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最新专利技术
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510949791.0
    提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括；存储器单元区域，包括存储器单元；以及核心/外围区域，包括电容器。电容器包括下电极和上电极，第一电位电平通过第一金属图案被施加至下电极，并且下电极形成在核心/外围区域上，比第一电位电平低的第二...
    2026-05-01
  • 一种三维动态随机存取存储器及其制造方法
    一种三维动态随机存取存储器及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202512032047.7
    本发明公开了一种三维动态随机存取存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，用于提高动态随机存取存储器的存储密度。所述三维动态随机存取存储器包括：呈立体阵列分布的多个存储单元、以及用于将不同存储单元隔离开的介质结构。每个存储单元包括：晶体管和电...
    2026-05-01
  • 存储器及存储器的制备方法
    存储器及存储器的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610377289.1
    本公开提供了一种存储器及存储器的制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器包括：衬底，包括相邻分布的第一中心区和第二中心区，以及位于第一中心区和第二中心区之间的边缘区；第一存储阵列，位于第一中心区；第二存储阵列，位于第二中心区；第一选择晶体管，...
    2026-05-01
  • 用于图案化的方法以及存储器结构
    用于图案化的方法以及存储器结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764728.6
    本公开描述了一种用于存储单元中的条带区域的图案化工艺，用于移除多晶硅线之间的材料。图案化工艺包括：在插入第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层。图案化工艺还...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411466742.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成保护层；在保护层上形成叠置结构；基于第一沟槽，对第一沟槽两侧的多层第一绝缘层进行刻蚀并形成多层第一导电层；基于第二过孔，对第二过孔外周的多层第一绝缘层...
    2026-05-01
  • 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202511389616.7
    本公开的实施例提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括：基板；堆叠结构，堆叠结构包括垂直且交替地堆叠在基板上的电介质图案和导电图案；源极导电图案，源极导电图案位于堆叠结构上；上导线，上导线位于堆叠结构与源极导电图案之间...
    2026-05-01
  • 存储器装置
    存储器装置_英特尔NDTM美国有限公司_202411463209.1
    本发明提供一种存储器装置，其包括：衬底；设置在衬底上的由堆叠体构成的多个存储器阵列；和设置在多个存储器阵列彼此之间的阶梯结构，在堆叠体的边缘处设置有贯穿多个电介质层和导电层的不作为存储单元发挥作用的第一伪柱(11、21)，在阶梯结构中设置有...
    2026-05-01
  • 存储器装置和该存储器装置的制造方法
    存储器装置和该存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510562844.3
    本申请涉及存储器装置和该存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括：形成包括交替层叠的第一层间绝缘层和第一牺牲层的第一层叠物，第一牺牲层具有第一蚀刻速率；在第一层叠物上方形成第二层叠物，该第二层叠物包括交替层叠的第二层间绝缘层和第二...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制备方法和半导体器件
    半导体结构及其制备方法和半导体器件_长江存储控股股份有限公司_202411406266.6
    本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体的技术领域。半导体结构包括层叠设置的多个晶圆组，相邻的两个晶圆组键合。晶圆组包括晶圆和第一互联部。晶圆的数量为多个，多个晶圆层叠设置，相邻的两个晶圆键合。晶圆包括绝缘介质...
    2026-05-01
  • 具有高密度Z轴互连的3D计算电路
    具有高密度Z轴互连的3D计算电路_艾克瑟尔西斯公司_202511990129.6
    本发明的一些实施例提供了一种具有高密度Z轴互连的3D计算电路，该电路包括第一集成电路IC裸片，包括第一处理器核；以及第二IC裸片，被垂直安装在第一IC裸片上，IC裸片包括用于第一处理器核的第一高速缓存，其中，第一高速缓存在重叠区域处与第一处...
    2026-05-01
  • 深沟槽电容的加工方法及电容器
    深沟槽电容的加工方法及电容器_厦门大学_202610057928.6
    本发明公开了一种深沟槽电容的加工方法及形成的电容器，其是在玻璃的第一衬底中加工第一通槽，将其与第二衬底键合后，在第一衬底一侧沉积覆盖第一通槽表面的MIM多层形成第一电容，并制作连接线路。本发明可加工更高垂直度与深宽比的通槽结构，以此实现的深...
    2026-05-01
  • 一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法
    一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法_复旦大学_202511866265.4
    本发明公开了一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法；本发明的制备方法包括：准备一氧化镓衬底；在氧化镓衬底上生长SiO2，并在快速热退火设备中氧气氛围退火；对氧化镓衬底进行背部刻蚀，同时使用氢氟酸洗掉氧化镓衬底表面的SiO...
    2026-05-01
  • 一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法
    一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511910998.3
    本发明提供一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法，包括：在氮化镓基外延片的P‑GaN帽层上光刻氢注入区域，进行氢离子注入，对器件进行低温退火，以使氢离子与Mg离子结合，形成高阻钝化区；在P‑GaN帽层远离氢注入区域的一侧边缘区域...
    2026-05-01
  • 具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件
    具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件_西安电子科技大学_202511967826.X
    本发明公开了一种具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件。该二极管雪崩整形器件包括负电极、SiC衬底、P型控制区、SiC外延层、波纹形P+区、JTE区、钝化层和正电极；波纹形P+区的第一凸起嵌设在SiC外延层之中，第一凸起在SiC衬...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法与外延片
    半导体器件及其制备方法与外延片_深圳平湖实验室_202610120356.1
    本申请涉及半导体领域，公开一种半导体器件及其制备方法与外延片。该半导体器件包括衬底、半导体膜层、第一电极和第二电极。衬底包括第一表面，衬底为单晶‑Ga2O3衬底，第一表面为单晶‑Ga2O3的(100)晶面或(001)晶面。半导体膜层设于衬底...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511273759.1
    本公开提供一种能提高失真特性的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：阻挡层，具有具备氮极性的第一上表面；沟道层，处于所述第一上表面之上，具有具备氮极性的第二上表面，具有第一方向的第一极化；以及铁电体层，处于所述第二上表面之上，具有与所...
    2026-05-01
  • 一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法
    一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法_北京大学_202610034094.7
    本发明提出一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明将传统平面TFET器件与FinFET结构相结合，可以提高开态电流的同时保持低关态电流的优势，同时抑制双极电流，即在源区自对准制备扩展区，从而在栅源交叠处形成隧穿结，...
    2026-05-01
  • 基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法
    基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法_西北工业大学_202610023115.5
    本申请属于微纳半导体电子器件技术领域，公开一种基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法。该晶体管自下而上包括SiO2/Si衬底、hBN钝化层、源/漏Au电极、MoTe2沟道、hBN介电层、石墨烯栅极和顶栅Au电极；源、漏电极与沟道形...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511985727.4
    本发明提供一种半导体器件的制备方法包括：形成底层结构，形成栅极结构的材料层；形成第一介质层；在所述第一介质层的一侧或两侧形成栅极结构的顶部侧墙；去除所述第一介质层；以所述顶部侧墙为掩膜，刻蚀栅极结构的材料层，以形成栅极结构；形成第一钝化层，...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511987369.0
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：形成底层结构，所述底层结构至少包括基底层和位于所述基底层上方的沟道层，以及位于所述沟道层上表面的势垒层，在所述势垒层的上方形成栅极结构的材料层；在所述栅极结构的材料层预设区域的上表面形成第一...
    2026-05-01
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