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最新专利技术
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法以及光伏组件
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法以及光伏组件_比亚迪股份有限公司_202411473099.7
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法以及光伏组件，钙钛矿太阳能电池包括空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层，所述钙钛矿太阳能电池还包括位于所述空穴传输层与所述钙钛矿层之间的第一界面层和/或位于所述钙钛矿层与所述电子传输层之间的第二界面层；...
    2026-05-01
  • 苯并咪唑类修饰的钙钛矿层及在反型钙钛矿电池中的应用
    苯并咪唑类修饰的钙钛矿层及在反型钙钛矿电池中的应用_重庆大学_202610314631.3
    本发明属于光电材料领域，涉及一种苯并咪唑类修饰的钙钛矿层及在反型钙钛矿电池中的应用。钙钛矿层为引入含巯基和羧基的苯并咪唑类化合物进行修饰的薄膜。含巯基和羧基的苯并咪唑类化合物为具有苯并咪唑平面骨架，同时具有一个巯基官能团(C=S)和一个羧基...
    2026-05-01
  • 通讯结构
    通讯结构_友达光电股份有限公司_202610118328.6
    一种通讯结构包括基板、反射结构、多个发光元件；多个发光元件设置于基板上；反射结构设置于基板上且环绕多个发光元件的每一个；反射结构包括第一表面，第一表面的法向量与基板的法向量之间具有夹角且夹角的范围落在60~90度。
    2026-05-01
  • 一种提高Micro LED矩阵大灯光效及稳定性的微型结构及制备方法
    一种提高Micro LED矩阵大灯光效及稳定性的微型结构及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202610365313.X
    本申请公开了一种提高Micro LED矩阵大灯光效及稳定性的微型结构及制备方法，所述微型结构包括Micro LED芯片单元的N侧ITO电流扩展层，所述N侧ITO电流扩展层内开设有周期性错位排布的圆锥形孔洞结构，刻蚀深度为ITO层总厚度的50...
    2026-05-01
  • 全彩显示装置及其制备方法
    全彩显示装置及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511761355.7
    本公开提供了一种全彩显示装置及其制备方法，属于半导体技术领域。该显示装置包括：驱动背板、多个像素单元；像素单元包括蓝光像素单元、绿光像素单元和红光像素单元；各蓝光像素单元、各绿光像素单元和各红光像素单元分别键合在驱动背板上；在平行于驱动背板...
    2026-05-01
  • 一种微透镜结构Micro-LED发光模组及其制备方法
    一种微透镜结构Micro-LED发光模组及其制备方法_南昌大学_202511874014.0
    本发明提供一种微透镜结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，涉及显示芯片领域，方法包括获取发光半导体层像素阵列与键合金属层阵列；填充发光半导体层像素阵列之间的间隔区形成整面钝化层并抛光以漏出发光半导体层中的N型半导体层，刻蚀整面钝化层以...
    2026-05-01
  • 一种像素结构及其制造方法、显示装置
    一种像素结构及其制造方法、显示装置_南昌大学_202511812180.8
    本发明提供了一种像素结构及其制造方法、显示装置，通过设置多个用于LED显示的像素，像素包含能够发出三种不同颜色光，且相互分离的第一子像素、第二子像素以及第三子像素；第二子像素位于第一子像素沿第一方向线的右侧；第三子像素位于第一子像素沿第二方...
    2026-05-01
  • 芯片、显示装置、电子设备、母板及其制备方法、发光器件
    芯片、显示装置、电子设备、母板及其制备方法、发光器件_华为技术有限公司_202411464585.2
    本申请实施例提供一种芯片、显示装置、电子设备、母板及其制备方法、发光器件，涉及半导体技术领域，用于降低显示装置中LED器件之间的光学串扰。通过在芯片中的一个或多个发光器件中设置反光挡墙，可以将发光器件侧面辐射出的光进行反射，以垂直于基板的方...
    2026-05-01
  • 一种高压发光二极管及发光装置
    一种高压发光二极管及发光装置_湖北三安光电有限公司_202511936916.2
    本申请提供了一种高压发光二极管及发光装置，通过改变绝缘层的设置，使得桥接电极从垂直于所述衬底所在平面方向观察，具有端部以及端部之间的弧状连接部；弧状连接部向距离其最近的高压发光二极管的一边凸出；在发光单元之间隔离槽所对应的区域，弧状连接部的...
    2026-05-01
  • 一种MicroLED巨量转移装置
    一种MicroLED巨量转移装置_绍兴圆炬科技有限公司_202410082140.1
    本发明公开了一种MicroLED巨量转移装置，包括有设置在XY轴位移平台上方的上载台；所述上载台正下方设置有调平组件；所述调平组件包括有纵向滑动连接在所述XY轴位移平台上的连接盘、设置在所述连接盘正上方的下载台、三个纵向设置在所述连接盘上端...
    2026-05-01
  • 一种显示背板Micro-LED巨量转移装置及转移方法
    一种显示背板Micro-LED巨量转移装置及转移方法_深圳科莱智能显示有限公司_202310635095.3
    本发明公开了一种显示背板Micro‑LED巨量转移装置及转移方法，装置包括固晶组件、覆晶组件和外加温度场装置；外加温度场装置用于产生温度场，还包括限位组件一和限位组件二，限位组件一在外加温度场装置产生温度场时取消对覆晶安装头的限位且在温度场...
    2026-05-01
  • 一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用
    一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用_山西高科华兴电子科技有限公司_202512050047.X
    本发明公开了一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用，涉及半导体发光器件与微电子封装领域，所述制备方法包括如下步骤：提供一微型化封装支架，其上设有四个电性引脚；将驱动芯片及至少一组RGB LED芯片通过固晶工艺固定在封装支架的...
    2026-05-01
  • 一种悬空LED结构的制备及转移方法
    一种悬空LED结构的制备及转移方法_安徽工程大学_202512023828.X
    本发明涉及微型发光二极管技术领域，具体涉及一种悬空LED结构的制备及转移方法，其对制备完成后的Micro‑LED器件，通过选择性金属沉积、中介层键合、衬底剥离以及局部区域的刻蚀减薄实现Micro‑LED结构的悬空，之后通过真空胶压的形式实现...
    2026-05-01
  • 一种多色可调LED芯片及其制备方法
    一种多色可调LED芯片及其制备方法_南昌大学_202511988485.4
    本发明提供一种多色可调LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片技术领域，方法包括：刻蚀第二发光叠层暴露出第一P型层以获得窗口，再刻蚀第一发光叠层及刻蚀第二发光叠层以暴露出第一N型层和第二N型层以形成隔离的第一发光单元及第二发光单元；刻蚀沟槽区...
    2026-05-01
  • 显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备
    显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511895904.X
    本发明涉及一种显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备，属于LED显示设备制造工艺技术领域。显示屏灯板切割方法包括：获取显示屏的灯板以及阵列在灯板上的晶片的平面图像；基于平面图像，选取靠近灯板待拼接边缘，并沿拼接线延伸方向间隔布置的晶片作...
    2026-05-01
  • 无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法
    无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法_深圳市明格精密科技有限公司_202610185495.2
    本发明公开了无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法，无底座带碗杯LED灯珠包括碗杯主体、倒装LED芯片及反射胶体，碗杯主体具有贯通式杯腔；倒装LED芯片位于贯通式杯腔内，倒装LED芯片底部具有芯片焊盘；反射胶体填充贯通式杯腔底部并固定倒装LED...
    2026-05-01
  • 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
    一种垂直结构LED芯片及其制备方法_南昌大学_202610032193.1
    本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，其芯片从下到上依次包括导电基板、键合金属层、反射层、ITO薄膜层、外延层和N电极；ITO薄膜层夹设于反射层和外延层之间。通过在反射层和外延层之间插入ITO薄膜层，有效改善了反射层金属向外延层缺陷...
    2026-05-01
  • 一种具有多孔光限制层的micro-LED器件
    一种具有多孔光限制层的micro-LED器件_南京大学_202610099825.6
    本发明公开了一种具有多孔光限制层的micro‑LED器件及制备方法，在衬底上制备的含有特殊掺杂设计的多层氮化物半导体薄层结构实现发光二极管(LED)基本功能，结合采用电化学腐蚀技术将外延片中特殊掺杂层转化为多孔层，进一步结合微小LED(mi...
    2026-05-01
  • 一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法
    一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610354126.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法，外延结构包括衬底及外延层，外延层中的有源层与电子阻挡层之间设有位错屏蔽层，且位错屏蔽层填充合并有源层上的V型坑；位错屏蔽层包括沿外延方向依次生长的三维BAlN...
    2026-05-01
  • 一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺
    一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺_九江学院_202511848630.9
    本发明公开了一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺，属于量子点显示技术领域。技术方案包括：合成InP/ZnSe/ZnS量子点并经纯化、辛硫醇配体交换；处理ITO基板后，依次旋涂多功能层并退火，沉积Al阴极后封装。该工艺通过优化量子点核壳结...
    2026-05-01
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