北京集成电路装备创新中心有限公司吴志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种刻蚀方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510829009.1，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权一种刻蚀方法及半导体工艺设备是由吴志刚设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种刻蚀方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决金属硬掩膜层刻蚀后，因光刻中出现套刻误差而需要进行返工处理，在返工处理过程中使薄弱点区域关键尺寸迅速减少，导致良率降低的问题而设计。该刻蚀方法包括提供半导体器件，半导体器件包括依次层叠设置的光阻层、抗反射层、第一介质层、金属硬掩膜层、第二介质层和超低介电常数材料层；抗反射层刻蚀步，以光阻层为掩膜刻蚀所述抗反射层，并露出所述第一介质层；以及沉积步，其中，沉积步使用的工艺气体包括甲烷。本发明使薄弱点区域底部的关键尺寸增大，从而扩大了返工处理后的工艺窗口，以保证后续在刻蚀垂直互连通道时，不会出现偏差，从而提高了返工处理后的良率。
本发明授权一种刻蚀方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供半导体器件，所述半导体器件包括依次层叠设置的光阻层101、抗反射层102、第一介质层103、金属硬掩膜层104、第二介质层105和超低介电常数材料层106； 抗反射层102刻蚀步，以所述光阻层101为掩膜刻蚀所述抗反射层102，并露出所述第一介质层103；以及 沉积步，用于使所述抗反射层102厚度增加且出现角度倾斜，其中，所述沉积步使用的工艺气体包括甲烷。
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