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龙图腾网获悉原集微科技(上海)有限公司申请的专利一种像素读出电路和视觉传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121728372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610222148.2，技术领域涉及：H04N25/78；该发明授权一种像素读出电路和视觉传感器是由包文中设计研发完成，并于2026-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素读出电路和视觉传感器在说明书摘要公布了：本申请提供一种像素读出电路和视觉传感器，像素读出电路包括强度值读出模块和事件检测模块，强度值读出模块和事件检测模块的输入均与探测器的输出连接，强度值读出模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、积分电容和采样电容，事件检测模块包括电流转电压单元、放大单元、比较单元和异步数字逻辑单元。本实施例提供的像素读出电路可以分为强度值读出模块和事件检测模块，分别支持同步强度信息读出与异步事件探测，且两个模块互不影响。

本发明授权一种像素读出电路和视觉传感器在权利要求书中公布了：1.一种像素读出电路，其特征在于，所述电路包括： 强度值读出模块和事件检测模块，所述强度值读出模块和所述事件检测模块的输入均与探测器的输出连接； 所述强度值读出模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、积分电容和采样电容； 所述第一MOS管的源极与所述探测器的输出连接，所述第一MOS管的漏极与所述积分电容的第一端连接，所述第一MOS管的栅极与第一电压连接； 所述第二MOS管的源极与所述积分电容的第一端连接，所述第二MOS管的漏极与第二电压连接，所述第二MOS管的栅极与第三电压连接； 所述第三MOS管的源极与所述第二电压连接，所述第三MOS管的漏极与所述积分电容的第一端连接，所述第三MOS管的栅极与第四电压连接； 所述第四MOS管的源极与所述采样电容的第一端连接，所述第四MOS管的漏极与所述积分电容的第一端连接，所述第四MOS管的栅极与第五电压连接； 所述第五MOS管的源极与所述第二电压连接，所述第五MOS管的漏极与所述采样电容的第一端连接，所述第五MOS管的栅极与第六电压连接； 所述第六MOS管的源极与所述第七MOS管的漏极连接，所述第六MOS管的漏极与所述第二电压连接，所述第六MOS管的栅极与所述采样电容的第一端连接； 所述第七MOS管的源极作为所述强度值读出模块的输出，所述第七MOS管的栅极与第七电压连接； 所述积分电容的第二端与所述采样电容的第二端接地； 所述事件检测模块包括电流转电压单元、放大单元、比较单元和异步数字逻辑单元； 所述电流转电压单元的输入与所述探测器的输出连接，所述电流转电压单元的输出与所述放大单元的输入连接，所述放大单元的输出与所述比较单元的输入连接，所述比较单元的输出与所述异步数字逻辑单元的输入连接，所述异步数字逻辑单元输出作为所述事件检测模块的输出。

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