意法半导体国际公司A·圣安杰洛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利超结功率半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178517U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520465202.7，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型超结功率半导体装置是由A·圣安杰洛;L·雷纳;阮文征设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本超结功率半导体装置在说明书摘要公布了：本描述提供了一种超结功率半导体装置。一种示例超结功率半导体装置具有半导体材料的管芯，该管芯包括具有第一掺杂类型的结构层，该管芯具有形成有源单元的有源区和在管芯的外围处围绕有源区的边缘区。边缘区处的边缘终止布置具有延伸穿过结构层的多个边缘终止沟槽，所述多个边缘终止沟槽用电介质材料填充并且在其侧壁处具有第二掺杂类型的相应掺杂层。边缘终止布置具有电连接结构，以将边缘终止沟槽的侧壁处的相应掺杂层电连接在一起。
本实用新型超结功率半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种超结功率半导体装置，其特征在于，该超结功率半导体装置具有半导体材料的管芯，所述管芯包括基板和形成在所述基板上并具有第一掺杂类型的结构层， 其中，所述管芯具有形成有源单元的有源区和在所述管芯的外围处的围绕所述有源区的边缘区，并且所述管芯在所述有源区中包括用电介质填充的多个电荷平衡深沟槽，所述多个电荷平衡深沟槽在相应有源单元对之间延伸贯穿所述结构层并到达所述基板，每个电荷平衡深沟槽在其侧壁处具有第二掺杂类型的掺杂层， 所述超结功率半导体装置还包括位于所述边缘区处的边缘终止布置，所述边缘终止布置包括多个边缘终止沟槽，所述多个边缘终止沟槽延伸穿过所述结构层并到达所述基板、用电介质填充并且在其侧壁处具有第二掺杂类型的相应掺杂层； 其中，所述边缘终止布置包括电连接结构，所述电连接结构被构造为将所述多个边缘终止沟槽的侧壁处的相应掺杂层电连接在一起。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励