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龙图腾网获悉南京信息工程大学;安徽建筑大学申请的专利一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121637944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610156677.7，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法是由顾斌;陶世鑫;黄娜;叶语涵;丁留贯;樊少娟设计研发完成，并于2026-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法，该方法包括依据SRAM的器件结构，建立靶材几何模型；构建材料参数数据库；采用连续能量损失模型与离散散射模型相结合的混合算法，基于材料参数数据库，迭代模拟质子在所述靶材几何模型中的输运过程并获取其在敏感体积中的总能量沉积；将每个质子在敏感体积中的总能量沉积与预设的能量沉积阈值进行比较，若超过阈值则判定发生一次单粒子翻转事件，并统计事件总数；基于事件总数、入射的质子总数、SRAM的总比特数以及靶材几何模型的表面积，获取单粒子翻转截面。

本发明授权一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法在权利要求书中公布了：1.一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 依据SRAM的器件结构，建立包含覆盖层和敏感体积的靶材几何模型； 构建包含对应不同材料类型的靶材关键性能参数的材料参数数据库，所述关键性能参数至少包括靶材密度、辐射长度及随能量变化的阻止本领；所述材料类型至少包括覆盖层和敏感体积对应的材料； 采用基于阻止本领的连续能量损失模型与基于散射角抽样的离散散射模型相结合的混合算法，基于所述材料参数数据库，迭代模拟质子在所述靶材几何模型中的输运过程并获取其在敏感体积中的总能量沉积； 将每个质子在敏感体积中的总能量沉积与预设的能量沉积阈值进行比较，若超过阈值则判定发生一次单粒子翻转事件，并统计事件总数； 基于所述事件总数、入射的质子总数、SRAM的总比特数以及靶材几何模型的表面积，获取单粒子翻转截面； 所述基于阻止本领的连续能量损失模型的表达式为：；式中，为单步能量损失；为根据质子当前步的能量从材料参数数据库中查询并进行密度归一化的阻止本领；为单步步长； 所述基于散射角抽样的离散散射模型的表达式为：；式中，为散射角标准差；为兆电子伏特；为动量；为粒子相对于光速的速度；为光速；为质子当前步的理论步长；为辐射长度；为质子当前步的能量；a和b分别为第一影响参数和第二影响参数；为低能修正因子； 所述混合算法的具体方法包括： 对入射的质子进行其在靶材几何模型中输运过程的迭代模拟，在每一次迭代中，首先根据质子当前位置确定其所在靶材的材料类型与当前能量，并从材料参数数据库中查询获取该材料类型对应的靶材密度、辐射长度及基于当前能量的阻止本领； 随后，基于预设的能量损失比率计算预估的新能量，并依据所述阻止本领数值通过积分射程公式计算质子能量从当前值下降至新能量所对应的理论步长； 接着，基于辐射长度、理论步长及质子当前动量，通过所述离散散射模型计算散射角标准差，并进行高斯采样得到散射角，同时在[0,2π范围内随机抽样得到方位角，从而确定质子散射后归一化的运动方向； 然后，根据质子当前位置、归一化的运动方向和理论步长计算其下一位置，并通过判断当前位置与下一位置的材料类型是否一致来确定实际步长，进而根据所述连续能量损失模型计算此步的单步能量沉积值，若此步运动轨迹在靶材几何模型的敏感体积内，则将该单步能量沉积值累加至该质子的总沉积能量中； 最后，基于单步能量沉积值更新质子能量，并更新质子位置； 重复上述迭代过程，直至质子能量耗尽或完全穿出所述靶材几何模型，最终输出质子的运动轨迹及其在敏感体积中的总能量沉积；所述积分射程公式为；式中，表示基于当前能量E的阻止本领。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京信息工程大学;安徽建筑大学，其通讯地址为：210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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