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  • 本申请涉及重新布线层基板及其制造方法。一种重新布线层基板包含顶层、底层、多个中间层以及保护层。顶层包含多个第一导电垫。底层包含多个第二导电垫。多个中间层设置于顶层及底层之间,多个中间层包含多个层间走线,分别连接各第一导电垫及各第二导电垫。保...
  • 本发明涉及一种上下两侧分布上桥和下桥且均含有单管的功率模块,包括下桥、上桥、塑封体和若干端子;下桥包括下基板和若干下单管;若干下单管贴装在下基板的上表面;上桥包括上基板和若干上单管;若干上单管贴装在上基板的下表面;若干下单管的底部引脚与下基...
  • 本发明公开了一种SOP塑封封装结构以及封装方法,该封装结构包括引线框架,通过塑封料包覆引线框架的上下两面并填充基岛与引脚之间的间隙形成塑封层,引脚的引出端暴露于塑封层外,引线框架的上表面的塑封层通过开盖至少暴露出基岛的装片区和引脚的键合区,...
  • 本申请公开了一种QFN封装结构及其制作方法,所述QFN封装结构,包括:若干分立的管脚,每一个所述管脚包括相对的正面和背面;包覆所述管脚的塑封层,所述塑封层的背面露出所述管脚的背面;位于所述塑封层中至少与部分所述管脚电连接的管脚延伸部;贯穿所...
  • 本申请提供一种引线框架及芯片封装结构,引线框架包括:具有引脚阵列对的框架单元;设置在相邻框架单元之间的中筋,中筋包括至少一个中筋实体,中筋实体用于连接相邻两个框架单元的引脚阵列,中筋实体在中筋宽度方向的实体切割宽度或者实体切割宽度之和小于等...
  • 本发明涉及集成电路引线及引线框架技术领域,具体涉及一种高密度功率器件双排引线框架,包括:两条相互平行且相对设置的边框;多个框架单元,多个框架单元在两条所述边框之间排列成两排,且每排中的框架单元沿所述边框的长度方向依次设置;多个基岛,每个所述...
  • 本发明公开了一种替换便捷的功率模块设计方法,涉及功率模块等半导体领域,包括:提供一模块外包络,模块外包络包含模块的正极、模块的输出极、模块的负极、散热底板、信号端子;在所述散热底板上设置多个可独立拆卸的单体塑封小模组;每个所述单体塑封小模组...
  • 本发明公开了一种新型低电感高功率模块,包括:散热基板、绝缘基板、注塑外壳、电子部件、上盖和至少三个功率端子;散热基板上形成有一安装面,安装面可拆卸地连接有注塑外壳,注塑外壳内形成有一安装腔;绝缘基板设置于安装面上,绝缘基板设置于安装腔内,绝...
  • 本公开提供一种多器件嵌埋的封装基板及其制作方法。具体地,所述制作方法包括:提供一框架基板,所述框架基板包括第一口框和环形铜柱,接着将第一元器件放入第一口框中进行封装,再通过蚀刻环形铜柱得到第二口框,然后用具有粘性的树脂材料填满填第二口框,将...
  • 本公开提供一种双面嵌埋的封装基板及其制作方法,通过在一个口框内堆叠嵌埋至少两个元器件,达到减少制作流程,降低封装基板在平面方向的面积,减少封装尺寸的技术效果。
  • 本发明涉及一种通过可刻蚀连接垫实现单孔多芯片连接的三维集成方法,包括:至少两层的多层待堆叠芯片,每层芯片包括功能结构和易结合层,至少位于所述待堆叠芯片用于堆叠的面有所述易结合层,且至少有一层芯片包括可刻蚀连接垫;将多层待堆叠芯片对准、堆叠,...
  • 本发明涉及一种实现三维堆叠芯片的连接方法,包括:提供至少两片芯片,其中至少有一片所述芯片上有超深孔,所述超深孔填充有第一填充材料,所述超深孔通过连接结构与所述芯片内部形成材料连接,每片所述芯片用于堆叠键合的面有非连接结构易结合层;将所述多片...
  • 本申请公开了一种焊接工装的制备方法、焊接工装、焊接方法及焊接结构,属于毫米波射频传输技术领域。本申请基于高精度的半导体微加工工艺制备得到焊接工装,该焊接工装包括层叠设置的两层凹槽,结构简单易制且精度高;在焊接前通过将分立式肖特基二极管和电路...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种散热载板的制造方法、散热载板及功率半导体器件。该制造方法包括:在陶瓷基板的一侧面沉积活性金属层,在活性金属层远离陶瓷基板的一侧面沉积熔融金属层,将金属基板层叠于熔融金属层远离活性金属层的一侧面,制成焊...
  • 一种对准标记及获取对准偏移量的方法,对准标记包括:切割道区,位于基底上;对准标记叠层结构,位于所述切割道的基底顶部,所述对准标记叠层结构包括第一对准标记以及位于所述第一对准标记上方的第二对准标记,且所述第一对准标记的尺寸与所述第二对准标记的...
  • 本发明提供一种功率半导体模块的封装结构,涉及半导体封装技术领域,包括:壳体,所述壳体的底部内壁固定有直接覆铜陶瓷基板,所述直接覆铜陶瓷基板上焊接有功率半导体芯片、信号端子和功率端子;所述壳体的各侧面的连接处设有绝缘挡板,和/或所述壳体的宽度...
  • 本申请公开了一种用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器。用于芯片的防辐射方法包括:在所述芯片的外侧设置电极。本申请通过外加电极而不改变芯片本身的结构,使得带电粒子被电极吸收,没有影响到芯片本身的结构和性能,解决改变芯片设计导致性能改变的...
  • 本申请公开了一种用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器。防辐射方法包括:在芯片的外侧设置光反射模块,光反射模块与芯片的探测面之间设置预设距离且两者呈预设角度布置。本申请通过外部物理结构(光反射模块)在辐射到达芯片前进行干预,使得高能粒子...
  • 本发明提供一种高爬电距离功率器件封装结构,包括:封装件主体、基岛、椭圆锁胶孔、多个管脚和长条形凹槽;基岛开设于封装件主体的表面;椭圆锁胶孔开设于封装件主体的表面且与基岛的上方;多个管脚分别连接于封装件主体的底部;长条形凹槽开设于封装件主体的...
  • 提供一种电子装置,该电子装置能够有效地散发从半导体产生的热,并且小型、轻量化,该电子装置具备箱体(20)、基板(31)、半导体(33)、散热片(50)、第一凸部(51)、以及第二凹部(233),第一凸部(51)被设置于散热片,第二凹部被设置...
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