长江存储科技有限责任公司刘小欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及制造三维存储器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310286799.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器及制造三维存储器的方法是由刘小欣;夏志良;刘威;霍宗亮设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及制造三维存储器的方法在说明书摘要公布了：本发明实施方式提供了一种三维存储器。该三维存储器包括外围电路芯片和存储阵列芯片，外围电路芯片包括：第一衬底；第一电路元件层，设置在第一衬底上，并且包括第一器件层，第一器件层包括多个高压晶体管；第二衬底，设置在第一电路元件层上，且第二衬底与第一电路元件层接触；以及第二电路元件层，设置在第二衬底上，并且包括第二器件层，第二器件层包括多个低压晶体管；存储阵列芯片设置在第二电路元件层上。
本发明授权三维存储器及制造三维存储器的方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为NAND三维存储器，并包括外围电路芯片和存储阵列芯片，所述外围电路芯片用于促进所述NAND三维存储器的信号控制和感测，所述外围电路芯片包括： 第一衬底； 第一电路元件层，设置在所述第一衬底上，并且包括第一器件层，所述第一器件层包括多个高压晶体管； 第二衬底，设置在所述第一电路元件层上，且所述第二衬底与所述第一电路元件层接触；以及 第二电路元件层，设置在所述第二衬底上，并且包括第二器件层，所述第二器件层包括多个低压晶体管； 所述存储阵列芯片设置在所述第二电路元件层上。
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