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龙图腾网获悉深圳砺芯半导体有限责任公司申请的专利适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路、开关电源变换器及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121546900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610057248.4，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路、开关电源变换器及设备是由曾艳妮;陈伟;黄云川;朱小安设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路、开关电源变换器及设备在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，本申请提供一种适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路、开关电源变换器及设备，其中，电路包括：控制模块被配置为响应于PWM控制信号，生成第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号；开关模块包括第一开关管、第二开关管和第三开关管；当PWM控制信号为第一电平时，第一和第三开关管导通，第二开关管关断，负反馈电压对电容充电，将负电荷存储于电容中，使关断电压等于负反馈电压；当PWM控制信号为第二电平时，第一开关管和第三开关管关断，第二开关管导通，电容上存储的电压作为关断电压输出至驱动模块，用于关断碳化硅MOSFET。复用反馈绕组电压无需额外设计独立的负压生成电路情况下有效抑制碳化硅MOSFET关断误触发。

本发明授权适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路、开关电源变换器及设备在权利要求书中公布了：1.一种适用于碳化硅MOSFET的负压驱动电路，其特征在于，包括：控制模块、开关模块、电容以及驱动模块； 所述控制模块被配置为响应于PWM控制信号，生成第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号； 所述开关模块包括第一开关管、第二开关管和第三开关管； 所述第一开关管的第一控制端接收所述第一控制信号，第一通路端连接至负反馈电压节点，第二通路端连接至第一节点； 所述第二开关管的第二控制端接收所述第二控制信号，第三通路端连接至所述第一节点，第四通路端连接至参考地； 所述第三开关管的第三控制端接收所述第三控制信号，第五通路端连接至所述第一节点，第六通路端连接至所述电容的第一端； 所述电容的第二端连接至参考地； 所述驱动模块的输入端连接至所述电容的第一端以获取关断电压，所述驱动模块的输出端连接至碳化硅MOSFET的栅极； 其中，当所述PWM控制信号为第一电平时，所述第一控制信号和所述第三控制信号控制所述第一开关管和所述第三开关管导通，所述第二控制信号控制所述第二开关管关断，以负反馈电压对所述电容充电，使所述关断电压等于所述负反馈电压； 当所述PWM控制信号为第二电平时，所述第一控制信号和所述第三控制信号控制所述第一开关管和所述第三开关管关断，所述第二控制信号控制所述第二开关管导通，所述电容上存储的电压作为所述关断电压输出至所述驱动模块，用于关断所述碳化硅MOSFET； 还包括防放电模块，一端连接所述第一节点，另一端连接所述电容的第一端，用于在所述第二开关管导通时，阻止所述电容通过所述开关模块放电； 所述防放电模块包括二极管，所述二极管的阳极连接至所述电容的第一端，阴极连接至所述第一节点。

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