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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利晶圆键合的欧姆接触电极退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111591899.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权晶圆键合的欧姆接触电极退火方法是由王晓东;赵永强;刘雯;包怡迪;陈啸岭;杨富华设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆键合的欧姆接触电极退火方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III‑V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在III‑V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。本发明提供的晶圆键合的欧姆接触电极退火方法实现了退火温度与晶圆键合的温度的适配，可以得到工艺稳定的键合晶片，以及接触电阻低的欧姆接触电极。

本发明授权晶圆键合的欧姆接触电极退火方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括： 将III-V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片； 在第一预设温度下，使用键合机对所述预键合晶片施加第一预设压力，其中，所述第一预设压力为500~3000mbar，所述第一预设温度为200~300℃；保持第一预设时间段以形成键合晶片，其中，所述第一预设时间段为1~3小时； 在所述III-V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在所述Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片； 在第二预设温度下，使用键合机对所述预退火键合晶片施加第二预设压力，其中，所述第二预设压力为500~3000mbar，所述第二预设温度为200~300℃，且所述第二预设温度的升温速率为每分钟5~10℃；保持第二预设时间段，其中，所述第二预设时间段为1~3小时；将所述预退火键合晶片以降温速率为每分钟5~10℃持续降温至室温，完成退火操作，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。

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