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最新专利技术
  • 一种电磁屏蔽封装结构及其制备方法
    一种电磁屏蔽封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202610031553.6
    一种电磁屏蔽封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽封装结构包括基板、电磁屏蔽罩和塑封体；基板的安装区域设置有至少一个电子元件；电磁屏蔽罩具有顶板和侧壁，顶板和/或侧壁上开设有多个窗孔；侧壁围设于安装区域的外周，顶板盖设于侧...
    2026-04-19
  • 一种具有EMI屏蔽壳的传感器封装结构及其制备方法
    一种具有EMI屏蔽壳的传感器封装结构及其制备方法_讯芯电子科技(中山)有限公司_202511889364.4
    本发明涉及屏蔽封装技术领域，公开了一种具有EMI屏蔽壳的传感器封装结构及其制备方法，传感器封装结构包括：基板、芯片组件、屏蔽壳和金线；基板的一侧设有接地焊盘；芯片组件设于基板的一侧，芯片组件与基板电连接，且芯片组件与接地焊盘间隔分布；屏蔽壳...
    2026-04-19
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202511332459.6
    本发明提供了一种封装结构。所述封装结构包含衬底、第一电子组件、第二电子组件、包封物和第三电子组件。所述第一电子组件和所述第二电子组件安置于所述衬底上方。所述包封物包封第一电子组件和所述第二电子组件。所述第三电子组件由所述包封物暴露。所述第三...
    2026-04-19
  • 芯片与其散热结构装置及其制备方法与散热方法
    芯片与其散热结构装置及其制备方法与散热方法_宁波大学_202511997886.6
    提供一种芯片与其散热结构装置，包括相互贴合叠加的第一硅片和第二硅片，第一硅片背面开设有微通道阵列，形成微通道阵列布置区域；第二硅片正面设置有凹坑，凹坑中开设有穿通其底壁的进液口，第一硅片背面和第二硅片正面之间实现相互硅硅键合，对键合后的第一...
    2026-04-19
  • 一种散热器及功率模块
    一种散热器及功率模块_科华数据股份有限公司_202511786588.2
    本发明提供了一种散热器及功率模块，属于电气件散热技术领域，包括散热基板和热管组；热管组布设在散热基板的板面上，用于贴合连接功率器件；热管组的两端分别延伸至功率器件的外围；热管组的下端设有相变区；在功率器件处于非工作状态时，相变区用于存储热管...
    2026-04-19
  • 一种具有冷热通道分流的波纹式歧管微通道冷板及使用方法
    一种具有冷热通道分流的波纹式歧管微通道冷板及使用方法_西安交通大学_202512026493.7
    本发明公开了一种具有冷热通道分流的波纹式歧管微通道冷板及使用方法，属于半导体技术领域，包括壳体，设置在相对面的热沉，与壳体连接且相对设置的冷板进口与进口歧管和冷板出口与出口歧管，以及设置在壳体内的分流歧管，壳体、热沉、冷板进口与进口歧管和冷...
    2026-04-19
  • 芯片与其近源散热结构装置及其制备和散热方法
    芯片与其近源散热结构装置及其制备和散热方法_宁波大学_202511997888.5
    提供一种发热器件与其近源散热结构装置，包括相互贴合叠加的第一硅片和第二硅片，第一硅片背面经刻蚀形成微通道阵列及进液口、出液口，第二硅片经刻蚀开设有用于对外连接的进液口、出液口；二硅片之间实现相互硅硅直接键合，使得第二硅片的进液口、出液口分别...
    2026-04-19
  • 复合柔性导热索及热管理设备
    复合柔性导热索及热管理设备_北京热数科技有限公司_202512054272.0
    一种复合柔性导热索及热管理设备，涉及热管理技术领域。该复合柔性导热索包括第一传热固定件、第二传热固定件和柔性导热带；柔性导热带包括导热组件和包覆在导热组件外表面的第一防护件；第一防护件具有隔热效果；导热组件包括相对应的首端和尾端，首端伸入至...
    2026-04-19
  • 一种硅基复合衬底及其制备方法和应用
    一种硅基复合衬底及其制备方法和应用_湖北九峰山实验室_202511985618.2
    本发明提供一种硅基复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体材料制备技术领域。本发明通过采用原位生长的方法，在单晶硅衬底上生长稀土金属氧化物层，在稀土金属氧化物层上生长顶层衬底，得到了类似SOI衬底的复合衬底。在该复合衬底上生长半导体薄膜，有利...
    2026-04-19
  • 一种散热垫片及其制备方法和芯片封装结构
    一种散热垫片及其制备方法和芯片封装结构_奇异摩尔(上海)半导体技术有限公司_202511839144.0
    本发明提供一种散热垫片及其制备方法和芯片封装结构，涉及微电子封装技术领域。所述散热垫片的制备方法包括如下步骤：提供多孔基材；惰性气氛下将所述多孔基材置于熔融铟中浸渍；待所述多孔基材充分浸润后，将浸润有铟的所述多孔基材取出冷却，得到初始散热垫...
    2026-04-19
  • 半导体封装结构及半导体封装方法
    半导体封装结构及半导体封装方法_苏州震坤科技有限公司_202610006816.8
    本申请提供一种半导体封装结构及半导体封装方法，半导体封装结构包括：芯片层；散热件，包括散热基板和凸起部，凸起部从散热基板向芯片层延伸；封装层，包覆芯片层，并设置于芯片层与散热件的散热基板之间，其中，凸起部贯穿封装层并与芯片层的表面接触，以形...
    2026-04-19
  • 一种散热基板及散热装置
    一种散热基板及散热装置_苏州法特迪科技股份有限公司_202511967310.5
    本申请涉及散热技术领域，尤其涉及一种散热基板及散热装置。散热基板包括依次层叠的底板、均温板和液冷板。底板内部设置有多个第一锥台形导热柱；均温板具有容纳工作介质和毛细结构的腔体，所述毛细结构包括多个作为第二锥台形导热柱的烧结铜粉柱；液冷板内部...
    2026-04-19
  • 一种QFN多芯合封的散热结构及其加工工艺
    一种QFN多芯合封的散热结构及其加工工艺_南京矽邦半导体有限公司_202610039747.0
    本申请涉及一种QFN多芯合封的散热结构及其加工工艺，其涉及QFN封装技术领域，其包括多个芯片安装的基板，基板的底部设有能够裸漏在塑封体底面的散热焊盘，基板上连接设有导热体，导热体上连接设有散热板，基板上的热量能够通过导热体传导至散热板上，散...
    2026-04-19
  • 倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法
    倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511996339.6
    本发明实施例提供了一种倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，倒装芯片球栅阵列封装结构，包括基板、第一结构芯片、MEMS芯片、第一散热盖和第二散热盖，第二散热盖设置在第一散热盖上，通过第一散热盖和第二散热盖实现双层散热，...
    2026-04-19
  • 一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺
    一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202512059043.8
    本发明公开了一种散热屏蔽器件封装结构及其工艺，包括以下步骤：基板上贴装膜块，膜块上堆叠金属块，整体包封并研磨暴露出金属块，蚀刻包封料形成凹槽，凹槽底部暴露基板表面；蚀刻后的包封面涂覆胶层，凹槽内亦涂覆胶层；电镀线路：在胶层表面沿胶层涂覆路径...
    2026-04-19
  • 一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件
    一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202512032336.7
    本发明涉及一种金刚石基氮化物复合衬底、制备方法及半导体器件，该制备方法包括：依次采用不同晶粒尺寸的金刚石悬浮液对设置有周期性图形结构的氮化物外延层表面进行成核处理，生长金刚石成核层；其中，所述金刚石悬浮液的晶粒尺寸随着成核处理的时间梯度增大...
    2026-04-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510840959.4
    一种半导体装置包括：半导体基底；多个标准单元，在第一方向和第二方向上设置；多个信号互连件，设置在半导体基底的上表面上的上绝缘层中，并且与所述多个标准单元结合；以及多个电源互连件，设置在半导体基底的下表面上，并且与所述多个标准单元中的至少一个...
    2026-04-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510832661.9
    一种半导体装置包括：第一标准单元和第二标准单元，在与半导体基底的上表面平行的第一方向和第二方向中的至少一个上在不同位置处，第一方向和第二方向彼此相交；信号互连件，将第一标准单元和第二标准单元连接；以及监控互连件，在与半导体基底的上表面垂直的...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610036901.9
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供基底，在所述基底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁与底部依次形成第一阻挡层、成核促进层与第二阻挡层；去除所述沟槽底部的所述第二阻挡层，暴露出所述成核促进层；以及在所述沟槽内填充钨形成钨填充层...
    2026-04-19
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610031137.6
    一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供基底，其包括第一介质层及贯穿其中的第一金属互连线，第一金属互连线的顶面凸出于第一介质层的顶面；在第一介质层上依次形成第一蚀刻停止层和牺牲层；形成覆盖牺牲层的第二介质层，并暴露第...
    2026-04-19
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