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最新专利技术
  • 一种非接触式晶圆承载盘、晶圆承载装置及晶圆承载系统
    一种非接触式晶圆承载盘、晶圆承载装置及晶圆承载系统_聚时科技(上海)有限公司_202610071310.5
    本申请涉及半导体加工设备领域，为一种半导体检测设备，具体而言，涉及一种非接触式晶圆承载盘、晶圆承载装置及晶圆承载系统。本发明提供的技术方案中，包括非接触式晶圆承载盘和设置在承载盘边缘位置处的至少两个固定装置，其中非接触式晶圆承载盘上开设有至...
    2026-04-30
  • 一种深硅干法刻蚀终点检测方法和装置
    一种深硅干法刻蚀终点检测方法和装置_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511996852.5
    本发明公开了一种深硅干法刻蚀终点检测方法和装置，方法包括：S1：将光学显微镜光源亮度设置至最大，S2：将光学显微镜光圈设置至最小；S3：将光学显微镜放大倍数设置为大于预设倍数；S4：将光学显微镜焦距设置至光源斑点边缘清晰；S5：对于晶圆的每...
    2026-04-30
  • 电阻测试结构及晶圆测试方法
    电阻测试结构及晶圆测试方法_上海积塔半导体有限公司_202610321060.6
    本申请涉及一种电阻测试结构及晶圆测试方法。该结构包括有源区、至少两个隔离结构、至少两个栅极结构、侧墙结构和离子注入区。隔离结构嵌设于有源区内，沿第一方向间隔分布；隔离结构凸出于有源区并与有源区构成台阶结构；栅极结构位于隔离结构背离有源区的一...
    2026-04-30
  • 一种芯片修调测试方法及芯片修调测试系统
    一种芯片修调测试方法及芯片修调测试系统_无锡华润安盛科技有限公司_202411471290.8
    本申请提供一种芯片修调测试方法及芯片修调测试系统。所述芯片修调测试方法包括对样品芯片进行目标测试项目测试，获取所述样品芯片的目标测试项目的第一测试数据；将所述第一测试数据与所述目标测试项目的第一预期测试数据进行比较，并在所述第一测试数据与所...
    2026-04-30
  • 一种晶圆的检测方法、系统及介质
    一种晶圆的检测方法、系统及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511840660.5
    本公开提供了一种晶圆的检测方法、系统及介质。该检测方法将单张待测晶圆分离为至少三个独立的测试样片，并分别对这三个测试样片执行破坏性缺陷检测流程、理化特性检测流程以及非破坏性缺陷检测流程，仅使用单张待测晶圆即可实现较为全面的质量检测，节省了样...
    2026-04-30
  • 一种自动纠偏功能的半导体封装用检测设备
    一种自动纠偏功能的半导体封装用检测设备_南通理工学院_202610377546.1
    本发明公开了一种自动纠偏功能的半导体封装用检测设备，涉及半导体封装检测技术领域，该自动纠偏功能的半导体封装用检测设备包括底座，底座上安装有进料槽，进料槽内安装有传送带，底座上安装有进料吸盘，底座上设置有检测组件，横向模组滑轨远离检测组件一端...
    2026-04-30
  • 一种键合质量实时检测系统及方法
    一种键合质量实时检测系统及方法_江苏圣创半导体科技有限公司_202610388679.9
    本发明涉及检测技术领域，尤其涉及一种键合质量实时检测系统及方法，系统包括：键合平台，独立固定设置；键合平台上设置用于固定工件的固定夹具，以及带动固定夹具移动的位移机构；键合臂，位于键合平台上方，沿上下移动；键合臂末端设置键合劈刀；线激光扫描...
    2026-04-30
  • 基于PPC支撑层的无损转移大面积钙钛矿氧化物薄膜的方法
    基于PPC支撑层的无损转移大面积钙钛矿氧化物薄膜的方法_中国科学院金属研究所_202511976207.7
    本发明涉及柔性电子器件制备技术领域，特别提供了一种基于PPC支撑层的无损转移大面积钙钛矿氧化物薄膜的方法，采用水溶性牺牲层铝酸锶制备高质量的柔性钙钛矿氧化物薄膜，配置PPC溶液，旋涂仪旋涂1‑3μm厚的平整PPC膜，使用丙酮/乙醇溶液清洗P...
    2026-04-30
  • 一种重掺衬底硅片的加工方法及由其形成的外延片
    一种重掺衬底硅片的加工方法及由其形成的外延片_金瑞泓微电子(衢州)有限公司_202610355878.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种重掺衬底硅片的加工方法及由其形成的外延片。本发明针对具有“ 多晶硅+二氧化硅”的复合背封结构的重掺衬底硅片的传统加工方法进行了工序的调整，在衬底片的多晶硅层沉积后，先进行边缘抛光以去除倒角面上的多...
    2026-04-30
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511463471.0
    本发明提供能够增大加热基片时的热量的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器；基片支承部，其设置于上述处理容器的内部，用于支承基片；和对被支承在上述基片支承部的上述基片进行加热的加热部。上述加热部包括在加热时将辐射热传递至周围...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202610361300.5
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法。首先，在SOI衬底中刻蚀形成纵向至少贯穿顶部半导体层的沟槽；在沟槽的侧壁及底部形成隔离介质层后，选择性去除底部隔离介质层以暴露硅衬底；若沟槽底部位于埋氧层内，则在去除隔离介质层后继续刻蚀埋氧层直至暴露...
    2026-04-30
  • 基于复合埋层的高低压隔离环结构、集成器件及制备方法
    基于复合埋层的高低压隔离环结构、集成器件及制备方法_东南大学_202610098322.7
    一种基于复合埋层的高低压隔离环结构、集成器件及制备方法。隔离环包括第二导电类型外延，内设第一导电类型环形复合埋层和第一导电类型环形第一阱区，第一导电类型环形复合埋层位于第一导电类型第一埋层的上方，第一导电类型环形第一阱区位于第一导电类型环形...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411465838.8
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层，包括一个第一子核心层与相邻两个第二子核心层交替分布排列；形成覆盖第一核心层侧壁的第一侧墙；对第一子核心层进行改性处理，形成第三子核心层；形成位于第...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411465881.4
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；形成位于第二区的第二核心材料层上的第一保护层；以第一保护层和第一侧墙为掩膜图形化第二核心材料层，形成第二核心层；形成第二侧墙；去除第...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466022.7
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料层，形成第二核心层；形成覆盖第二核心层侧壁的第二侧墙；形成第二保护层；以第二保护层为掩膜图形化第二核心层形成第三核...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466033.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；对第二区的部分第二核心材料层进行改性处理，形成与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心材料层；形成第一核心材料层；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466050.9
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料层，形成第二核心层；对第二区露出的第二核心层进行改性处理，形成与剩余第二核心层具有刻蚀选择比的第三核心层；形成覆盖...
    2026-04-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466057.0
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；对第二区的第二核心材料层进行改性处理，形成与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心材料层；形成第一核心材料层；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二区的第二核心...
    2026-04-30
  • 金属互连结构的制备方法及金属互连结构
    金属互连结构的制备方法及金属互连结构_广州增芯科技有限公司_202610051915.8
    本发明提供了一种金属互连结构的制备方法及金属互连结构，该方法在形成有半导体器件层以及第一金属布线层的衬底上，形成第一介质层以及其中的若干通孔后，在第一介质层上采用可流动性的有机材料作为第二介质层，并在第二介质层中形成若干金属槽，对剩余的第二...
    2026-04-30
  • 一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质
    一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质_东莞市湃泊科技有限公司_202610115761.4
    本申请提供了一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质，方法通过实时识别铜互连层溶解的活性反应边界，并据此将微电极阵列动态划分为核心退镀区、边缘抑制区及隔离区，在核心退镀区施加正向溶解电场以高效去除铜材料，同时在边缘抑制区施加反向抑...
    2026-04-30
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