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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116306477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310138247.9，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法是由吴宏滨;李静雯;陈玉婷设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法。有机薄膜光探测器件中，有如载流子浓度分布、电势分布、复合率分布等无法通过实验测得的物理参数。本发明对有机薄膜光探测器进行建模仿真，获得器件物理参数分布从而分析器件性能。通过输入器件的能级、迁移率、陷阱分布、薄膜厚度等基本参数，对器件的电流－电压特性进行拟合，得到的拟合曲线与实际测得的实验数据相吻合。由此可直接通过计算模拟的方式掌握器件基本特性，进一步通过拟合实验数据来获得实验中难以直接获得的一些参数值，来满足我们进一步研究有机半导体器件的目的。

本发明授权一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法在权利要求书中公布了：1.一种有机薄膜光探测器件输出的电流－电压特性拟合方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：把有机薄膜光探测器件的活性层厚度和所设置的网格长度定义为L和h，延垂直于电极平面的方向将器件分为N个单元，将从阳极开始的第一个单元的起始点记为X1，到阴极结束的最后一个单元的起始点记为XN，XN+1作为终止点，将第j个格的中点到X1的距离定义为xj+12；依据器件内部载流子浓度以及电势分布，给定一个初始值； 步骤2：应用泊松方程计算有机半导体器件内部电势分布Vold，其中为x位置的电势，q为单位电荷，表示x位置的电子和空穴浓度，表示可能存在的任何其他变化掺杂； 步骤3：将计算得到的电势分布重新带入泊松方程，其微分计算形式为：，其中代表器件内第i个网格点的长度； 步骤4：使用更新后的泊松方程，重复步骤2得到新的电势分布Vnew； 步骤5：计算Vnew与Vold的差值，当大于所设定的误差值时，回到步骤2,Vnew作为Vold，Vnew+作为Vnew进行计算；否则继续进行步骤6； 步骤6：应用连续性方程计算有机半导体器件内部载流子浓度nold，和表示x位置的电子电流密度和空穴电流密度，表示电荷生成率和复合率； 步骤7：将计算得到的载流子浓度分布重新带入连续性方程； 步骤8：使用更新后的连续性方程，重复步骤6，得到新的载流子浓度nnew； 步骤9：计算nnew与nold的差值，当大于所设定的误差值时，回到步骤6,nnew作为nold，nnew+作为nnew进行计算；否则继续进行步骤10； 步骤10：应用方程和，使用修正完成后的电势分布V和载流子浓度n计算器件内的电流密度分布；其中为爱因斯坦扩散系数，为电荷迁移率，为热电压。

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