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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种硅片研磨装置、方法及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119489375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659335.4，技术领域涉及：B24B9/06；该发明授权一种硅片研磨装置、方法及可读存储介质是由鲁晶鑫设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片研磨装置、方法及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片研磨装置、方法及可读存储介质，涉及半导体加工技术领域。该硅片研磨装置，包括：研磨组件；所述研磨组件包括：砂轮法兰盘、轴体、支撑结构以及调整单元；所述砂轮法兰盘设置于所述轴体的第一端，用于对硅片进行研磨；所述支撑结构设置于所述轴体的下方，且第一距离与第二距离的差值小于预设值；所述第一距离为所述支撑结构距离所述轴体第一端的距离，所述第二距离为所述支撑结构与所述轴体第二端的距离；所述调整单元设置于所述轴体的第二端，用于控制所述轴体的第二端沿目标方向移动，所述目标方向为垂直于所述轴体的轴线的方向。解决了现有技术中立式研磨装置无法调节对硅片边缘的研磨精度，影响硅片质量的问题。

本发明授权一种硅片研磨装置、方法及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种硅片研磨装置，其特征在于，包括：研磨组件； 所述研磨组件包括：砂轮法兰盘、轴体、支撑结构以及调整单元； 所述砂轮法兰盘设置于所述轴体的第一端，用于对硅片进行研磨； 所述支撑结构设置于所述轴体的下方，且第一距离与第二距离的差值小于预设值；所述第一距离为所述支撑结构与所述轴体第一端的距离，所述第二距离为所述支撑结构与所述轴体第二端的距离； 所述调整单元设置于所述轴体的第二端，用于控制所述轴体的第二端沿目标方向移动，所述目标方向为垂直于所述轴体的轴线的方向； 其中，所述调整单元，包括：伺服电机和配重块； 所述配重块与所述轴体的第二端可移动连接； 所述伺服电机的输出轴与所述配重块连接； 在所述伺服电机处于第一状态的情况下，所述输出轴伸出所述伺服电机并带动所述配重块靠近所述支撑结构，以使所述轴体的第一端向下倾斜；在所述伺服电机处于第二状态的情况下，所述输出轴缩回所述伺服电机并带动所述配重块远离所述支撑结构，以使所述轴体的第一端向上倾斜； 所述硅片研磨装置还包括： 距离测量单元，用于测量所述配重块的移动距离； 角度测量单元，用于测量所述砂轮法兰盘的偏移角度； 其中，所述移动距离和所述偏移角度用于校正所述硅片研磨装置。

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