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最新专利技术
  • 有机发光显示装置
    有机发光显示装置_雅世电子科技有限公司_202480062867.1
    有机发光显示装置可以包括：电源线；多个子像素；多个子像素处的多个有机发光元件；以及在多个子像素周边将多个有机发光元件的多个阴极电极连接于电源线的多个连接结构。多个子像素可以沿第1方向具有不同的颜色，沿交叉于第1方向的第2方向具有相同的颜色。
    2026-04-30
  • 有机发光显示设备
    有机发光显示设备_雅世电子科技有限公司_202480062079.2
    有机发光显示设备可包括：多个子像素处的多个阳极电极；多个阳极电极上的多个有机发光层；多个有机发光层上的多个阴极电极；与第一方向交叉的第二方向上的多个子像素之间的多个第一堤；多个第一堤下沿第一方向的多个第一电源线；以及设置于多个第一堤中部分第...
    2026-04-30
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001701.9
    一种显示面板，包括公共电极(163)，公共电极(163)在段差处被隔断，形成导电部(164)和悬空部(165)，悬空部(165)可以减小非显示区(200)的电腐蚀，保证正常的显示效果。导电部(164)在衬底基板(11)上的正投影、发光控制走...
    2026-04-30
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001704.2
    提供一种显示面板和显示装置。在显示面板中，第一子像素被配置为发第一颜色光，第二子像素被配置为发第二颜色光，第三子像素被配置为发第三颜色光。第一子像素、第二子像素和第三子像素至少满足如下关系之一：关系一：第二颜色光的色域横坐标和第三颜色光的色...
    2026-04-30
  • 像素驱动电路、显示面板、显示装置
    像素驱动电路、显示面板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001702.3
    一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，显示面板包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素单元。子像素单元包括衬底基板上的电极层和像素定义层：电极层设有间隔分布的第一电极部(D1)和第二电极部(D2)，分别作为同色发光单元的第一电极；像素定义层...
    2026-04-30
  • 通过喷墨打印实现微型LED的隔离
    通过喷墨打印实现微型LED的隔离_科迪华公司_202480057954.8
    一种处理微型LED基板的方法，包括：将阻隔材料沉积在组装于微型LED基板上的每个微型LED的发光表面；以及将限制材料沉积在每个微型LED周围，其中：所述阻隔材料防止所述限制材料接触每个微型LED的发光表面。
    2026-04-30
  • 在太阳能电池上显示鲜明图像的系统
    在太阳能电池上显示鲜明图像的系统_丰田自动车工程及制造北美公司_202480062441.6
    本文描述的系统、方法和其它实施例涉及一种设备，该设备具有将光的角度引导朝向太阳能电池的透镜和具有改善图像清晰度、反射率和鲜明度的部件的显示部分。在一个实施例中，一种系统包括：将第一角度范围内的入射光引导用于吸收并且将第二角度范围内的入射光引...
    2026-04-30
  • 用于制造太阳能电池的方法和装置
    用于制造太阳能电池的方法和装置_韩华思路信株式会社_202480062886.4
    根据本发明的一个实施方式的用于制造太阳能电池的装置包括：输送单元，在其上安置有多个基板，并且其输送多个基板；以及第一喷洒单元，用于用喷洒溶液喷洒安置在输送单元上的多个基板，其中，以网格形式为结构的输送单元连续地输送多个基板，并且固定在输送单...
    2026-04-30
  • 固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法
    固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法_浜松光子学株式会社_202480061465.X
    本公开的固体摄像元件具备：半导体基板，其具有：具有第1导电型的第1区域、及具有与所述第1导电型不同的第2导电型的多个第2区域；多个接合端子，其电连接于所述第2区域，且分别连接于不同的外部端子；与栅极端子，其与所述第2区域电绝缘，多个所述接合...
    2026-04-30
  • 光检测装置、光学元件和电子设备
    光检测装置、光学元件和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480052619.9
    光检测装置包括第一层、第二层以及光电转换元件。所述第一层包括：在第一方向上并排设置的多个第一结构体；和设置于所述第一结构体周围且具有与所述第一结构体的折射率不同的折射率的第一介质。所述第二层包括：在所述第一方向上并排设置的多个第二结构体；和...
    2026-04-30
  • 光检测装置和测距系统
    光检测装置和测距系统_索尼半导体解决方案公司_202380102901.9
    光检测装置(1)包括：第一雪崩光电二极管(11A)，其放大因入射的光子而产生的载流子，所述第一雪崩光电二极管布置于第一基板(101)的第一区域(A1)中并且具有要被提供有第一阳极电压的第一阳极区域(104A)；以及第二雪崩光电二极管(11B...
    2026-04-30
  • 氮化镓集成器件
    氮化镓集成器件_湖南三安半导体有限责任公司_202480001981.3
    本申请提供一种氮化镓集成器件，包括衬底、半导体外延层、第一源极、第一栅极、第一漏极以及第一盖帽层。具体的，半导体外延层设置于衬底的一侧；半导体外延层包括增强型氮化镓器件区域和耗尽型氮化镓器件区域；第一源极、第一栅极和第一漏极均设置于耗尽型氮...
    2026-04-30
  • 激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法
    激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380102695.1
    根据本实施方式的激光照射装置(1)是如下激光照射装置，其构造成能够用激光照射由化合物半导体形成的晶圆，以形成在该晶圆上形成的半导体器件的背电极，所述激光照射装置(1)包括：台(110)，其构造成能够保持晶圆(W)；激光光源(10)，其构造成...
    2026-04-30
  • 在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构
    在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480061176.X
    本文公开了FeFET晶体管和相关的集成电路。晶体管(1612a)的沟道层可以由非晶氧化物半导体形成。可以被利用的非晶氧化物半导体的示例包括氧化铟、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝...
    2026-04-30
  • 混合沟道功率半导体器件及其制造方法
    混合沟道功率半导体器件及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060541.5
    提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括碳化硅衬底、形成在碳化硅衬底的第一侧的硅层、形成在硅层上的栅极氧化物层、形成在栅极氧化物层上的栅极端子、形成在碳化硅衬底的与第一侧相对的第二侧的漏极端子、以及形成在碳化硅衬底的第一侧并且位于硅层的相对...
    2026-04-30
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062040.0
    一种半导体结构可以包括具有表面的衬底、形成在表面上的隔离结构、形成在表面上邻近隔离结构的有源区、在隔离结构和有源区上方延伸的栅极、以及形成在有源区内的源极区。源极区可以包括邻近栅极的第一部分和隔离结构形成的第一子区和邻近栅极的第二部分形成的...
    2026-04-30
  • 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
    薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001703.8
    本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：衬底基板，设置在衬底基板上的第一半导体有源层、栅极、源极和漏极；所述源极与所述第一半导体层的源极接触区连接，所述漏极与所述第一半导体层的...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063008.4
    提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一导电层、第一金属氧化物层、栅极绝缘层及第一栅电极。第二晶体管包括第二导电层、第三导电层、第二金属氧化物层、栅极绝缘层及第二栅电极。第一绝缘...
    2026-04-30
  • 用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触
    用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触_国际商业机器公司_202480049122.1
    本发明的实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一晶体管，其具有第一源极/漏极(S/D)区域；第二晶体管，其具有第二S/D区域，该第二晶体管堆叠在第一晶体管的顶部上；以及第一S/D接触，其由第一晶体管的第一S/D区域和第二晶体管的第...
    2026-04-30
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202480003292.6
    提供了用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。在一个方面中，半导体装置包括沿第一方向相互交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。所述第一堆叠体包括：相互交替的一个或多个第一导电层和一个或多个第一隔离层，以及相互交替的第二导电层和第...
    2026-04-30
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