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中国科学院微电子研究所张括获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116298768B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310287355.2,技术领域涉及:G01R31/265;该发明授权碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法是由张括;王盛凯;徐杨设计研发完成,并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法,其特征在于,包括:利用发光光源模块产生光束;利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度,并反馈至发光光源模块;将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块,照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果,第一阶段对应的电学测试结果包括将发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果;将多个阶段对应的电学测试结果输入至前置数据转换器中,整合成缺陷表征数据库。

本发明授权碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法在权利要求书中公布了:1.一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法,其特征在于,包括: 利用发光光源模块产生光束; 利用监测反馈模块实时监测所述发光光源模块发射的光束的波长和强度,并反馈至所述发光光源模块; 将所述发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块,照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果,所述第一阶段对应的电学测试结果包括将所述发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果; 将多个阶段对应的所述电学测试结果输入至前置数据转换器中,整合成缺陷表征数据库;其中,在所述电学测量模块中完成第一阶段测量后,根据所述监测反馈模块反馈的光束的波长和强度,调节发光光源模块的光源功率,以实现循环测量,随后将得到的所述电学测试结果更新至所述缺陷表征数据库中; 将所述缺陷表征数据库中的所述电学测试结果进行对比分析,确定目标缺陷表征结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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