武汉大学卢双赞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种铁电性单层三氯化钒薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310151379.5，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种铁电性单层三氯化钒薄膜及其制备方法是由卢双赞;邓京昊;张晨栋设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电性单层三氯化钒薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种铁电性单层三氯化钒薄膜及其制备方法。包括如下步骤：超高真空氛围下，将VCl3粉末蒸发沉积在NbSe2衬底的表面，退火处理，即得铁电性单层三氯化钒薄膜。本申请利用超高真空环境下分子束外延的样品制备策略，将高纯度的VCl3粉末蒸发沉积在NbSe2衬底上，通过退火处理得到原子级平整的单层VCl3样品，原位扫描隧道显微镜技术与扫描隧道谱技术联合，确定了单层VCl3为具有铁电性的半导体材料，该方法为在过渡金属三卤化物家族中引入铁电性提供了新的方法与思路，具有较高的应用潜力与科研价值，同时，这一体系中铁电性的成功引入，也为开展多物态调控与研究提供了新的平台。
本发明授权一种铁电性单层三氯化钒薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电性单层三氯化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 超高真空氛围下，将VCl3粉末蒸发沉积在NbSe2衬底的表面，退火处理，即得铁电性单层三氯化钒薄膜； “将VCl3粉末蒸发沉积在NbSe2衬底的表面”具体包括： 将VCl3粉末置于蒸发源中，加热所述蒸发源对VCl3粉末进行除气； 除气结束，继续加热所述蒸发源以使所述VCl3粉末升华并沉积到所述NbSe2衬底的表面； 所述超高真空氛围下的真空度≤1×10-5Torr； 退火温度为120~170℃，退火时间为60~240min。
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