甬江实验室张杰获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利氮化硅镁粉体、其制备方法、陶瓷基复合材料及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121537213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610053938.2，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权氮化硅镁粉体、其制备方法、陶瓷基复合材料及其应用是由张杰;董丽然;陈克新;袁镇威;张钊源设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅镁粉体、其制备方法、陶瓷基复合材料及其应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氮化硅镁粉体、其制备方法及应用。属于结构陶瓷材料技术领域，该方法将硅粉与导电剂混合进行一级超快速热处理，合成氮化硅粉；随后将氮化硅粉与镁粉混合进行二级超快速热处理，合成氮化硅镁粗产物；最后对粗产物进行脉冲退火处理，得到氮化硅镁粉体。所得氮化硅镁粉体具有超细粒径50nm~150nm、低氧含量≤0.15wt%及高比表面积50m2g~100m2g的特点，适用于制备高韧性陶瓷基复合材料。
本发明授权氮化硅镁粉体、其制备方法、陶瓷基复合材料及其应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅镁粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供硅粉与导电剂粉末，混合均匀后进行一级热处理，烧结后得到氮化硅粉；将所述氮化硅粉与镁粉混合，并进行二级热处理，烧结后得到氮化硅镁粗产物；对所述氮化硅镁粗产物进行脉冲退火处理，得到氮化硅镁粉体；其中，所述氮化硅镁粉体的粒径为50nm~150nm，氧元素的含量低于0.15wt%，比表面积为50m2g~100m2g； 所述一级热处理的温度为1300℃~1450℃、升温速率为100℃s~500℃s、保温时间为10~20s； 所述二级热处理的温度为1500℃~1600℃、升温速率为100℃s~500℃s、保温时间为5~10s； 所述一级热处理、所述二级热处理和所述脉冲退火均在氮气氛围和焦耳热设备中反应。
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