中国科学院半导体研究所刘俊鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116646821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310714261.9,技术领域涉及:H01S5/34;该发明授权拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法是由刘俊鸿;许云飞;张锦川;翟慎强;刘峰奇设计研发完成,并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法,拓扑面发射量子级联激光器的制备方法包括:在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层;利用掩膜版对上接触层进行光刻显影,在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶,之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发,形成金属层;对带胶的金属层进行剥离,得到金属拓扑图形层;以及对上接触层进行腐蚀,以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界,以增强回音壁模式的吸收损耗,使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态。
本发明授权拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种拓扑面发射量子级联激光器的制备方法,包括: 在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层; 利用掩膜版对上接触层进行光刻显影,在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶,之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发,形成金属层; 对带胶的金属层进行剥离,得到金属拓扑图形层;以及 对上接触层进行腐蚀,以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界,以增强回音壁模式的吸收损耗,使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态; 金属拓扑图形层包括多个呈正六边形的拓扑光子晶体,正六边形基于六个边长分为六个呈三角形的子区域,其中,在六个子区域内分别形成交替间隔设置的三个第一三角形子单元和三个第二三角形子单元,第一三角形子单元的几何中心与所在子区域的几何中心重合,第二三角形子单元的几何中心沿预设的位移矢量相对于所在子区域的几何中心发生偏移; 位移矢量表示第二三角形子单元的几何中心与所在的子区域的几何中心的连线,相对于第二三角形子单元所在的子区域的几何中心与正六边形的中心的连线的相位角以及第二三角形子单元的几何中心与所在的子区域的几何中心的连线的长度,相位角的范围为从0到2π,使得金属拓扑图形层形成从0到2π变化的涡旋腔,根据调制函数对涡旋腔进行调节,将相位角转变为非线性变化,以改变金属拓扑图形层的对称性,从而改变输出激光束的远场对称性。
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