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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411725840.4，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构是由宋昊;曹靓设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构，属于集成电路领域，包括编程结构、加载结构、复位结构、读出结构。编程结构用于将配置数据通过编程通路存储到非易失存储单元中；加载结构用于加载编程结构中存储的数据；复位结构用于加载前对加载结构进行复位；读出结构用于读出加载结构中的数据。相比较传统的SRAM型FPGA，无需在上电时从外部配置存储器中读取数据运行，启动速度较快，拥有更高的灵活性。

本发明授权一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于非易失存储单元的自加载存储结构，其特征在于，包括：编程结构、加载结构、复位结构、读出结构； 所述编程结构用于将配置数据通过编程通路存储到非易失存储单元中； 所述加载结构用于加载编程结构中存储的数据； 所述复位结构用于加载前对加载结构进行复位； 所述读出结构用于读出加载结构中的数据； 所述编程结构包括左侧非易失存储单元和右侧非易失存储单元、第一编程管和第二编程管；左侧非易失存储单元的第一端与第一编程管的漏极连接形成第一传输节点，左侧非易失存储单元的第二端连接电源电压VDD；右侧非易失存储单元的第一端与第二编程管的漏极连接形成第二传输节点，右侧非易失存储单元的第二端连接电源电压VDD；第一编程管的栅极与第一输入节点连接，源极连接第三输入节点，漏极连接第一传输节点；第二编程管的栅极与第二输入节点连接，源极连接第四输入节点，漏极连接第二传输节点； 所述加载结构包括第一隔离管和第二隔离管、第一导闭管和第二导闭管；第一导闭管和第二导闭管构成双稳态电路，形成第一存储节点和第二存储节点；第一导闭管的栅极与第一存储节点相连，源极接地，漏极连接第二存储节点；第二导闭管的栅极与第二存储节点相连，源极接地，漏极连接第一存储节点；第一隔离管的栅极与第五输入节点相连，源极连接第一传输节点，漏极连接第二存储节点；第二隔离管的栅极与第五输入节点相连，源极连接第二传输节点，漏极连接第一存储节点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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