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龙图腾网获悉苏州焜原光电有限公司申请的专利一种锑化物材料载流子浓度检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121275854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511838873.4，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种锑化物材料载流子浓度检测方法是由陈星佑;陈意桥设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锑化物材料载流子浓度检测方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料表征技术领域，涉及一种锑化物材料载流子浓度检测方法：在导电型锑化镓衬底上生长第一含锑化合物材料层；对第一含锑化合物材料层进行电化学电容‑电压测试，得到第一载流子浓度值；在半绝缘砷化镓衬底上生长第二含锑化合物材料层；对第二含锑化合物材料层进行霍尔效应测试，得到第二载流子浓度值；基于第二载流子浓度值和第一载流子浓度值的比值，得到载流子浓度校正因子；在第一含锑化合物材料层和或第二含锑化合物材料层远离衬底一侧生长含锑化合物材料层，对每层含锑化合物材料层进行电化学电容‑电压测试，得到相应的载流子浓度值；基于载流子浓度值与载流子浓度校正因子，得到每层含锑化合物材料层的载流子浓度。

本发明授权一种锑化物材料载流子浓度检测方法在权利要求书中公布了：1.一种锑化物材料载流子浓度检测方法，其特征在于，包括： 在导电型锑化镓衬底上生长第一含锑化合物材料层；对第一含锑化合物材料层进行电化学电容-电压测试，得到第一载流子浓度值； 在半绝缘砷化镓衬底上生长第二含锑化合物材料层；对第二含锑化合物材料层进行霍尔效应测试，得到第二载流子浓度值；其中，第一含锑化合物材料层的生长工艺与第二含锑化合物材料层的生长工艺相同；第一含锑化合物材料层的组成与第二含锑化合物材料层的组成相同； 基于第二载流子浓度值和第一载流子浓度值的比值，得到载流子浓度校正因子；在第一含锑化合物材料层和或第二含锑化合物材料层远离衬底一侧继续生长N层含锑化合物材料层；其中，在第一含锑化合物材料层和或第二含锑化合物材料层远离衬底一侧继续生长的N层含锑化合物材料层，与第一含锑化合物材料层和第二含锑化合物材料层具有相同晶向； 对每层含锑化合物材料层进行电化学电容-电压测试，得到相应的载流子浓度值；基于每层含锑化合物材料层对应的载流子浓度值与载流子浓度校正因子的乘积，得到每层含锑化合物材料层的载流子浓度；其中，对每层含锑化合物材料层进行电化学电容-电压测试时的测试溶液配比，与对第一含锑化合物材料层进行电化学电容-电压测试时的测试溶液配比相同。

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