华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101181.5，技术领域涉及：C25B11/095；该发明授权一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用是由李国强;谢少华;李相融;王俊锟;王燕玲设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电化学制氢的技术领域，公开了一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用。所述P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极包括Si衬底、Si衬底上设置的InN纳米柱层、InN纳米柱表面设置的PM6层及PM6层表面设置的P掺杂NiLDH助催化剂层。本发明还公开了光阴极的制备方法。本发明的光阴极中P掺杂NiLDH助催化剂不仅增加了反应的催化活性位点，降低了HER所需的活化能，同时有效降低异质结光电极的起始电位，促进了光生载流子的解离、传输及在电极电解液界面发生还原反应。本发明的光阴极用于光电化学水分解制氢，解决了制氢过程中的起始电位高、光电转换效率低等问题。
本发明授权一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极，其特征在于：包括Si衬底、Si衬底上设置的InN纳米柱层、InN纳米柱表面设置的PM6层以及PM6层表面设置的P掺杂NiLDH助催化剂层，所述P掺杂NiLDH助催化剂层为二维纳米片； 所述P掺杂NiLDH助催化剂为P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂，具体通过以下方法制备得到：采用电化学沉积的方式在PM6层上沉积二维纳米片P掺杂NiLDH，干燥，得到P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂；所述电化学沉积包括计时电流法、恒电流法； 电化学沉积时，电解质溶液为P源与NiSO4溶液的混合溶液，NiSO4溶液的浓度为0.1~0.2molL，P源为NaH2PO2，P源的掺杂量为NiSO4摩尔量的1~20%。
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