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最新专利技术
  • 反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备
    反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902518.9
    本申请提供了一种反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备，该反应装置用于在基片表面镀膜，该反应装置包括反应主体、进气通道和吹扫结构，反应主体内具有反应腔；进气通道连通至反应腔并用于输送第一流量的工艺气体；吹扫结构包括吹扫管路，吹扫管路...
    2026-04-18
  • 进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备
    进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902544.1
    本申请公开了一种进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备，进气结构包括喷淋板、温度调节部件和控制部件，温度调节部件与喷淋板的喷淋区域相对设置，温度调节部件包括加热层、隔离层和反馈层；加热层设置于隔离层靠近喷淋板的一侧，反馈层设置于隔离层远离喷...
    2026-04-18
  • ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备
    ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902620.9
    本申请提供了一种ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备，该ALD薄膜沉积方法包括：传送基片至反应腔，对基片进行第一沉积工艺；将基片旋转第一设定角度，然后对基片进行第二沉积工艺。本申请通过在沉积工艺之间将基片旋转设定角度旋转，能够改善膜...
    2026-04-18
  • 一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备
    一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511942447.5
    本申请实施例提供了一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备。反应腔包括：气体导入模块，气体导入模块包括：模块本体，进气组设置于第一表面，进气组包括第一进气孔和第二进气孔，且第一进气孔与第二进气孔的排布方向相对于所述长度方向倾斜设置...
    2026-04-18
  • 用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法
    用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法_西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司_202512031133.6
    本发明涉及CVI沉积炉及气相涂层方法，具体涉及用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法。为解决现有技术中存在常规单一的标准化CVI工艺生产不能满足大尺寸石墨回转体一炉次快速制备SiC涂层的不足之处，本发明用于大尺寸石墨回转体...
    2026-04-18
  • 半导体沉积设备的进气装置及衬底处理装置
    半导体沉积设备的进气装置及衬底处理装置_研微(江苏)半导体科技有限公司_202610112450.2
    本发明提供了一种半导体沉积设备的进气装置及衬底处理装置，所述进气装置包括混管路，混合器具有内腔、相对设置的第一端部和第二端部；混合器在侧壁设有气体通道，用于输入反应器所需的工艺气体；第二端部设有流体连通至反应器的气体出口；内腔中设有由第一端...
    2026-04-18
  • 托盘组件及化学气相沉积装置
    托盘组件及化学气相沉积装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411410491.7
    本发明公开了一种托盘组件及化学气相沉积装置，化学气相沉积装置内设置有托盘旋转机构，托盘组件设置在托盘旋转机构上，托盘组件上方还设置有进气机构，进气机构提供的工艺气体从托盘组件的中心向边缘水平流动，托盘组件包括：托盘；多个基片槽，基片槽分布在...
    2026-04-18
  • 石墨盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备
    石墨盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511840454.4
    本公开提供了一种石墨盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备，属于半导体技术领域。所述石墨盘包括盘体以及围绕所述盘体的中心布置的多个晶圆槽；所述盘体具有相对设置的第一表面和第二表面，每个所述晶圆槽的开口均位于所述第一表面；所述多个晶圆槽中的第一...
    2026-04-18
  • 支撑装置及薄膜沉积设备
    支撑装置及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902345.0
    本申请提供了一种支撑装置及薄膜沉积设备，该支撑装置包括：支撑轴；加热机构，加热机构设置于支撑轴；基座，基座设置于加热机构背离支撑轴的一侧，基座在第一方向上具有相互背离的第一端面和第二端面，第一端面设置有第一凸起结构或第一凹槽结构，和/或第二...
    2026-04-18
  • 承载销组件及沉积设备
    承载销组件及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511913513.6
    本公开实施例涉及半导体制造领域，提供一种承载销组件及沉积设备，至少可以改善半导体制造过程中由于高温导致的热膨胀角度偏移问题。承载销组件包括：杆体；配重块，所述杆体的一端穿过所述配重块；补偿结构，所述补偿结构位于所述配重块与所述杆体之间；其中...
    2026-04-18
  • 纳米类金刚石薄膜血管支架及其制备方法
    纳米类金刚石薄膜血管支架及其制备方法_内蒙古工业大学_202310516778.7
    本发明涉及医疗器械领域，具体涉及一种纳米类金刚石薄膜血管支架及其制备方法，包括以下步骤：首先对基材进行预处理，然后采用等离子增强化学气相沉积技术制备纳米类金刚石薄膜支架，将设备反应室调至真空状态后，在氩气保护下，将苯输入直流电弧放电等离子体...
    2026-04-18
  • 一种用于电场均衡的调节装置
    一种用于电场均衡的调节装置_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511947117.5
    本申请涉及一种用于电场均衡的调节装置，该调节装置包括：反应腔体、阻抗调节器、多个电极站及升降机构；所述阻抗调节器采用具有导电弹性材料制成，设置在所述反应腔体的几何中心且接地；每个电极站包括下电极和上电极，所述下电极围绕所述阻抗调节器布置于所...
    2026-04-18
  • 循环化学气相沉积方法和循环化学气相沉积装置
    循环化学气相沉积方法和循环化学气相沉积装置_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202512032341.8
    本发明涉及一种循环化学气相沉积方法和循环化学气相沉积装置，该方法包括如下步骤：步骤1，向工艺腔室内注入工艺气体和反应气体；步骤2，一边注入所述工艺气体和所述反应气体，一边施加等离子体；步骤3，一边注入所述反应气体，一边施加等离子体；以及步骤...
    2026-04-18
  • 加热盘机构及薄膜沉积设备
    加热盘机构及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511948067.2
    本申请提供了一种加热盘机构及薄膜沉积设备，包括：滑环组件，滑环组件包括转子和定子，转子和定子转动配合；加热盘，加热盘包括盘柄和盘体，盘体通过盘柄连接至转子；连接柱组件，连接柱组件包括第一电连接柱和第二电连接柱，第一电连接柱设置于定子，第二电...
    2026-04-18
  • 一种化学气相沉积方法
    一种化学气相沉积方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610094534.8
    本申请实施例公开一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括：提供化学气相沉积装置，化学气相沉积装置包括腔体和射频信号源，射频信号源位于腔体外，腔体设置有射频信号输入端；射频信号源用于通过射频信号输入端向腔体内提供射频信号；提供半导体本体，...
    2026-04-18
  • 一种双面超导带材制备装置
    一种双面超导带材制备装置_松山湖材料实验室_202512024194.X
    本发明属于超导带材技术领域，公开了双面超导带材制备装置，包括反应箱、传送单元、喷淋单元和加热单元，传送单元用于沿第一方向传送基带，基带沿第一方向可活动地穿设反应箱，喷淋单元设置于反应箱内，并能向反应箱内的基带的第一表面和第二表面喷淋有机源颗...
    2026-04-18
  • 一种加热器失效防护检测方法和系统
    一种加热器失效防护检测方法和系统_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610312656.X
    本申请公开了一种加热器失效防护检测方法和系统，属于伺服控制技术领域。其主要包括：在将薄膜沉积设备从维护模式切换至标准模式时，将加热器运行到原点；以预定的速度将加热器从原点向下限位传感器方向运行，并获取下限位传感器的触发信号，以及记录触发信号...
    2026-04-18
  • 一种制备石墨烯薄膜的设备和方法
    一种制备石墨烯薄膜的设备和方法_万华化学集团股份有限公司_202511810530.7
    本申请实施例提供一种制备石墨烯薄膜的设备和方法。涉及石墨烯制备技术领域。制备石墨烯薄膜的设备，包括承载组件、机体、真空组件、输送组件和多个启闭组件，承载组件包括铜箔和载板，铜箔设置在载板上；机体内设置有连通的预处理腔、镀膜腔和冷却腔，预处理...
    2026-04-18
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610037595.0
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述制备方法在形成第一金属层的过程中，采用一遮挡环沿Taiko环的周围遮蔽Taiko环的部分顶表面，从而使得遮挡环遮蔽下的Taiko环的部分顶表面不会被金属溅射到，则不会被第一金属层覆盖。即，Ta...
    2026-04-18
  • 一种活性位点预还原工艺高效制备金属包覆陶瓷粉体的方法
    一种活性位点预还原工艺高效制备金属包覆陶瓷粉体的方法_中国计量大学_202610005401.9
    本发明公开了一种活性位点预还原工艺高效制备金属包覆陶瓷粉体的方法，属于粉末冶金技术领域。本发明通过在化学镀前对活化后陶瓷粉末表面的氧化活性位点进行预还原处理，显著提升了后续金属包覆陶瓷粉体的制备效率。相较于活化后直接化学镀的工艺，该预还原步...
    2026-04-18
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