结构的...
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括衬底、埋入式字线结构与介电阻挡层。埋入式字线结构位于衬底中。埋入式字线结构包括埋入式字线。埋入式字线位于衬底中。介电阻挡层位于埋入式字线结构上方的衬底中。位于衬底中的介电阻挡层的宽度大...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一位元线、一导电层、一着陆垫、以及一气隙保护结构。该基板包括多个衬垫,设置于该基板中一沟槽的侧表面上。该位元线设置于该基板上。该隔离间隔物设置于该位元线的一侧壁上。该隔离间隔物包...
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