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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202512004943.2
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，半导体器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括多个金属连接结构，多个金属连接结构包括多个目标金属连接结构及多个非目标金属连接结构；在衬底形成多个遮挡结构，遮挡结构对应覆盖非目标金属连...
    2026-04-19
  • 金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件
    金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202511763512.8
    本申请实施例涉及半导体器件技术领域，公开一种金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件。该制备方法包括：提供碳化硅衬底，于碳化硅衬底的背面至少依次沉积一次第一金属层和第二金属层；采用纳秒紫外脉冲激光退火工艺对沉积有第一金属层和第二金属...
    2026-04-19
  • 一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统
    一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610033331.8
    本发明公开了一种半导体生产用的晶圆减薄参数优化方法及系统，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：采集待减薄晶圆的晶圆特征，设置磨削效率权重与磨削损伤权重；利用磨削预测器进行迭代优化，获得最优磨削参数及最优效率参数与最优损伤层参数预测值；根据磨...
    2026-04-19
  • 一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品
    一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品_苏州微士创芯科技有限公司_202610031342.2
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品。所述方法包括如下步骤，高温氧化：将支撑晶圆送入高温立式炉中进行高温氧化；熔融键合：将器件晶圆与支撑晶圆熔融键合形成第一键合晶圆；预处理：将第一键合晶圆预处理得到第二...
    2026-04-19
  • 一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法
    一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法_重庆凌芯微电子有限公司_202610024962.3
    本发明公开了一种适用于超薄及大翘曲度晶圆的背面蚀刻方法，对晶圆进行研磨加工，根据目标蚀刻后晶圆厚度选择对应处理方式，若目标蚀刻后厚度为30μm～100μm，先在晶圆正面贴附保护膜，再将贴膜后的晶圆与玻璃片通过键合工艺固定，本发明通过高精度定...
    2026-04-19
  • 带空腔结构的半导体衬底的制备方法及衬底
    带空腔结构的半导体衬底的制备方法及衬底_苏州微士创芯科技有限公司_202512003644.7
    本申请实施例涉及一种带空腔结构的半导体衬底的制备方法及带空腔结构的半导体衬底，其中方法包括：提供支撑衬底和器件衬底，支撑衬底内形成有空腔结构；对器件衬底执行离子注入工艺，注入的离子为III‑V族元素；执行键合工艺，以形成包括支撑衬底和器件衬...
    2026-04-19
  • 复合衬底的制备方法及复合衬底
    复合衬底的制备方法及复合衬底_苏州微士创芯科技有限公司_202511948165.6
    本申请涉及一种复合衬底的制备方法及复合衬底，方法包括：提供待处理的晶圆键合结构，晶圆键合结构包括支撑衬底、器件衬底、位于支撑衬底和器件衬底之间的绝缘层，支撑衬底的第一表面侧具有空腔结构，第一表面朝向器件衬底的第二表面设置；从器件衬底的第三表...
    2026-04-19
  • 一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法
    一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法_北京航空航天大学_202511898127.4
    本发明公开了一种离子束图案化与激光辅助各向异性湿法蚀刻的半导体加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用离子束注入技术，在碳化硅或金刚石等超硬晶圆的表面，沿着预设的路径形成一条非晶化的损伤线；(2)将晶圆浸入化学蚀刻液中；(3...
    2026-04-19
  • 一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法
    一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法_北京航空航天大学_202511897935.9
    本发明公开了一种基于多节点在线监控的半导体晶圆表面加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用第一组参数的激光对半导体晶圆表面进行扫描，以形成一层预设的改性层；在此过程中，通过一套双波长反射率比对系统实时监控并确保改性达到预定程...
    2026-04-19
  • 一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法
    一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法_北京航空航天大学_202511897658.1
    本发明公开了一种基于多级激光加工的硬脆半导体晶圆Taiko成型方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用多路并行的高斯光束飞秒激光对晶圆中心区域进行高效的逐层烧蚀减薄，作为粗加工步骤；(2)将激光切换为整形后的平顶光束，对中心薄化...
    2026-04-19
  • 一种基于无损双光谱协同监测的半导体晶圆激光加工方法
    一种基于无损双光谱协同监测的半导体晶圆激光加工方法_北京航空航天大学_202511897184.0
    本发明公开了一种无损双光谱协同监测激光加工方法，属于半导体制造技术领域。该方法将加工过程分为减薄和抛光两个阶段。在各阶段，均采用主激光束对碳化硅或金刚石晶圆进行扫描烧蚀，并同步执行原位清洗操作。一套集成的双光谱在线监控系统并行工作，该系统包...
    2026-04-19
  • 一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法
    一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法_北京航空航天大学_202511896844.3
    本发明公开了一种基于内外协同激光改性与电化学剥离的硬脆晶圆无损减薄方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用第一束超快激光在晶圆内部预定深度扫描，形成一层连续的内部改性层，以定义最终剥离的厚度；(2)采用第二束激光对晶圆的背面进行...
    2026-04-19
  • 一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法
    一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法_北京航空航天大学_202511896709.9
    本发明公开了一种基于激光内部改性剥离的晶圆Taiko结构一体化成型方法，属于半导体制造技术领域，特别适用于碳化硅或金刚石等硬脆晶圆。该方法包括：(1)将超快激光束聚焦于晶圆内部；(2)设定激光参数，在晶圆内部扫描形成一层三维分布的改性层，当...
    2026-04-19
  • 一种用于半导体衬底的激光动态调焦与原位清洗的复合减薄方法
    一种用于半导体衬底的激光动态调焦与原位清洗的复合减薄方法_北京航空航天大学_202511896355.8
    本发明公开了一种用于半导体衬底的激光动态调焦与原位清洗的复合减薄方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：使用主激光束对硬脆衬底进行扫描烧蚀减薄；在减薄过程中，通过位置传感模块实时监测衬底表面位置，并动态补偿焦点以确保激光能量密度恒定；同时...
    2026-04-19
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_中国科学院微电子研究所_202511783968.0
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件。本申请提供的半导体器件的制备方法包括：提供第一膜层结构，第一膜层结构包括相反设置的第一表面和第二表面，第一膜层结构上形成有容纳孔，容纳孔内填充有第一填充部；在第一表面背离第二表面的一侧形成第...
    2026-04-19
  • 一种晶圆人工目检和相机复判检测装置
    一种晶圆人工目检和相机复判检测装置_苏州纬旭智能装备有限公司_202512026249.0
    本发明公开了一种晶圆人工目检和相机复判检测装置，包括机壳，机壳内设置有工作台，机壳一侧开设有进料口；第一吸附机构，设于工作台顶部，第一吸附机构包括第一吸盘，第一吸盘用于吸附晶圆中心区域，第一吸盘下方设置有三轴旋转组件，三轴旋转组件底部与工作...
    2026-04-19
  • 晶圆边缘的形貌检测方法、系统以及电子设备
    晶圆边缘的形貌检测方法、系统以及电子设备_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512008982.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了晶圆边缘的形貌检测方法、系统以及电子设备，晶圆边缘的形貌检测方法包括：根据目标晶圆的半径、预设监测距离以及监测点与目标晶圆的缺口相对于目标晶圆的中心点之间的夹角，确定监测点的极坐标；基于监测点的极坐标，采...
    2026-04-19
  • 一种基于透明电极进行功率半导体器件缺陷检测的方法
    一种基于透明电极进行功率半导体器件缺陷检测的方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512007924.5
    本发明提供了一种基于透明电极进行功率半导体器件缺陷检测的方法，属于半导体器件缺陷检测技术领域，包括在半导体层测试基体的背面制备阴极电极；在半导体层测试基体的正面制备透明电极；在阴极电极与透明电极之间施加反向偏置电压；通过位于透明电极上方的微...
    2026-04-19
  • 一种通过接触工程实现低结晶度聚合物n型晶体管高稳定性和高性能的方法和系统
    一种通过接触工程实现低结晶度聚合物n型晶体管高稳定性和高性能的方法和系统_南京邮电大学_202511990911.8
    本发明公开了一种通过接触工程实现低结晶度聚合物n型有机薄膜晶体管高稳定性和高性能的方法包括：S1、使用低结晶度和高结晶度聚合物制备器件并设置变量，采用Al/Ti电极，且可选地使用Au电极作为参考；S2、测量传输Id–Vg和输出Id–Vd特性...
    2026-04-19
  • 一种电容电性测试方法及铪基铁电存储器的制造方法
    一种电容电性测试方法及铪基铁电存储器的制造方法_无锡舜铭存储科技有限公司_202511937855.1
    本发明公开一种电容电性测试方法，其首先在常温下，对电容结构施加电应力，进行写入‑读取、写入‑反写、读取操作，并根据写入‑读取、写入‑反写、读取操作下电容结构的剩余极化确定电容结构常温下的数据保持能力及抗印迹能力。随后，写入数据后，对电容结构...
    2026-04-19
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