东京毅力科创株式会社樋口龙太获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置和等离子体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120457773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380090409.4，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权等离子体处理装置和等离子体处理方法是由樋口龙太;齐藤武尚;中岛俊希;北邨友志设计研发完成，并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置和等离子体处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、至少一个天线和气体供给部。腔室包含电介质窗。电介质窗配置在基片支承部与天线之间。RF生成部构成为生成第一高频电功率和第二高频电功率。第一高频电功率具有第一频率。第二高频电功率具有第二频率。电介质窗对于第二频率的介电损耗大于电介质窗对于第一频率的介电损耗。
本发明授权等离子体处理装置和等离子体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 包含电介质窗的腔室； 设置于所述腔室内的基片支承部； 设置于所述腔室的外部的至少一个天线，所述电介质窗配置在所述基片支承部与该至少一个天线之间； 构成为向所述腔室内供给气体的气体供给部；和 与所述至少一个天线电连接的RF生成部， 所述RF生成部构成为生成具有第一频率的第一高频电功率和具有第二频率的第二高频电功率， 所述电介质窗对于所述第二频率的介电损耗大于所述电介质窗对于所述第一频率的介电损耗， 所述RF生成部构成为： 生成所述第一高频电功率以在所述腔室内将等离子体点火， 生成所述第二高频电功率以在所述腔室内维持点火后的所述等离子体。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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