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最新专利技术
  • 逻辑存储单元测试电路、测试方法、介质、程序产品及终端
    逻辑存储单元测试电路、测试方法、介质、程序产品及终端_芯原微电子(成都)有限公司_202512054970.0
    本公开提供逻辑存储单元测试电路、测试方法、介质、程序产品及终端。所述逻辑存储单元测试电路包括：测试集群模块，被配置为对所述测试使能信号和所述测试复位信号进行同步处理，以获得同步后的测试使能信号和同步后的测试复位信号，并且基于所述同步后的测试...
    2026-04-30
  • 时序校准参数确定方法、时序校准方法、装置及电子设备
    时序校准参数确定方法、时序校准方法、装置及电子设备_杭州海康存储科技有限公司_202511984171.7
    本申请实施例提供了一种时序校准参数确定方法、时序校准方法、装置及电子设备，涉及固态存储技术领域。时序校准参数确定方法包括：获取分别在各参数组合下，利用同一份测试数据在主控与存储颗粒之间进行时序模式校准测试的测试结果；针对每一组主参数，基于包...
    2026-04-30
  • 用于FLASH存储器的验证方法及装置、通用验证平台
    用于FLASH存储器的验证方法及装置、通用验证平台_紫光同芯微电子有限公司_202512011166.4
    本申请涉及非易失性存储芯片技术领域，公开一种用于FLASH存储器的验证方法及装置、通用验证平台，其中，仿真验证方法包括：基于目标FLASH存储器的操作手册时序要求，将信号时序以硬件描述语言的可执行任务形式进行建模，并将信号间的关键时间间隔定...
    2026-04-30
  • 兼容老化子板、测试方法、控制器、介质及产品
    兼容老化子板、测试方法、控制器、介质及产品_珠海妙存科技有限公司_202511951756.9
    本申请提出一种兼容老化子板、测试方法、控制器、介质及产品，应用于测试技术领域，其中，兼容老化子板，包括：兼容套接字模块，用于与待测芯片连接；模拟开关电路模块，所述模拟开关电路模块与所述兼容套接字模块连接，用于实现通信总线的切换。本申请的兼容...
    2026-04-30
  • 一种存储装置
    一种存储装置_珠海横琴芯存半导体有限公司_202311684217.4
    本申请公开了一种存储装置。该存储装置包括存储阵列、烧录存储电路、命令译码器和处理电路，处理电路，耦接烧录存储电路、命令译码器和存储阵列，其中，烧录存储电路中存储的损坏字线地址包括至少三种类型的损坏字线地址，每种类型的损坏字线地址对应一种类型...
    2026-04-30
  • 具有多个编程晶体管的OTP存储器件和OTP存储单元
    具有多个编程晶体管的OTP存储器件和OTP存储单元_三星电子株式会社_202511338687.4
    公开了具有多个编程晶体管的一次性可编程(OTP)存储器件以及OTP存储单元。OTP存储器件可以包括多个OTP存储单元，其中，多个OTP存储单元中的每个OTP存储单元可以包括：第一编程晶体管，具有第一击穿电压；第二编程晶体管，具有第二击穿电压...
    2026-04-30
  • 存储器管理方法及存储装置
    存储器管理方法及存储装置_合肥开梦科技有限责任公司_202610273564.5
    本发明提供一种存储器管理方法及存储装置。所述方法包括：对多条字线执行电气特性检测，得到电气特性检测结果；基于电气特性检测结果，在存储器模块中划分多个管理区，其根据各自的电气特性垂直分布于存储器模块中；响应于目标操作事件，确定目标字线位于多个...
    2026-04-30
  • 存储器装置及操作其的方法
    存储器装置及操作其的方法_爱思开海力士有限公司_202510681518.4
    本文提供的可以是存储器装置及操作其的方法。存储器装置可以包括：连接到多条字线的存储块；电压发生器，其被配置为在对存储块的编程操作期间生成要施加到字线当中的被选字线的编程电压和多个编程验证电压，并且在读取操作期间生成要施加到被选字线的多个读取...
    2026-04-30
  • 静态存储器的最小工作电压的调整方法
    静态存储器的最小工作电压的调整方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202610331131.0
    本申请提供静态存储器的最小工作电压的调整方法，属于半导体技术领域，该方法包括在至少两个预定温度范围下，分别仿真获取静态存储器在至少两个预定工作电压下的读取静态噪声容限和写入静态噪声容限；获取每个预定温度范围下每个预定工作电压的读取静态噪声容...
    2026-04-30
  • 一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统
    一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统_中国航天时代电子有限公司_202511754922.6
    一种提高空间辐照能力的非易失存储器系统，通过混合集成存储器设计，采用包括开关电路、逻辑控制电路、程序存储器、晶振及NAND存储器的存储架构，内部集成NAND存储器的坏块管理和磨损均衡算法，为用户的使用提供了便捷，满足了卫星电子系统中程序存储...
    2026-04-30
  • 芯片及其控制方法、存储器、电子设备
    芯片及其控制方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411463623.2
    本申请提供一种芯片及其控制方法、存储器、电子设备，涉及存储技术领域，改善非存储单元存储的数据容易被干扰电压干扰得问题。该芯片包括板线、位线、阵列排布的多个存储单元、以及并联的第一二极管和第二二极管。存储单元包括晶体管和电容，晶体管包括第一极...
    2026-04-30
  • 非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统
    非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202610008602.4
    本申请公开了非易失性存储器及数据读取方法以及存储系统，存储器包括存储单元和字线，同一行的存储单元连接于同一条字线，所述方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段。在预导通阶段中将与选定存储单元字线相邻的字线的电压升高至第一电平；在读取阶段中将选...
    2026-04-30
  • 存储器内位元运算电路以及存储器内位元运算方法
    存储器内位元运算电路以及存储器内位元运算方法_旺宏电子股份有限公司_202411490901.3
    本发明提供一种存储器内位元运算电路与方法。电路包括：存储器阵列，具有多个页数据，各页数据具有多个串；页缓冲器，储存多个串，并从多个串选择一部分串作为多个运算元；总量计数器，接收多个运算元与运算子标识，并且基于运算子标识，将各运算元中位置相应...
    2026-04-30
  • 用于非易失性存储器阵列中的电流泄漏补偿的跟踪存储器单元
    用于非易失性存储器阵列中的电流泄漏补偿的跟踪存储器单元_硅存储技术股份有限公司_202411471092.1
    本发明提供了一种用于读取以行和列布置的存储器单元的方法和器件，该器件包括：位线，位线各自电连接到列中的一列中的存储器单元；选择栅线，该选择栅线各自电连接到行中的一行中的存储器单元；跟踪存储器单元的列；和跟踪位线，该跟踪位线电连接到该跟踪存储...
    2026-04-30
  • 存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法
    存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510339205.0
    本公开涉及存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法。一种存储器设备包括：多个块，每个块包括存储器单元；以及控制电路，其被配置为启用盲擦除选项并对多个块当中的目标块执行盲擦除操作。在盲擦除操作期间，控制电路被配置为对目标块执行擦除脉冲施加操作...
    2026-04-30
  • 快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法
    快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法_慧荣科技股份有限公司_202510015114.1
    本发明涉及一种快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法。该方法包括：根据一编解码矩阵来对一数据单元进行一局部编码操作以及对多个数据单元进行一全域编码操作以产生并写入一错误更正码数据至该页单元，该数据单元要被写入该快闪存储器装置的一页单...
    2026-04-30
  • 一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路
    一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511991531.6
    本发明公开一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路，属于现场可编程逻辑器件领域，包括控制逻辑模块、字线生成模块、字线通道模块、字线驱动模块、Flash单元阵列。控制逻辑电路对字线生成模块和字线通道模块进行控制，并且字线生成模块和字线...
    2026-04-30
  • 抗单粒子翻转的RHS-14T-SRAM电路及其存储电路、芯片
    抗单粒子翻转的RHS-14T-SRAM电路及其存储电路、芯片_安徽大学_202610361851.1
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种抗单粒子翻转的RHS‑14T‑SRAM电路及其存储电路、芯片。其在6T‑SRAM的基础上对原锁存器结构进行重构，进而利用新增的4个NMOS实现对主存储节点进行极性加固，以增强电路的抗翻转能力。并利用新增的4...
    2026-04-30
  • 一种非易失性存储器
    一种非易失性存储器_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610027826.X
    本发明涉及存储器领域，提供一种非易失性存储器，包括：双稳态锁存器，由四个具备非易失性的金属化合物晶体管构成；所述双稳态锁存器通过第一存储节点与第一传输门晶体管连接，通过第二存储节点与第二传输门晶体管连接，其中，第一存储节点和第二存储节点电位...
    2026-04-30
  • 判决反馈均衡器和半导体装置
    判决反馈均衡器和半导体装置_三星电子株式会社_202511472172.3
    公开了判决反馈均衡器和半导体装置。所述半导体装置包括：数据垫；以及判决反馈均衡器，被配置为对通过数据垫接收的数据信号进行均衡。判决反馈均衡器可包括：多个判决反馈均衡块，分别与具有不同相位的多个时钟信号对应。所述多个判决反馈均衡块中的每个可包...
    2026-04-30
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