成都航天博目电子科技有限公司董鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉成都航天博目电子科技有限公司申请的专利一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121728797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610221767.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法是由董鹏;廖梦雅;马磊;林书勋;边旭明;曹佳设计研发完成，并于2026-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法，所述器件包括：在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、GaN沟道层和氮化物势垒层；形成在氮化物势垒层上方的源极、漏极、栅极和钝化层；以及形成在钝化层上方的梯度孔径超表面；所述梯度孔径超表面构成全介质悬浮场板，以电学悬浮状态形成在栅极和漏极之间，包括周期性排列的介电微结构单元，单元的排列周期为100~600nm，特征尺寸沿从栅极至漏极方向呈单调梯度变化，所述单调梯度变化包括线性、指数和高斯型的梯度变化。本发明采用梯度孔径超表面作为全介质悬浮场板，通过介电超表面的空间梯度设计实现电场优化，并且能够消除寄生电容，实现电磁波调控和热管理。
本发明授权一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT全介质悬浮场板器件，其特征在于，包括：在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、GaN沟道层和氮化物势垒层；形成在氮化物势垒层上方的源极、漏极、栅极和钝化层；以及形成在钝化层上方的梯度孔径超表面； 所述梯度孔径超表面构成全介质悬浮场板，以电学悬浮状态形成在栅极和漏极之间，包括周期性排列的介电微结构单元，微结构单元的排列周期为100~600nm，微结构单元的特征尺寸为50~500nm，沿从栅极至漏极方向呈单调梯度变化，所述单调梯度变化包括线性、指数和高斯型的梯度变化； 所述介电微结构单元为纳米孔或纳米柱，特征尺寸为孔径或柱径，材料为介电常数≥4的高介电常数介电材料或热导率≥50Wm·K的高热导率介电材料或两者的复合材料。
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