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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411937887.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法是由章文通;胡哲恺;坤雨潇;慕江南;乔明;李肇基;张波设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法，包括：第一导电类型衬底、第二导电类型漂移区、阻性多晶硅场板、MIS阵列，位于漂移区两侧的第一和第二导电类型阱区和重掺杂区，位于器件表面的控制栅多晶硅电极、场氧化层、层间介质。所述结构通过阻性场板与MIS阵列的结合，将MIS阵列与阻性场板结合，利用阻性场板上的均匀的电势分布、阻性场板与MIS阵列之间的偏置耦合来对MIS阵列进行钳位，从而进一步优化MIS阵列的电势分布，进而带来更优秀的器件性能与更广阔的设计空间。

本发明授权基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件，其特征在于包括： 第一导电类型衬底11、第二导电类型漂移区21、第一导电类型阱区12和第二导电类型阱区22、场氧化层31、槽介质层32、栅氧化层33、层间介质34、控制栅多晶硅41、阻性场板多晶硅42、漂移区金属电极51、接触孔金属52、等势环金属53、源极金属54、栅极金属55、漏极金属56、第二导电类型源接触区23、第二导电类型漏接触区24以及第一导电类型体接触区13； 其中，第二导电类型漂移区21位于第一导电类型衬底11上方，第一导电类型阱区12位于第二导电类型漂移区21的左侧，第二导电类型阱区22位于第二导电类型漂移区21的右侧；第二导电类型漏接触区24位于第二导电类型阱区22中，与上方的漏极金属56相连接；第二导电类型源接触区23和第一导电类型体接触区13位于第一导电类型阱区12中，与上方的源极金属54相连接；栅氧化层33位于第一导电类型阱区12上方，并且栅氧化层33左端与第二导电类型源接触区23相接触、右端与第二导电类型漂移区21相接触；场氧化层31位于左侧栅氧化层33与右侧第二导电类型漏接触区24之间的第二导电类型漂移区21的上表面；控制栅多晶硅41覆盖在栅氧化层33的上表面并部分延伸至场氧化层31的上表面；阻性场板多晶硅42则以螺旋状盘绕在场氧化层31上表面，且首端部分延伸至第二导电类型漏接触区24的上表面与漏极金属56相连接，尾端与控制栅多晶硅41相连接； 槽介质层32与漂移区金属电极51构成MIS阵列，分布在整个第二导电类型漂移区21中，其中元胞区的漂移区金属电极51通过接触孔金属52与上方等间距分布的等势环金属53、栅极金属55相连接，终端区的漂移区金属电极51则浮空；器件源区到漏区水平方向为x方向，漂移区多晶硅电极深度向下方向为y方向，垂直于xy平面向内方向为z方向，MIS阵列在z方向交错排布。

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