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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种平面功率二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411838474.3，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种平面功率二极管是由林智设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面功率二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种平面功率二极管，属于半导体功率器件领域。该二极管包括：衬底区；位于衬底区表面的漂移区；位于漂移区中的第二电极半导体区；位于漂移区中且分布在第二电极半导体区两侧的终端耐压区；位于第二电极半导体区和终端耐压区上表面的第二电极金属区下部；位于第二电极金属区下部上表面的第二电极金属区中部；位于第二电极金属区中部上表面的第二电极金属区上部；位于终端耐压区和漂移区上表面且分布在第二电极金属区下部两侧的第一绝缘钝化层；位于第一绝缘钝化层上表面和第二电极金属区上部之间，且分布在第二电极金属区中部两侧的第二绝缘钝化层；位于衬底区下表面的第一电极金属区。本发明可缩短封装引线或铜带长度，减少空间占用。

本发明授权一种平面功率二极管在权利要求书中公布了：1.一种平面功率二极管，其特征在于，其包括： 第一导电类型的衬底区； 位于所述衬底区上表面的第一导电类型的漂移区； 位于所述漂移区中的第二导电类型的第二电极半导体区； 位于所述漂移区中且分布在所述第二电极半导体区两侧的第二导电类型的终端耐压区； 位于所述第二电极半导体区和终端耐压区上表面的第二电极金属区下部； 位于所述第二电极金属区下部上表面的第二电极金属区中部； 位于所述第二电极金属区中部上表面的第二电极金属区上部； 位于所述终端耐压区和漂移区上表面且分布在所述第二电极金属区下部两侧的第一绝缘钝化层； 位于所述第一绝缘钝化层上表面和第二电极金属区上部之间，且分布在所述第二电极金属区中部两侧的第二绝缘钝化层，其中，所述第二电极金属区上部完全覆盖该平面功率二极管的顶面，即完全覆盖所述第二绝缘钝化层； 位于所述衬底区下表面的第一电极金属区； 通过第二绝缘钝化层和完全覆盖所述第二绝缘钝化层的第二电极金属区上部形成终端耐压区的金属屏蔽结构，消除封装引线或者铜带对二极管终端耐压区的影响，保证二极管的击穿电压不受干扰，并且减小二极管封装引线占用的面积和引线引入的寄生电感。

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