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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种功率开关晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411838475.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种功率开关晶体管是由林智设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率开关晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率开关晶体管，属于半导体功率器件领域。该晶体管包括：漂移区、半导体体区、终端耐压区、浮空电极半导体区、栅绝缘介质区、第三电极多晶半导体区、第一绝缘钝化层、第二绝缘钝化层、第二电极金属区、浮空电极金属区、第三电极金属区、第一电极半导体区以及第一电极金属区，其中，第二绝缘钝化层和第二电极表面金属层构成终端金属屏蔽结构，可以有效地消除封装引线或者铜带对功率开关晶体管芯片终端耐压区的影响，保证芯片的击穿电压不受干扰，使封装引线或者铜带的长度可以进一步缩短，甚至不用引线键合，从而减小芯片封装引线占用的面积和引线引入的寄生电感。

本发明授权一种功率开关晶体管在权利要求书中公布了：1.一种功率开关晶体管，其特征在于，其包括：漂移区； 半导体体区，所述半导体体区形成于所述漂移区中且与所述漂移区上表面齐平； 终端耐压区，所述终端耐压区形成于所述漂移区中，且分布在所述半导体体区两侧，所述终端耐压区上表面与所述漂移区上表面齐平； 浮空电极半导体区，所述浮空电极半导体区形成于所述漂移区中，且分布在所述半导体体区两侧，所述浮空电极半导体区上表面与所述漂移区上表面齐平； 栅绝缘介质区，多个所述栅绝缘介质区相间隔地形成于所述半导体体区上表面； 第三电极多晶半导体区，所述第三电极多晶半导体区形成于多个所述栅绝缘介质区中； 第一绝缘钝化层，所述第一绝缘钝化层形成于所述漂移区和终端耐压区上表面，且分布在外侧的所述栅绝缘介质区两侧； 第二绝缘钝化层，所述第二绝缘钝化层形成于两侧的所述第一绝缘钝化层上表面； 第二电极金属区，所述第二电极金属区形成于所述漂移区上表面以及两侧的所述第一绝缘钝化层和第二绝缘钝化层之间，填充多个所述栅绝缘介质区间的间隔，且所述第二电极金属区延伸至该晶体管器件顶面以覆盖部分所述第二绝缘钝化层，并延伸至器件上表面的边缘位置； 浮空电极金属区，所述浮空电极金属区形成于两侧的所述浮空电极半导体区上表面，且均被所述第一绝缘钝化层包围； 第三电极金属区，一部分所述第三电极金属区形成于未被所述第二电极金属区覆盖的所述第二绝缘钝化层上表面，另一部分所述第三电极金属区贯穿所述第二绝缘钝化层、第一绝缘钝化层，并延伸至所述第三电极多晶半导体区表面；通过第二电极金属区和第三电极金属区覆盖晶体管表面，使晶体管表面成为两个等势面，同时通过引入第一绝缘钝化层和第二绝缘钝化层，形成终端金属屏蔽结构，消除封装引线或铜带对晶体管终端耐压区的影响，保证晶体管的击穿电压不受干扰，并减小晶体管封装引线占用的面积和引线引入的寄生电感； 第一电极半导体区，所述第一电极半导体区形成于所述漂移区下表面； 第一电极金属区，所述第一电极金属区形成于所述第一电极半导体区下表面； 所述半导体体区具有多个部分，各部分之间通过所述漂移区相间隔；每个所述半导体体区中均形成有半导体源区，所述半导体源区上表面与所述半导体体区上表面齐平。

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