山东大学深圳研究院田伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学深圳研究院申请的专利一种在(110)型硅片上制作硅纳米线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121107352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511667177.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种在(110)型硅片上制作硅纳米线的方法是由田伟;陶继方;温良恭设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在(110)型硅片上制作硅纳米线的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在110型硅片上制作硅纳米线的方法，属于MEMS技术领域。步骤包括：S1、提供一110型硅衬底，并在硅衬底上形成掩膜层；S2、图形化掩膜层，形成腐蚀窗口；S3、通过腐蚀窗口对硅衬底进行各向异性刻蚀，形成凹槽和槽间壁；S4、对槽间壁进行氧化，形成氧化层和硅纳米线；S5去除氧化层，得到悬空的硅纳米线。本发明解决了现有技术中硅纳米线制备方法复杂，成本高，批量一致性差的问题。
本发明授权一种在(110)型硅片上制作硅纳米线的方法在权利要求书中公布了：1.一种在110型硅片上制作硅纳米线的方法，其特征在于，步骤如下： S1、提供一110型硅衬底，并在硅衬底上形成掩膜层； S2、图形化掩膜层，形成腐蚀窗口，具体步骤为： S2-1、在掩膜层上涂覆光刻胶； S2-2、基于预制的光刻版，通过光刻工艺对所述光刻胶进行曝光、显影，得到窗口图形； S2-3通过RIE刻蚀工艺对掩膜层进行图形化，将光刻胶上的窗口图形转移到掩膜层上，得到腐蚀窗口，腐蚀窗口的数量至少为两个，腐蚀窗口为限定在边界L内且经过两对向顶点的图形，可以为三角形、四边形、星型或不规则图形，多个腐蚀窗口的形状相同或不同，边界L为菱形，内角为70.53°和109.47°，且两对向顶点处于同一竖直线上； S2-4去除光刻胶； S3、采用质量分数为25%，温度为50℃的KOH溶液，通过腐蚀窗口对硅衬底进行各向异性刻蚀，形成凹槽和槽间壁，凹槽为七面体，凹槽的上边界与边界L重合，槽间壁位于两个相邻的凹槽之间； S4、对槽间壁进行氧化，形成氧化层和硅纳米线； S5去除氧化层，得到悬空的硅纳米线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学深圳研究院，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区高新南四道19号虚拟大学园A301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励